知名博主數碼閑聊站透露，由三星代工的2nm制程版本驍龍8 Elite Gen5芯片已被取消，目前沒有任何廠商計劃采用這款芯片。高通于今年9月發布的驍龍8 Elite Gen5（型號為SM8850）由臺積電負責代工，采用臺積電3nm工藝制程。目前各大廠商推出的旗艦機型均搭載了這一版本的芯片。盡管三星也為驍龍8 Elite Gen5提供代工服務，采用其SF2（2nm制程）工藝，且套片報價低于臺積電3nm版本，但由于三星過往的工藝表現不佳，廠商對其持謹慎態度，導致該版本芯片無人采購。回顧歷史，三星曾代工過高通的
關鍵字：
三星 2nm 驍龍8 Elite Gen5
據悉，三星電子和海力士半導體（現SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護工業技術法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權準予保釋。此外，據報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
關鍵字：
DRAM 三星 海力士
各大存儲器企業正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
關鍵字：
存儲器 1c DRAM AI HBM 三星 SK海力士 美光
埃隆·馬斯克 （Elon Musk） 在 X 上宣布，特斯拉正在與三星合作，幫助生產其定制人工智能芯片。這一發展似乎令人震驚，因為臺積電占據了全球芯片代工業務近 70% 的份額。雖然三星與特斯拉的合作代表著一次重大勝利，但關于這筆交易還有一些重要的細微差別需要理解。當投資者想到半導體行業的巨頭時，主導話題的通常名稱是英偉達、AMD和博通。這些公司負責設計高性能芯片和網絡硬件，以前所未有的規模為下一代數據中心提供動力。然而，在幕后更安靜地運營的是臺積電。雖然臺積電在人工智能 （AI） 芯片競賽中不如同行那么
關鍵字：
三星 臺積電
存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協商根據市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據 EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業消息來源還表
關鍵字：
DRAM NAND 三星 AI 海力士
市場觀察人士周一表示，三星電子和SK海力士的股價在外國強勁的購買和全球科技繁榮的背景下飆升。這一表現反映了投資者情緒的更深層次轉變。信息技術 （IT） 和半導體制造商的股價正在上漲，這得益于人工智能 （AI） 的大量投資導致的強勁盈利預測。尤其是三星電子的漲勢將保持強勁，這得益于摩根士丹利的一份報告建議增持，表明未來幾個月價格將進一步上漲。這家全球投資銀行巨頭表示，三星股票是其首選，將其目標價從之前的 96,000 韓元上調至 69 韓元（86,000 美元）。該公司在最新報告中表示，IT 行業將面臨“一
關鍵字：
三星 SK海力士
據韓國媒體最新報道，三星第五代12層HBM3E產品通過了英偉達的認證測試，成功進入其供應鏈體系，這一重大突破對三星意義非凡。隨著其技術實力獲英偉達認可，這家韓國巨頭已與SK海力士、美光形成三足鼎立之勢，未來HBM市場的技術競爭料將更趨白熱化。三星作為全球頭部的三大主要DRAM制造商之一，過去一直是全球最大的DRAM廠商，但是卻由于在HBM競爭中落后SK海力士，使得其被成功反超。本次三星通過英偉達的認證花費了約18個月，去年2月三星向英偉達提供首批12層HBM3E芯片樣品測試，期間曾多次嘗試達到英偉達嚴苛的
關鍵字：
三星 存儲 HBM3E 英偉達 SK海力士 美光
南韓科技巨擘三星電子在高帶寬記憶體（HBM）競爭賽道上落后于主要競爭對手SK海力士以及美光。 但據韓媒報道，如今總算有好消息傳出！ 三星第5代12層高帶寬內存HBM3E產品終于通過英偉達質量驗證測試。 此一進展不僅象征三星在HBM技術上的突破，也可能改寫其在高端存儲器市場的競爭格局。據韓媒《Business Korea》與《韓國經濟日報》（The Korea Economic Daily）報導，三星從完成HBM3E 12層芯片的開發，歷經多次英偉達性能測試失敗，到最終通過認證，整整耗時18個月，成為繼SK
關鍵字：
三星 HBM3E 英偉達
根據 The Elec 報道，援引行業消息人士稱，三星首次外包光掩模——芯片制造中至關重要的組件。報道稱，三星據說正在外包低端光掩模用于內存芯片，這表明其策略是將資源轉向 ArF 和 EUV 掩模生產。本月早些時候，三星據報道向美國光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購了用于內存生產的 i-line 和 KrF 光掩模。報道補充說，日本的 Tekscend Photomask 也在評估中，預計很快將收到訂單。報道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認為它們泄露技術的
