在內存價格急劇上漲的背景下,即使是三星也感受到了壓力,盡管三星內部擁有強大容量。DealSite透露,三星電子DX部門CEO兼負責人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開幕日會面美光CEO Sanjay Mehrotra。正如報道所強調的,活動期間此類會議較為罕見,但消息人士稱三星請求此次會議是為了應對移動DRAM供應收緊的問題。據DealSite報道,討論將聚焦于即將推出的Galaxy S26的LPDDR5X,因為飛漲的價格使得與三星DS部門和美光的合同尚未解決。正如Se
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三星 存儲 DRAM
Counterpoint Research 最新發布的《折疊屏智能手機市場追蹤報告》顯示,2025年第三季度全球折疊屏手機出貨量同比增長14%,創下該品類有史以來的最高季度出貨紀錄。得益于高端細分市場滲透率持續提升,該季度折疊屏手機在全球智能手機總出貨量中的占比達到2.5%。2025Q3全球折疊手機出貨量前六名依次為:三星、華為、聯想、榮耀、VIVO和小米。書本式折疊機型(內折大屏款)引領增長,主要得益于三星Galaxy Z Fold7的推出以及華為Mate系列的持續強勢表現;翻蓋式折疊機型(上下折疊款)
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折疊手機 三星 華為
谷歌的TPU作為NVIDIA的有力替代方案正逐漸獲得關注,三星也成為ASIC趨勢的受益者。據《朝鮮商務》報道,三星電子正在向全球最大的ASIC設計公司博通供應HBM,其第六代HBM(HBM4)據報道已在測試中超過博通的初始性能目標。報告中引用的消息人士指出,三星的HBM4預計將在2026年全面供應,在博通的評估中表現優于其早期的性能目標。繼此前幾年落后于SK海力士后,三星試圖通過增強DRAM和邏輯芯片技術來區分其HBM4產品。報告補充稱,迄今為止,半導體行業總體上給予了積極評價。報告指出,三星目前通過博通
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全球存儲器產能持續吃緊,供應鏈傳出,國際云端服務(CSP)大廠近期已陸續敲定采購配額,而三星電子(Samsung Electronics)在內存需求強勁、市場行情處于高檔下,有意于2025年第4季,「適度釋出」部分RDIMM模組給系統客戶,可望推升季度營運再創新高。不過,據了解,此波放貨對象仍以服務器領域為主,部分中小型業者坦言,整個11月幾乎「一顆都搶不到」,擔憂無緣搶到三星年底放貨的「尾盤」,對市場價格猛漲陷入焦慮。2025年11月內存在現貨價11月DRAM、NAND仍雙雙大漲價根據11月現貨市場價格
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研究人員展示了基于FeFET的三維NAND電池,其通電電壓接近零,每個單元最多可達五位。三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告,旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成,發表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應晶體管(FeFET)設計,結合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導體通道,并引入了近乎零的通電壓作,構成了96%功率降低的基礎。在現代NAND中,每當讀取或編程單元時,貫穿
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最近,SK海力士完成了與英偉達的HBM4供應價格談判。根據雙方協議,HBM4的最終供應價格定在每顆約560美元,較上一代HBM3E(約370美元)漲幅超過50%。不過,由于HBM4采用更復雜的堆疊技術(如混合鍵合技術),以實現更高的互連密度和更小的節距,因此SK海力士在臺積電生產的HBM4芯片總成本比上一代產品增加了30%。HBM4價格暴漲今年5月,集邦咨詢曾在報告中預測,HBM4溢價幅度將突破30%,但SK海力士與英偉達的這場談判超過了行業最初的預期。SK海力士向英偉達提出的HBM4報價為每顆540~5
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三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告,旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成,發表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應晶體管(FeFET)設計,結合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導體通道,并引入了近乎零的通電壓作,構成了96%功率降低的基礎。在現代NAND中,每當讀取或編程單元時,貫穿每條垂直字符串的字線堆棧必須帶有通行電壓。隨著層數增加,開銷也隨之增加,由于層
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“給不出2000億顆芯片?行,那我自己造?!碑斎澜缍荚诙⒅鳵obotaxi何時上路,或是星艦何時能征服火星時,埃隆·馬斯克正在美國得克薩斯州的荒野深處,悄悄推進一項鮮為人知的“地下工程”。這一次,他不再滿足于買芯片,而是要從零打造一個全棧半導體帝國。多年來,馬斯克一直把一句話掛在嘴邊:“決定特斯拉未來的,不是汽車而是芯片?!爆F在馬斯克不再只是說說而已。被全球供應鏈短缺和代工巨頭產能瓶頸“逼到墻角”后,馬斯克決定不再等待。?他在秘密構建一個全棧半導體制造生態系統,從最基礎的 PCB 印制電路板,
