光刻機 文章 最新資訊
有多貴？ASML新EUV光刻機單臺硬件造價2500億：可買三臺頂級航母
- 都知道光刻機單臺成本非常的貴，但是你知道有多貴嗎？一臺數(shù)億美元的光刻機讓我們看到了一款硬件設(shè)備的價格極限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒體采訪時透露，他們正在全力研制劃時代的新光刻機high-NA EUV設(shè)備，而高NA EUV光刻機系統(tǒng)的單臺造價將在300億到350億歐元之間，約合人民幣2195到2561億元。這個價格什么概念，一搜頂級航母的價格差不多在100億美元左右，而這臺硬件設(shè)備可以買三艘頂級航母，而ASML目前在售的雙工件臺EUV光刻機不過數(shù)億美元，作為下一代產(chǎn)品身價
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ASML參展第五屆進博會 以開放與專注助力行業(yè)合作共贏
- （中國上海，2022年11月4日）—— 今年，半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先供應(yīng)商ASML將以“光刻未來，攜手同行”為主題繼續(xù)亮相第五屆中國國際進口博覽會（以下簡稱“進博會”）技術(shù)裝備展區(qū)4.1展館A0-01展臺。屆時，ASML將首次通過“元宇宙”平臺，帶來沉浸式的光刻體驗，彰顯前沿科技，推動行業(yè)發(fā)展。 “今年是ASML第四次參展進博會，我們希望借助進博會的平臺不斷地展現(xiàn)開放共贏、合作發(fā)展的理念。”ASML全球高級副總裁、中國區(qū)總裁沈波表示，“ASML一直秉持開放與專注，以‘開放式創(chuàng)新’和對光刻技術(shù)的專注，持
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芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。 1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。 一個值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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摩爾定律不死 臺積電已在謀劃1nm工藝：下代EUV光刻機是關(guān)鍵
- 在先進工藝上，臺積電今年底量產(chǎn)3nm工藝，2025年則是量產(chǎn)2nm工藝，這一代會開始使用GAA晶體管，放棄現(xiàn)在的FinFET晶體管技術(shù)。 再往后呢？2nm之后是1.4nm工藝，Intel、臺積電及三星這三大芯片廠商也在沖刺，其中三星首個宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝，臺積電沒說時間點，預(yù)計也是在2027年左右。 1.4nm之后就是1nm工藝了，這個節(jié)點曾經(jīng)被認為是摩爾定律的物理極限，是無法實現(xiàn)的，但是現(xiàn)在芯片廠商也已經(jīng)在攻關(guān)中。 臺積電已經(jīng)啟動了先導(dǎo)計劃，傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下
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2028年自研7nm光刻機！俄羅斯真有這個能耐？
- 2028年實現(xiàn)光刻機自研，可支持7nm芯片制造！俄羅斯真有這個能耐？在芯片規(guī)則不斷的升級之下，各個國家不再相信基于美技術(shù)體系的國際產(chǎn)業(yè)鏈，而中、俄是產(chǎn)業(yè)被限制最嚴(yán)重的國家，因此在技術(shù)的自研上反應(yīng)也是最強烈的，在中企相繼傳出好消息之后，俄科學(xué)院也官宣了好消息。根據(jù)海外傳來的消息，俄科學(xué)院IPF RAS已經(jīng)全力參與光刻設(shè)備的研發(fā)，后續(xù)將會有整套的半導(dǎo)體設(shè)備誕生，并且其還高調(diào)宣稱：“自研的光刻機將在2028年商用，并且可用于7nm左右的芯片量產(chǎn)！”這就讓人納悶了，目前俄國依靠自主化的產(chǎn)業(yè)鏈，就連90nm工藝都無
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ASML：有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機
- 近期，全球半導(dǎo)體龍頭設(shè)備企業(yè)阿斯麥（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度財報，阿斯麥方面，最新一季度銷售額和利潤均超出市場預(yù)期，其新的凈預(yù)訂額也創(chuàng)下了紀(jì)錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示，ASML有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機；泛林方面，當(dāng)季公司營收創(chuàng)下歷史新高，官方表示，2023年晶圓廠設(shè)備支出將下滑。ASML：有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機10月19日，光刻機大廠阿斯麥公布了2022年第三季度財報。數(shù)據(jù)顯示，ASML第三季度凈營收同比增長10%至58億歐元，超出此前業(yè)界預(yù)
