南韓科技巨擘三星電子在高帶寬記憶體（HBM）競爭賽道上落后于主要競爭對手SK海力士以及美光。 但據韓媒報道，如今總算有好消息傳出！ 三星第5代12層高帶寬內存HBM3E產品終于通過英偉達質量驗證測試。 此一進展不僅象征三星在HBM技術上的突破，也可能改寫其在高端存儲器市場的競爭格局。

據韓媒《Business Korea》與《韓國經濟日報》（The Korea Economic Daily）報導，三星從完成HBM3E 12層芯片的開發，歷經多次英偉達性能測試失敗，到最終通過認證，整整耗時18個月，成為繼SK海力士與美光（Micron）之后，第3家獲得認證的供應商。 雖然預期初期供貨量有限，但此舉具有高度象征意義，有助于消除外界對三星技術穩定性的質疑，尤其是針對散熱問題的爭議。

一位業內高層坦言，「對三星來說，供貨英偉達與其說是為了營收，不如說是為了自尊。 獲得英偉達的認可意味著其技術重回正軌“。

目前，三星已穩定向超微（AMD）與博通（Broadcom）供應HBM3E 12層芯片，但在英偉達品質測試方面曾面臨長期挑戰。 此次通過測試，意味著三星有望在下一代HBM4競爭中與對手并駕齊驅。

報道中提及，真正的競爭戰場已經轉移到第6代高帶寬內存HBM4，并且預計將于明年在英偉達的新一代圖形架構Vera Rubin中首次亮相。 英偉達已經要求供應商將HBM4的數據傳輸速度提升到每秒10 Gbps以上，遠遠高于目前業界標準的8 Gbps。 知情人士透露，三星已經展示了11 Gbps的傳輸速度，領先于SK海力士的10 Gbps，而美光要達到英偉達的要求，則顯得較為困難。

隨著HBM逐漸取代通用型DRAM成為存儲器產業的新焦點，三星、美光與SK海力士三強之間的競爭將日益激烈。 若三星能在英偉達供應鏈中取得實質市占，將有助于推升整體業績表現。

三星計劃在本月向英偉達提供大量的HBM4樣品，期望能夠盡早獲得驗證。 今年4月，三星曾表示，正在與主要的AI芯片廠商，包括英偉達、博通與Google，洽談供應客制化第6代內存HBM4的事宜。 三星透露，最快可望于2026年上半年開始為客戶量產HBM4芯片。

《韓國經濟日報》指出，為了追趕SK海力士，三星去年與其代工競爭對手臺積電合作，共同開發HBM4。 目前三星在HBM的競賽中，落后于SK海力士，后者是英偉達HBM最先進芯片的主要供應商。