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三星 文章 最新資訊

晶圓代工復蘇勢頭強勁 三星接近與高通2nm合作

  • 根據韓國媒體 Business Post 的報道,三星電子似乎接近確保高通成為其下一代 2nm 代工工藝的第一個主要客戶。這一發展可能標志著三星朝著重振苦苦掙扎的合同芯片制造業務邁出了重要一步,該業務一直面臨持續的良率問題,并失去了臺積電的關鍵客戶。據報道,高通正在使用三星的 2nm 技術對多款芯片進行量產測試,包括其即將推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移動處理器的高級版本。這款代號為“Kaanapali”的芯片將有兩種變體。基本版本預計將由臺積電使用其 3nm 工藝
  • 關鍵字: 晶圓代工  三星  高通  2nm  

高通驍龍新旗艦芯片將采用三星2nm代工,專供三星Galaxy系列

  • 據外媒Business Post報道,三星計劃在2026年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機,除了搭載基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外,還將采用高通新一代驍龍8系列旗艦芯片,可能命名為Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是,這款高通芯片將不再由臺積電獨家使用N3P制程代工,而是部分交由三星2nm制程代工,專為三星Galaxy系列設備定制。報道顯示,高通的下一代芯片策略將有重大調整,計劃為新一代驍龍旗艦手機芯片開發兩個版本。一個版本采用臺積電3nm制程,供
  • 關鍵字: 高通  驍龍  三星  2nm  Galaxy  

三星接近與高通達成2納米代工協議,隨著晶圓代工業務復蘇勢頭增強

  • 根據韓國媒體 Business Post 的報道,三星電子似乎即將獲得高通作為其下一代 2 納米晶圓代工工藝的首個主要客戶。這一發展可能標志著三星苦苦掙扎的合同芯片制造業務復蘇的重要一步,該業務一直面臨持續的良率問題和關鍵客戶流失給臺積電的情況。據報道,高通正在使用三星的 2 納米技術對數款芯片進行大規模量產測試,包括其即將推出的高端版驍龍 8 Elite 2 移動處理器。這款芯片的代號為“Kaanapali”,將提供兩種變體。基礎版本預計將由臺積電使用其 3 納米工藝生產,而高端版“Kaanapali
  • 關鍵字: 三星  2nm  晶圓代工  

晶圓代工格局生變:中芯國際緊追三星

  • 在全球芯片代工市場的激烈競爭中,格局正發生深刻變化。雖然臺積電一直保持著其主導地位,但曾經穩居第二的三星電子如今面臨嚴峻挑戰,中芯國際展現出強勁勢頭正在追趕這家韓國巨頭。調研機構TrendForce發布的報告顯示,2025年第一季度,全球前十大晶圓代工廠中,臺積電憑借先進制程導入速度和良率控制方面的絕對優勢,以67.6%的份額穩居榜首。值得注意的是,中芯國際正以驚人的速度追趕三星電子,其市場份額已攀升至6%并持續增長,而三星電子的市場份額已降至7.7%。第四名至第十名分別為聯電 (UMC)、格芯 (Glo
  • 關鍵字: 晶圓  代工  中芯國際  三星  臺積電  華虹集團  合肥晶合  

三星優先考慮2nm/4nm改進,2028-29前不太可能實現1.4nm

  • 據報道,隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標是在 2025 年下半年實現 2nm 和 18A 的量產,三星也在調整其業務戰略。據 ZDNet 稱,它現在專注于提高和優化其當前先進節點的良率,尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是,雖然沒有給出修改后的時間表,但該報告表明,三星的 1.4nm 生產現在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前開始。據 ZDNet 稱,該更新是在 6 月初的三星“SAFE(三星高級代工生態系統)論壇 2025”期間發布的。據報道,在此次活動中,三星透
  • 關鍵字: 三星  2nm  4nm  1.4nm  

三星推動2納米技術突破,業界押注臺積電3納米鰭式場效應晶體管

  • 市場傳言越來越多,稱三星正在積極將資源轉向 2 納米開發,計劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝,可能試圖超越臺積電。然而,據半導體行業內的消息人士稱, 商業時報報道,三星當前的 3 納米 GAAFET 技術大致與競爭對手的 4 納米鰭式場效應晶體管節點相當,這引發了對其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺積電最強大的 3 納米鰭式場效應晶體管一代的擔憂。同時,臺積電繼續擴展其 3 納米工藝系列,包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應用變體。該報告指出,這些節點預計將仍然是主要客戶的首選。
  • 關鍵字: 三星  臺積電  2nm  制程工藝  

臺積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵

  • 市場近期盛傳三星將押注資源發展2納米,預計最快明年于美國德州廠率先導入2納米制程,企圖彎道超車臺積電。 半導體業界透露,三星目前以GAAFET打造之3納米,約為目前競爭對手4納米FinFET水平,分析2納米效能恐怕不如臺積電最后也是最強一代之3納米FinFET。 尤其臺積電再針對3納米發展更多家族成員,包括N3X、N3C、N3A等應用,未來仍會是主流客戶之首選。盤點目前智能手機旗艦芯片,皆使用臺積電第二代3納米(N3E),僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業者今年預計迭代進入第
  • 關鍵字: 臺積電  3納米  FinFET  三星  2納米  