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精度遠超EVU！美企造出全球分辨率最高的光刻機
- 芯研所9月26日消息，近日美國開發(fā)和商業(yè)化原子精密制造技術(shù)公司Zyvex Labs宣布，其推出了全球分辨率最高的光刻系統(tǒng)——ZyvexLitho1TM。它沒有采用EUV光刻技術(shù)，而是基于STM掃描隧道顯微鏡，使用的是電子束光刻（EBL）方式。實現(xiàn)了0.768nm的原子級精密圖案和亞納米級分辨率芯片的制造，遠超EVU光刻機的精度。目前，5nm級及以下的尖端半導(dǎo)體制程必須采用EUV光刻機，而精度更高的2nm制程所使用的ASML新一代0.55 NA EUV光刻機，售價或?qū)⒏哌_4億美元。但想要實現(xiàn)1nm以下更先進
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被美國給打醒！俄羅斯想造光刻機，全新的技術(shù)，對標(biāo)了ASML的EUV
- 被美國給打醒！俄羅斯想造光刻機，全新的技術(shù)，對標(biāo)了ASML的EUV誰都知道，俄羅斯已經(jīng)被美國全面打壓了。俄羅斯的晶片需求量并不大，每年的進口量，也就是一億美元左右，大部分的晶圓廠，都不會和美國競爭。但俄羅斯的一億美金，在俄羅斯來說，就是一個天文數(shù)字。俄羅斯將會做什么？前段時間，有消息說俄羅斯準(zhǔn)備重新做一臺光刻機。他的目標(biāo)很明確，就是要用ASML的最新光刻機，去挑戰(zhàn)目前最尖端的EUV（UV）。當(dāng)然，ASML也不可能戰(zhàn)勝ASML，因為ASML的EUV光刻機，都是全世界的人幫忙做的，俄羅斯這邊，根本就沒有人去做
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瞄準(zhǔn) 3D 結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體制造封裝需求，尼康力圖實現(xiàn)光刻機出貨量倍增
- 集微網(wǎng)消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，尼康公司日前提出半導(dǎo)體光刻設(shè)備新的業(yè)務(wù)發(fā)展目標(biāo)，即到 2026 年 3 月為止的財年，將光刻機年出貨量較目前的三年平均水平提高一倍以上。報道稱，尼康將積極開拓除英特爾以外的其他客戶，特別是日本本土和中國地區(qū)客戶，計劃將英特爾在光刻機設(shè)備營收中所占比重從 80% 降低到 50%。尼康還將推出適應(yīng) 3D 堆疊結(jié)構(gòu)器件如存儲半導(dǎo)體、圖像傳感器制造需求的光刻機新產(chǎn)品，已提高其在成熟制程設(shè)備市場的競爭力，目前，該公司平均每年售出 16 臺 ArF 光刻機（含二手翻新）。
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俄羅斯7萬名IT專家出走！芯片儲備告警，俄羅斯自主研發(fā)光刻機
- 在俄羅斯開始對烏克蘭的特別軍事行動之后，西方國家開始對俄羅斯施加各種各樣的制裁。俄羅斯當(dāng)前面臨嚴(yán)峻的商業(yè)環(huán)境和政治環(huán)境，許多信息產(chǎn)業(yè)的科技人才紛紛出走，尋找更加安全且有保障的就業(yè)環(huán)境。根據(jù)美媒1日的報道，烏克蘭戰(zhàn)爭爆發(fā)以來已經(jīng)多7萬多名IT技術(shù)專家從俄羅斯離開，一些國家向俄羅斯的專業(yè)技術(shù)人才招手，充實自己的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。俄羅斯大量信息技術(shù)人才流失的情況已經(jīng)得到俄羅斯電子通訊協(xié)會方面的承認，該協(xié)會上周向俄羅斯杜馬委員會遞交的報告之中指出，當(dāng)前俄羅斯已經(jīng)流失了5萬到7萬人的科技人才。盡管當(dāng)前俄羅斯的人才
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顯卡、內(nèi)存全在跌 ASML的EUV光刻機賣不動：一下少了15臺
- 全球半導(dǎo)體市場從產(chǎn)能緊張已經(jīng)轉(zhuǎn)向過剩，部分領(lǐng)域跌價跌得厲害，比如顯卡、內(nèi)存及SSD等，這一波芯片價格下滑也會影響廠商的生產(chǎn)計劃，結(jié)果就是ASML一度供不應(yīng)求的EUV光刻機賣不動了，今年出貨量減少15臺。ASML昨天發(fā)布了2022年Q2季度財報，當(dāng)季凈銷售額為54.31億歐元，好于市場預(yù)期的52.6億歐元，上年同期為40.20億歐元，同比增長35%。凈利潤為14.11億歐元，上年同期為10.38億歐元，同比增長36%。雖然業(yè)績大漲，但是ASML對全年的預(yù)期更加悲觀，從之前預(yù)期增長20%下調(diào)到了增長10%，其