關鍵字：
EUV 光刻機 掩膜 三星
德克薩斯州泰勒 - 州長格雷格·阿博特(Greg Abbott)周三宣布,三星將從該州獲得2.5億美元,用于泰勒的新工廠。這筆資金來自德克薩斯州半導體創新基金,該基金于2023年成立,旨在維持該州在半導體研究,設計和制造中的作用。阿博特表示,三星通過在新設施上投資超過40億美元來實現這一目標。半導體芯片用于從手機到汽車等技術。“德克薩斯州是技術和創新未來的發源地,”阿博特在周三的新聞發布會上說。“三星在德克薩斯州投資了約400億美元,正在幫助鞏固德克薩斯州作為半導體制造領先州的地位,為德克薩斯州社區帶來更
關鍵字：
三星 泰勒工廠 半導體創新基金
三星正在半導體芯片領域卷土重來。繼推出首款 3nm 智能手機芯片 Exynos 2500 后，三星獲得了重大交易。其中包括蘋果的相機傳感器合同和特斯拉的 2nm AI 芯片合同。現在，三星已經與一家以色列汽車芯片公司簽訂了另一份芯片合同。三星將為瓦倫斯制造汽車半導體芯片Valens Semiconductor 宣布已與三星電子合作開發下一代 MIPI A-PHY 標準，該標準用于各種汽車電子設備的高速連接，例如 ADAS、ADS、攝像頭、顯示器、ECU 和其他傳感器。這一開發是針對全球
關鍵字：
三星 以色列公司 汽車芯片 Valens
日前，LGES與現代汽車合資的電池工廠在美國格魯吉亞州遭美國國安與移民部門突襲查緝，導致300多名韓籍員工被拘留。這一事件引發韓國半導體業界的高度關注，尤其是三星位于德州泰勒市的半導體工廠，其簽證問題也成為焦點。據韓媒《中央日報》和《Money Today》報道，三星泰勒廠計劃于2026年正式投產，但簽證問題可能影響這一目標。美國自2025年6月起將禁止使用電子旅行授權系統（ESTA）出差，這使得韓國相關設備廠商的人員派遣面臨挑戰。三星已要求前往德州奧斯汀的出差人員若停留超過30天需申請L-1簽證，而德州
關鍵字：
三星 泰勒 簽證難題
現在，國產存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司正式注冊成立，注冊資本高達207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設計、銷售及芯片產品進出口，并涉及技術服務、貨物進出口、技術進出口等全鏈條業務，引起了業內廣泛關注。股權結構方面，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司由長江存儲科技有限責任公司與湖北長晟三期投資發展有限責任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責任公司持股比例為50.19%、認繳104億元；湖北長
關鍵字：
長江存儲 YMTC NAND 三星
據《彭博社》報道，國政府似乎正在考慮用年度許可證取代為三星和 SK 海力士的無限期晶圓廠設備出口許可的決定。這一決定將增加顯著的監管復雜性，但至少可以維持晶圓廠運營的連續性，這意味著不會擾亂全球 DRAM 和 NAND 存儲器的高波動供應。以前，三星和 SK 海力士在經過驗證的最終用戶（VEU）狀態下運營，這使他們能夠根據事先遵守美國安全和監控措施，獲得進口受限晶圓廠設備（WFE）到其中國晶圓廠的全面批準，這大大簡化了他們的運營。這些許可將于今年年底到期。作為 VEU 的替代方案，美國商務部最近向韓國官員
關鍵字：
三星 海力士 晶圓設備
媒ETNews援引業內人士報道稱，三星已確認Exynos 2600將成為全球首款采用2nm工藝的移動SoC芯片，目前該芯片完成開發并準備好進入大規模生產階段。不過，關鍵問題在于三星尚未最終決定，是否在下一代旗艦系列Galaxy S26智能手機中采用這款新型芯片，預計將在今年第四季度作出決定。根據之前的消息顯示，三星2nm初期良率低于30%，但是其正全力投入良率的改進，目標是年底將2nm良率提高到70%。而Exynos 2600芯片采用了新型散熱部件「熱傳導模塊（HPB）」，工作原理類似于散熱片，能夠有效管
關鍵字：
三星 Exynos 2600 2nm 芯片 Galaxy S26
三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經成為對中國投資最大的韓資企業之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務周刊評選為世界上發展最快的高科技品牌。
[
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473