搶先臺積電 傳三星將在美國推出2納米

  • 臺積電和三星在晶圓代工領域競爭激烈,兩家大廠相繼赴美國設廠,根據ZDNet Korea報導,三星可能比臺積電更早在美國推出2納米制程,預計時間點在明年第一季,以增強在美國芯片市場的影響力。 但報導也質疑,三星先進制程的良率偏低,泰勒工廠能否達到芯片生產階段仍存在不確定性。報導指出,三星計劃將在美國推出首個國產2納米制程,以加強競爭力,據悉公司已開始為在泰勒工廠的生產線做準備。 雖然目前美國2納米制程生產尚處在規劃階段,但考量大型科技公司對從美國采購芯片展現濃厚興趣,三星對此持樂觀態度。三星美國廠野心勃勃,
  • 關鍵字: 臺積電  三星  2納米  

如果美國撤銷芯片工具豁免:解析臺積電、三星和 SK 海力的中國業務

  • 美國商務部正在考慮撤銷此前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證——這一舉措可能為它們在中國的運營制造新的障礙,據路透社報道。引自華爾街日報,Wccftech 指出,工業與安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推動結束允許美國芯片設備制造商向這些公司中國工廠出售關鍵工具的豁免。報道補充說,這可能導致它們獲取美國制造設備的規定更加嚴格。根據 Tom's Hardware,該審查針對的是在美國于 2022 年底限制向中國出口芯片制造工具后授予非中國芯片制造商
  • 關鍵字: 臺積電  晶圓代工  三星  SK海力士  

三星將于二季度恢復泰勒的潔凈室工作;2 納米刀具計劃 2026 年進場

  • 據報道,三星正在加緊為其美國代工廠的生產做準備。據韓國媒體 ZDNet 援引 6 月 23 日的消息人士稱,該公司正在討論于 2026 年開始在泰勒晶圓廠安裝其 2nm 工藝設備的計劃。該報告指出,經過幾次延誤,三星于 2025 年第二季度恢復了泰勒工廠的潔凈室建設。據報道,一旦潔凈室完工,該公司正計劃引入相關設備以開始設置生產線。值得注意的是,由于這將是初始生產線,因此預計投資規模將相對適中。據韓國媒體 The Elec 報道,當三星于 2021 年底首
  • 關鍵字: 三星  泰勒  2 納米  

如果美國撤銷芯片工具豁免:解析臺積電、三星和 SK 海力士的中國業務

  • 據路透社報道,美國商務部正在考慮撤銷之前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證,此舉可能會給它們在中國大陸的業務制造新的障礙。
  • 關鍵字: 芯片工具豁免  臺積電  三星  SK海力士  

SK 海力士據報與英偉達、微軟合作推動定制 HBM4E,三星則與 HBM4 保持差距

  • 隨著三星加速 1c DRAM 開發,試圖在 HBM4 競爭中奪回失地,當前領導者 SK 海力士正與科技巨頭合作推出定制 HBM 解決方案。據《 韓國經濟日報 》報道,其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——預計將在 2026 年下半年推出。報道顯示,SK 海力士已經贏得了包括英偉達、微軟和高通在內的主要客戶,使其成為定制和通用 AI 內存市場的領先者。值得注意的是,SK 海力士最近開始根據客戶需求定制 HBM,報道補充說,英偉達緊張的生產進度影響了其合作伙伴的選擇。定制 HBM 更
  • 關鍵字: 三星  海力士  英偉達  HBM4E  

據報道三星 1c DRAM 良率高達 70%,為年底推出 HBM4 鋪平道路

  • 隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上,據報道三星在良率方面取得了重大突破。據 sedaily 報道,該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM(1c DRAM)晶圓測試中實現了 50-70%的良率——這一數字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是,與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產 HBM4 不同,三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩步提高,該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產規模,根據
  • 關鍵字: 三星  HBM  存儲  

三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評估,傳輸帶寬達24Gbpsv

  • 據韓媒etnews于6月18日報道,三星電子近期在高性能計算(HPC)和人工智能(AI)領域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估,傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標志著三星在芯粒互聯技術上的顯著進展。UCIe(統一芯粒互聯接口)是一種通用的芯粒互聯標準,能夠實現不同來源和工藝的芯粒之間的互聯通信,從而將分散的芯粒生態系統整合為統一平臺。三星早在去年就對其工藝進行了優化,以支持UCIe IP的開發。此次原型芯片的成功運行,表明其技術已具備向商業量產邁進的能力。
  • 關鍵字: 三星  4nm  UCIe  傳輸帶寬  24Gbps  

中韓顯示面板廠商再起訴訟

  • 就在三星顯示(Samsung Display)近期接連在美國起訴中國京東方和華星光電之際,韓國另一家顯示面板巨頭LG顯示(LG Display,LGD)也在2025年6月13日,向美國德州東區地方法院對中國另一家顯示面板巨頭天馬微電子發起了專利侵權損害賠償和陪審團審理訴訟。與三星顯示和京東方、華星光電爭議的主要是OLED面板不同,此次LGD對天馬微電子提出的訴求主要還是LCD面板,尤其是應用在目前汽車行業,此外也包括對OLED的投訴。LGD在起訴書中指控天馬微電子侵犯7項美國專利:US8,416,166(
  • 關鍵字: 顯示面板  三星  京東方  LG顯示  天馬  
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三星介紹

 韓國三星電子成立于1969年,正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月,三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年,三星電子不斷加大在中國的投資與合作,已經成為對中國投資最大的韓資企業之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元,躍入中國一流企業的水平。2003年,三星品牌價值108.5億美元,世界排名25位,被商務周刊評選為世界上發展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細 ]

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