據韓國媒體最新報道，三星第五代12層HBM3E產品通過了英偉達的認證測試，成功進入其供應鏈體系，這一重大突破對三星意義非凡。隨著其技術實力獲英偉達認可，這家韓國巨頭已與SK海力士、美光形成三足鼎立之勢，未來HBM市場的技術競爭料將更趨白熱化。

三星作為全球頭部的三大主要DRAM制造商之一，過去一直是全球最大的DRAM廠商，但是卻由于在HBM競爭中落后SK海力士，使得其被成功反超。本次三星通過英偉達的認證花費了約18個月，去年2月三星向英偉達提供首批12層HBM3E芯片樣品測試，期間曾多次嘗試達到英偉達嚴苛的性能標準，但均以失敗告終。

近年來，隨著人工智能（AI）對于訓練及推理計算資源需求的持續增長，也帶動了AI芯片對于HBM內存的需求。而HBM3E則憑借超過1TB/s的總線速度，成為英偉達、AMD、英特爾最新AI芯片（如英H200/B100/B200、MI350X）必備元件，沒有HBM3E，這些芯片的算力就無法完全釋放。

英偉達與三星在HBM領域的合作糾葛已持續數月：最初三星在打入英偉達供應鏈時遭遇阻礙，此前有報道稱三星HBM3產品存在散熱問題，而這一問題源于其DRAM技術缺陷。在HBM3產品折戟后，三星曾轉向8層HBM3E方案，但由于采用老舊的1a代第四代DRAM技術，導致性能與散熱問題并存，該方案最終未獲英偉達認可。據悉，三星此次通過大幅改進DRAM設計，并對HBM業務進行重資產投入，才實現了技術突破。報道指出，這不僅關乎HBM銷售帶來的潛在營收，更是一場必須贏下來的保衛戰。

SK海力士去年9月率先開始量產HBM3E 12層芯片，并成為了英偉達的主力供應商；隨后，美光的HBM3E在今年第一季通過英偉達認證。鑒于英偉達目前主要依賴SK海力士與美光供貨，而SK海力士、美光今年配額已全數售罄，預計三星初期獲得的HBM3E訂單規模有限。

如今據KED Global披露，三星已正式通過英偉達的12層HBM3E產品認證，這意味著該公司將與SK海力士、美光共同成為英偉達HBM供應鏈的核心供應商。對三星而言，此次供貨的意義更多在于技術認可而非短期營收。獲得英偉達的認證標志著其存儲技術重回正軌，為其低迷的存儲業務注入強心劑。

憑借此次突破，三星能在高帶寬內存的第六代產品HBM4領域開始與競爭對手同步布局。更值得關注的是，三星宣稱已借助最先進的10nm級DRAM (1c) 技術及自家4nm邏輯芯片，實現HBM4產品11Gbps的數據傳輸速率，成為行業首個達此指標的廠商。未來HBM4供應體系有望進一步擴展至AMD、博通及谷歌等科技巨頭。

SK海力士仍然是英偉達的主要HBM供應商，并表示已完成HBM4的開發，并準備進行量產，雖然提到了“超過10Gb/s”的性能，但尚未公布芯片規格、功率目標或工藝細節。相比之下，三星在節點遷移方面更為積極，其HBM4基礎芯片正在轉向4nm FinFET工藝，旨在支持更高的時鐘速度和更低的開關功耗。

HBM4預計將于明年在英偉達的下一代圖形架構Vera Rubin中首次亮相。分析師表示，如果下一輪HBM4芯片測試成功，三星將能夠在人工智能計算核心內存領域奪回市場份額。