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三星是全球最大的智能手機供應商之一,產品組合每年都會持續更新幾次。三星Galaxy S23 Ultra于今年早些時候發布,配備了多種攝像頭,包括一顆2億像素的廣角后置攝像頭。它還配備了一個S-Pen,用戶可以用筆控制攝像頭,而無需用手指作觸摸屏。這款智能手機自然配備了三星的眾多電子元件,如移動SDRAM和閃存,同時還配備了許多其他小型外設半導體。該手機搭載高通驍龍5G芯片組,其他高通組件用于5G收發機。以下是TechInsights對S23 Ultra的部分深入介紹??偨Y6.8英寸AMOLED8 GB 移
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最新報道顯示,三星正在調整旗艦智能手機的移動處理器(AP)策略,預計在明年推出的Galaxy S26系列旗艦智能手機將重新采用“雙芯片”供應來源 —— 不僅會有基于高通Snapdragon 8 Gen 5處理器的版本,也會有基于自家的Exynos 2600處理器的版本。報道稱,三星系統LSI部門近期已與MX(Mobile experience)事業部展開供應價格協商,而為了提升Exynos 2600的采用比例,三星系統LSI部門計劃以比高通Snapdragon 8 Gen 5低20~30美元的價格提供Ex
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在尋求恢復記憶之外的勢頭時,三星電子正在為其代工部門制定一條雄心勃勃的道路,目標是實現期待已久的扭虧為盈。據 ETNews 援引行業消息人士的話報道,該公司設定了到 2027 年使其代工業務盈利的目標,并計劃在同一時間范圍內按收入占領 20% 的市場份額。據稱,該計劃以與特斯拉和其他大型科技公司簽訂的主要合同為基礎,以及其在美國泰勒晶圓廠的計劃產量提升。根據集邦咨詢的數據,該公司在2Q25以31.6億美元的收入排名第二,占7.3%的份額,而臺積電以302.4億美元和創紀錄的70.2%的
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隨著三星推進其 HBM4 時間表,它也在下一代 DRAM 方面取得了長足的進步。CES?和三星的新聞稿顯示,其 LPDDR6 被評為 2026 年移動設備、配件和應用程序類別創新獎獲獎者。新公布的規格特別指出,12 納米設計可提供 10.7Gbps 數據速率和擴展的 I/O 以實現更高帶寬——專為數據密集型移動、邊緣和設備上的 AI 工作負載而構建。TechPowerUp?援引三星的話報道稱,LPDDR6 的能效比 LPDDR5X 提高了 21%,與其帶寬和速度相匹配,同時功耗減少了約
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三星正在推進 Exynos 的回歸,旨在減少對高通芯片的依賴。據 Chosun Biz 援引消息人士的話說,三星電子計劃在基本型號和 Plus 型號中使用 Exynos 2600,而 Ultra 型號將繼續采用高通的移動應用處理器 (AP)。正如報告所強調的那樣,三星電子將于 2026 年 2 月推出 Galaxy S26。盡管此前有傳言稱將于 3 月發布,但該公司的協調努力已經提前了發布時間表。報道援引消息人士的話稱,三星預計將于 2026 年 1 月下旬舉辦 Galaxy S26
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在全球智能手機方面,三星是最大的供應商之一。與蘋果一樣,三星在全球所有市場都有涉足,并且每年或每年兩次推出其旗艦設備的新版本。三星 S25 是該系列的最新版本,具有改進的內存和處理能力以及多達五個攝像頭,并包括多模態 AI 代理。該智能手機包括適用于 Galaxy 芯片組的 Snapdragon 8 Elite 移動平臺,該平臺具有 Galaxy AI 的處理能力以及更好的相機范圍和控制。以下是 TechInsights 對三星 S25 智能手機的部分深入探討??偨Y6.85 英寸,AMOLED 3120/
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三星 拆解 Galaxy
最先進的人工智能工廠將把三星的半導體技術與 NVIDIA 平臺相結合,為下一代人工智能驅動的生產奠定基礎。英偉達已宣布計劃三星電子打造全新的AI工廠,代表著智能計算與芯片制造交匯的新時代。最先進的人工智能工廠將把三星的半導體技術與 NVIDIA 平臺相結合,為下一代人工智能驅動的生產奠定基礎。三星的半導體人工智能工廠由 50,000 多個 NVIDIA GPU 提供支持,將成為該公司數字化轉型的核心,將加速計算直接集成到成熟的先進芯片制造中。通過此次合作,三星和 NVIDIA 正在為人工智能驅動的大規模半
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三星介紹
韓國三星電子成立于1969年,正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月,三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年,三星電子不斷加大在中國的投資與合作,已經成為對中國投資最大的韓資企業之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元,躍入中國一流企業的水平。2003年,三星品牌價值108.5億美元,世界排名25位,被商務周刊評選為世界上發展最快的高科技品牌。
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