- 隨著北京向半導體自力更生邁進，高端芯片制造工具不可或缺，但由 ASML 控制的光刻技術帶來了最大的挑戰，其用于 5 納米以下芯片的 EUV 機器禁止出口。值得注意的是，ASML 2025 年第三季度銷售額的 42% 來自中國，這凸顯了該國對這家荷蘭巨頭不太先進的 DUV 工具的依賴。盡管如此，在 SiCarrier 和 AMIES 等公司的推動下，進展仍在進行中，AMIES 是上海微電子設備 （SMEE） 的分拆公司。以下是中國最新進展和該國主要技術障礙的快照。SiCarrier 的光刻雄心面臨
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- 根據 The Elec 報道，援引行業消息人士稱，三星首次外包光掩模——芯片制造中至關重要的組件。報道稱，三星據說正在外包低端光掩模用于內存芯片，這表明其策略是將資源轉向 ArF 和 EUV 掩模生產。本月早些時候，三星據報道向美國光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購了用于內存生產的 i-line 和 KrF 光掩模。報道補充說，日本的 Tekscend Photomask 也在評估中，預計很快將收到訂單。報道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認為它們泄露技術的
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- 隨著中國通過增加國內 AI 芯片來對抗 NVIDIA 推動半導體獨立，據報道，中國正朝著自力更生邁出另一大步，因為 SMIC 據報正在測試由本地初創公司 Yuliangsheng 開發的深紫外（DUV）光刻機。SiCarrier 通常以中國標志性的山命名其設備，包括用于蝕刻機的武夷和用于外延產品的峨眉，TechPowerUp 報道。有趣的是，金融時報披露，這次最新的 EUV 計劃，據熟悉情況的人士稱，擁有雄心勃勃的內部代號“珠穆朗瑪峰”。消息人士稱，SMIC 正在測試的機器使用與 ASML 系統類似的全浸
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- ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現 8 納米分辨率——而當前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術挑戰。鑒于 High-NA EUV 機器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進下一
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- 8 月 21 日， 尼康宣布計劃于 9 月 30 日關閉其橫濱工廠。據日經報道，截至 7 月底，該設施雇傭了約 350 人。這些員工將留在公司，隨著工廠的運營轉移到東京品川的尼康總部以及神奈川縣的其他地點，他們將搬遷到接收站點。據日經新聞補充，橫濱工廠一直從事生物顯微鏡、工業設備和平板顯示器（FPD）光刻設備的開發與制造。公司表示，該工廠的關閉已經計入其截至2026年3財年的合并業績預測中，并指出總體影響將有限。據報告稱，尼康公司旨在通過整合設施來削減成本。尼康光刻業務：歷史作用與當前衰退該工廠
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- 8月13日，我國首臺自主研發的商用電子束光刻機“羲之”在浙江余杭正式揭幕。根據杭州政府網站的報道，這臺機器是浙江大學技術轉化基地簽署的第一個項目之一。它已經在客戶現場進行了測試，精度與主流國際設備相當。這一里程碑標志著量子芯片研發現在有了自己的“中國刻刀。”研發團隊的一名成員解釋說，西馳專注于量子芯片和下一代半導體研究的核心階段。它使用高能電子束在硅基板上“手繪”電路，實現0.6納米的精度和8納米的線寬。其設計可以靈活修改，無需掩模，就像用納米級的畫筆直接在芯片上繪畫一樣——特別適合芯片開發早期階段所需的
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- （圖片來源：ASML）美國總統和歐洲委員會主席本周早些時候簽署的貿易協議對幾乎所有在歐洲制造并運往美國的商品征收 15%的關稅，但有幾類產品將免稅，包括半導體生產設備，這些設備將享受零關稅。因此，像 ASML 這樣的公司生產的工具在美國不會變得更貴。歐洲委員會的一份聲明稱：“我們還就一些戰略產品達成了零關稅的協議。” 聲明中寫道。“這包括所有飛機及其零部件、某些化學品、某些通用藥品、半導體設備、某些農產品、自然資源和關鍵原材料。我們將繼續努力將更多產品添加到這個清單中。”如果美國對 ASML 生
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- 根據路透社報道，ASML 今日發布了其 2025 年第二季度的財務業績。雖然第二季度訂單量超出了市場預期，但該公司警告稱，2026 年的增長可能將達不到預期。如其 新聞稿所述，ASML 指出，雖然人工智能客戶的基本面在進入 2026 年時保持強勁，但宏觀經濟和地緣政治因素的上升不確定性使得目前難以確認 2026 年的增長。如果這種情況發生，2026年將成為自2012年以來首次沒有收入增長的一年——路透社指出，打破了不間斷增長的記錄。同時，ASML 表示，現在預計 2025 年全年凈銷售
