根據(jù) The Elec 報(bào)道，援引行業(yè)消息人士稱，三星首次外包光掩模——芯片制造中至關(guān)重要的組件。報(bào)道稱，三星據(jù)說正在外包低端光掩模用于內(nèi)存芯片，這表明其策略是將資源轉(zhuǎn)向 ArF 和 EUV 掩模生產(chǎn)。

本月早些時(shí)候，三星據(jù)報(bào)道向美國光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購了用于內(nèi)存生產(chǎn)的 i-line 和 KrF 光掩模。報(bào)道補(bǔ)充說，日本的 Tekscend Photomask 也在評(píng)估中，預(yù)計(jì)很快將收到訂單。

報(bào)道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認(rèn)為它們泄露技術(shù)的風(fēng)險(xiǎn)很小。然而，與外包相比，在內(nèi)部生產(chǎn)掩模仍然更便宜，正如報(bào)道所述。

報(bào)告指出，光掩模利用光將電路圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上，并根據(jù)所使用的波長進(jìn)行分類。i-line 使用 365 納米（nm）的波長進(jìn)行簡單設(shè)計(jì)；KrF 在 248 nm 處實(shí)現(xiàn)中等分辨率；ArF 在 193 nm 支持 更復(fù)雜的圖案；而極紫外光（EUV）在 13.5 nm 用于最先進(jìn)的設(shè)計(jì)。

值得注意的是，芯片制造商所需的光掩模數(shù)量正在增加。雖然 DRAM 最初只需要 30 到 40 個(gè)掩模，但正如報(bào)告指出的那樣，先進(jìn) DRAM 現(xiàn)在使用的掩模數(shù)量超過 60 個(gè)，這得益于多重圖案等技術(shù)。

報(bào)告援引消息人士的話稱，韓國的光掩模市場去年價(jià)值約 7000 億韓元的中期水平。國內(nèi)光掩模制造商的工廠產(chǎn)能超過 90%，訂單已滿。因此，報(bào)告建議三星外包光掩模生產(chǎn)可能會(huì)使競爭對(duì)手的晶圓廠更難獲得供應(yīng)。

三星推動(dòng)邏輯芯片的光掩模研發(fā)

三星公司也在推進(jìn)光掩模技術(shù)的研究與開發(fā)。據(jù)《Sisa Journal》報(bào)道，該公司正在加速在邏輯半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用相移掩模（PSM）。PSM 通過調(diào)整曝光過程中的光線相位來提高晶圓電路圖案的精度。據(jù)報(bào)道，三星正在開發(fā)將 PSM 應(yīng)用于 EUV 光刻工藝的方法。正如報(bào)道所示，隨著光刻技術(shù)現(xiàn)在達(dá)到 3 納米及以下，采用帶有相移層的 PSM 變得日益重要。