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卡脖子也沒用 國內(nèi)廠商芯片新技術(shù)繞過EUV光刻機
- 毫無疑問，如今國內(nèi)芯片廠商面前最大的障礙就是EUV光刻機，不過EUV光刻機是研制先進芯片的一條路徑，但并非唯一解。 對于國內(nèi)廠商來說，當(dāng)前在3D NAND閃存的發(fā)展上，就因為不需要EUV機器，從而找到了技術(shù)追趕的機會。而在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來自浙江海寧的芯盟則開辟出繞過EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術(shù)的3D 4F2 DRAM架構(gòu)問世。他指出，基于HITOC技術(shù)所開發(fā)的全新架構(gòu)3D 4F2 DRA
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臺積電高管：將在2024年引入阿斯麥最新極紫外光刻機
- 6月17日消息，據(jù)外媒報道，臺積電高管周四表示，該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥的最新一代光刻機。 臺積電研發(fā)高級副總裁米玉杰在硅谷舉行的技術(shù)研討會上表示，“展望未來，臺積電將在2024年引入高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機，為的是開發(fā)客戶所需相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和模式解決方案，進一步推動創(chuàng)新。” 米玉杰并未透露新一代光刻機引入后何時用于大規(guī)模生產(chǎn)芯片。阿斯麥推出的第二代極紫外線光刻機能用于制造尺寸更小、處理速度更快的芯片。臺積電競爭對手英特爾公司此前表示，將在2025年之前開始使用新一代光刻機生產(chǎn)芯片，并
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佳能新發(fā)售KrF半導(dǎo)體光刻機“FPA-6300ES6a”Grade10升級包
- 佳能將于2022年8月初發(fā)售KrF ※1半導(dǎo)體光刻機“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產(chǎn)能升級配件包（以下簡稱“Grade10”升級包）。KrF半導(dǎo)體光刻機“FPA-6300ES6a” 自發(fā)售至今，已經(jīng)在生產(chǎn)存儲器和邏輯電路的大型半導(dǎo)體器件制造廠商中收獲良好口碑，此次發(fā)布的“Grade10”升級包將助力該設(shè)備在300mm晶圓規(guī)格基礎(chǔ)上，以每小時高達300片※2晶圓的加工能力實現(xiàn)半導(dǎo)體光刻行業(yè)內(nèi)的更高水平※3。
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ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進展：目標(biāo) 2024-2025 年進廠
- 5 月 29 日消息，半導(dǎo)體行業(yè)花了十多年的時間來準(zhǔn)備極紫外線 (EUV) 光刻技術(shù)，而新的高數(shù)值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術(shù)將會比這更快。目前，最先進的芯片是 4/5 納米級工藝，下半年三星和臺積電還能量產(chǎn) 3nm 技術(shù)，而對于使用 ASML EUV 光刻技術(shù)的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統(tǒng)來說，它們大都具有 0.33 NA（數(shù)值孔徑）的光學(xué)器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來看，這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節(jié)點 (36 nm ~ 38 nm)
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光刻機介紹
國外半導(dǎo)體設(shè)備
我公司擁有國外半導(dǎo)體設(shè)備,包括臺灣3S公司生產(chǎn)的光刻機,涂膠臺,
金絲球焊機,電子束蒸發(fā)臺。
濺射臺及探針臺等各種設(shè)備,世界知名劃片機企業(yè)英國Loadpoint公司生產(chǎn)的6英寸--12英寸
精密劃片機，300毫米清洗機,。
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網(wǎng)址:http://www.loadpoint.com.cn
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