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- 根據韓國媒體 outlet ETNews 的報道，美國和日本正積極通過政府主導的舉措將極紫外(EUV)光刻機引入公共研究機構。相比之下，韓國政府在這一領域的推動工作落后于美國和日本，報道暗示。美國 – 國家半導體技術中心加速 EUV 技術采用報告援引行業消息人士稱，美國國家半導體技術中心（NSTC）已在紐約的阿爾巴尼納米技術園區完成了 EUV 光刻設備的安裝，并計劃從 2025 年 7 月開始為企業提供服務。報告還指出，據稱 NSTC 計劃在 2026 年推出高 NA EUV 設備——
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- 據外媒報道，ASML正與蔡司（Carl Zeiss）合作，啟動研發分辨率可達5納米的Hyper NA光刻機設備。ASML技術執行副總裁Jos Benschop表示，這種新型光刻機將滿足2035年及之后的芯片制造需求。目前，ASML剛剛開始出貨最先進的光刻機，其單次曝光分辨率可達8納米，相比舊款設備需要多次曝光才能實現類似效果。Benschop還提到，ASML正與蔡司進行設計研究，目標是開發數值孔徑（NA）達到0.7或更高的系統。數值孔徑是衡量光學系統聚焦能力的重要指標，直接影響光刻分辨率。NA越高，光波長
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- 據荷蘭媒體報道，ASML計劃在2028年前將其員工遷入位于荷蘭埃因霍溫附近的全新Brainport產業園區。這一消息是在ASML與埃因霍溫市政府官員共同介紹城市發展計劃初步草案時透露的。這一擴張計劃引發了全球晶圓制造行業的廣泛關注。據Tom's Hardware報道，臺積電、英特爾和三星電子等半導體巨頭或將從中受益。ASML的擴張如果能按計劃推進，將有助于滿足全球對極紫外光（EUV）光刻設備的迫切需求，從而加速先進制程的開發與應用。Brainport產業園區的擴張計劃大約在一年前首次公開。據荷蘭消
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- 快科技4月3日消息，據NRC報道，一名43歲的俄羅斯工程師German A.，被指控從ASML阿斯麥、GlobalFoundries格芯、NXP恩智浦、TSMC臺積電竊取機密技術信息，從而幫助俄羅斯建立了自己的28nm晶圓廠。根據指控，他偷竊了ASML 105份內部文件、臺積電88份內部文件，涉及半導體生產、各種芯片制造設備的信息。文件中并沒有設計和建造晶圓廠的完整藍圖，后者更高級的技術，但仍被視為機密，足以支撐建立完整的28nm級工藝生產線，軍用等領域足夠了。調查稱，German A.通過網盤、社交應用
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- 3月25日消息，據俄羅斯衛星通訊社報道，莫斯科市長謝爾蓋·索比亞寧近日在其 “電報” 頻道的賬號上發文稱，莫斯科“澤列諾格勒納米技術中心”公司已完成了俄羅斯首臺350nm光刻機的研發工作，這是生產微芯片的關鍵設備。在俄烏沖突爆發后，美西方對俄羅斯實施了更為嚴厲的出口管制措施，其中半導體芯片及光刻機等半導體設備成為了限制的重點，這也迫使俄羅斯開始研發自主設計的國產光刻機。2023年，俄羅斯聯邦工業和貿易部副部長瓦西里·什帕克（Vasily Shpak）在接受媒體采訪時就曾表示，2024年俄羅斯將開始生產35
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- 3月7日消息，ASML公開表示，會繼續在中國市場提供維修服務。之前ASML表示在北京新建維修中心，而他們也是調整了這個說法。“我們不是要在2025年新建一個北京本地維修中心，而是今年會在原有基礎上進行升級、擴建。”之前曾有消息稱，在ASML某些在中國提供服務和備件的許可證于去年年底到期后，現在的荷蘭首相很可能不再為其續期，而相關決定是在美國施加一定壓力后做出的。目前的情況是，ASML的銷售額中，約有一半來自中國（最新的財報顯示，中國大陸2024年為ASML貢獻了101.95億歐元收入，約合人民幣797.7
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- 2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是當今世界上最先進的EUV極紫外光刻機，支持High-NA也就是高孔徑，Intel去年搶先拿下了第一臺，目前已經在俄勒岡州Fab D1晶圓廠安裝部署了兩臺，正在緊張地研究測試中。Intel資深首席工程師Steve Carson透露，迄今為止，兩臺EUV光刻機已經生產了3萬塊晶圓，當然不算很多，但別忘了這只是測試和研究使用的，并非商用量產，足以證明Intel對于新光刻機是多么的重視。Steve Carson還強調，完成同樣的工作，新款光刻機
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光刻機介紹
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我公司擁有國外半導體設備,包括臺灣3S公司生產的光刻機,涂膠臺,
金絲球焊機,電子束蒸發臺。
濺射臺及探針臺等各種設備,世界知名劃片機企業英國Loadpoint公司生產的6英寸--12英寸
精密劃片機，300毫米清洗機,。
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