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國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備加速崛起
- 據(jù)《日經(jīng)亞洲》報道，日本研究機構(gòu)Global Net數(shù)據(jù)顯示，2025年全球芯片設(shè)備廠商前20強中有3家中國企業(yè)，較2022年美國出口限制前新增2家。這三家公司分別是北方華創(chuàng)、中微公司和上海微電子。值得注意的是，若將范圍擴大至排名前30名的企業(yè)，還將新增兩家中國企業(yè)：盛美上海和華海清科。北方華創(chuàng)、中微、上海微、盛美上海、華海清科上榜TOP30這一變化既展現(xiàn)了國產(chǎn)設(shè)備凸顯群體崛起態(tài)勢，也印證了美國出口管制未達遏制目的，反而倒逼中國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈自主化加速，激發(fā)了本土產(chǎn)業(yè)韌性。北方華創(chuàng)具體排名中，北方華創(chuàng)的排名
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ASML計劃裁員4%，簡化技術(shù)部門內(nèi)的決策流程
- 全球最大的先進芯片荷蘭制造商ASML在公布其銷售額連續(xù)第十三年實現(xiàn)增長后，CEO克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在聲明中表示，計劃裁減約1700個工作崗位，作為其技術(shù)和IT運營重組的一部分。此次裁員人員主要涉及管理層，人數(shù)約占員工總數(shù)的4%，大部分裁員將在荷蘭進行，美國也有部分職位被裁減。ASML表示，一些領(lǐng)導(dǎo)職位可能不再需要，同時將創(chuàng)建新的工程職位以支持正在進行和未來的項目?！半m然這將使一些受影響的同事能夠轉(zhuǎn)移到新的崗位，但我們必須承認，有些人將因此離開阿斯麥公司”。此舉旨在加強
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三星首次引入紫外層薄膜是在美國泰勒工廠
- 三星電子將首次在美國泰勒晶圓廠推出“極紫外（EUV）薄膜”，這是一種提升先進半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)力的關(guān)鍵組件。此前尚不清楚是否會引入，但通過訂購關(guān)鍵設(shè)備幾乎確認了申請。根據(jù)22日的行業(yè)報道，三星電子已在美國德克薩斯州泰勒工廠訂購極紫外涂層設(shè)備。FST將收到價值250億韓元的極紫外膜剝離與附著設(shè)備及檢驗設(shè)備訂單。極紫外膜是安裝在光罩上的超薄保護元件，用于曝光過程。半導(dǎo)體將光體現(xiàn)在帶有預(yù)先繪制電路的光罩上，并被嵌入晶圓上。通過施加極紫外膜，可以防止細顆粒和污染物粘附光罩表面，從而減輕產(chǎn)率劣化。為了在暴露設(shè)備中使用極
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中國EUV技術(shù)實現(xiàn)突破，半導(dǎo)體競賽格局生變
- 隨著計算技術(shù)的進步，越來越多的先進芯片應(yīng)運而生。最新一代 3 納米和 2 納米制程芯片的尺寸極小，傳統(tǒng)光源波長已無法在如此精細的尺度上實現(xiàn)可靠的圖形光刻。這一挑戰(zhàn)并非新題 —— 半導(dǎo)體行業(yè)長期以來一直使用深紫外光刻（DUV）技術(shù)在硅片上進行光刻加工。但要實現(xiàn)最先進芯片設(shè)計的納米級精度，就需要波長更短的光源。這種光源及對應(yīng)的光刻技術(shù)被稱為極紫外光刻（EUV）。中國 EUV 原型機提前問世圖注：更短、更精準、更纖薄：技術(shù)的巨大飛躍，蔡司（ZEISS）數(shù)據(jù)顯示，EUV 技術(shù)制造的結(jié)構(gòu)精度達 13.5 納米，比人
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據(jù)報道，中國利用較舊的ASML組件制造EUV原型機，Eyes 2028芯片制造
- 中國朝向國產(chǎn)紫外真空光刻能力的漫長進程似乎正在縮小，近期發(fā)展顯示進展速度超乎預(yù)期。據(jù)路透社報道，消息人士稱中國已組裝了一臺使用舊ASML系統(tǒng)組件的EUV原型機。正如報道所示，消息人士稱中國政府目標是在2028年前生產(chǎn)使用該原型機的實用芯片，盡管2030年被視為更現(xiàn)實的目標。原型機的存在表明，中國距離半導(dǎo)體自給自足可能比此前預(yù)期的更近數(shù)年。報道援引消息人士稱，原型機于2025年初完成，目前正在進行測試。報告補充說，雖然該機器已運行并具備極紫外光的能力，但尚未生產(chǎn)出可工作的芯片。據(jù)報道，前ASML工程師參與了
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ASML CEO警告：過度封鎖或加速中國技術(shù)自主
- 全球光刻機巨頭阿斯麥（ASML）首席執(zhí)行官克里克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在專訪時，談到了被禁止向中國出口所有EUV設(shè)備及最先進的深紫外（DUV）光刻設(shè)備，就當前西方對華光刻機出口限制政策，拋出了一番充滿矛盾的“技術(shù)制衡論”，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。眼下，阿斯麥正面臨嚴苛的出口管制約束：被禁止向中國出口所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備，以及技術(shù)最先進的深紫外（DUV）光刻設(shè)備。他重申其觀點，認為“應(yīng)向中國適度輸出技術(shù)以防其自主研發(fā)形成競爭力”；同時，在他看來在對華技術(shù)出口限制問題上，西方
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使用電子噪聲和抗蝕劑模糊模型預(yù)測隨機EUV缺陷密度
- 近年來，首次直接解決了EUV光刻中二次電子噪聲的統(tǒng)計及其對缺陷概率的影響[1]。在本文中，我們將考慮一些更新的 EUV 抗蝕劑模糊模型，包括化學(xué)放大 （CAR） 和金屬氧化物 （MOR） 類型。首先，讓我們回顧一下推導(dǎo) EUV 隨機缺陷概率的過程，同時考慮二次電子噪聲。光子吸收的特征是經(jīng)典的分裂或變薄泊松分布[2]。假設(shè)每個吸收的EUV光子釋放的電子數(shù)遵循整數(shù)的均勻分布作為概率質(zhì)量函數(shù)[1]。當考慮電子散射時，由此產(chǎn)生的有效“模糊”將嘈雜的光子吸收曲線替換為以模糊比例參數(shù)為特征的平滑曲線。然而，這只會更新
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4億美元太貴！臺積電仍拒絕購買ASML的High-NA EUV設(shè)備
- 目前，生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體必不可少的EUV（極紫外）光刻設(shè)備由荷蘭ASML獨家供應(yīng)，而臺積電2nm工藝就是利用現(xiàn)有的EUV設(shè)備實現(xiàn)晶圓的大規(guī)模量產(chǎn)，并保持較高的良率。但隨著推進到更先進的次2nm節(jié)點 —— 即1.4nm與1nm（分別代號A14與A10）—— 制造工藝將面臨更多技術(shù)瓶頸。理論上，這些問題可以通過采購ASML的最先進High-NA EUV設(shè)備來解決，但最新消息稱臺積電選擇的方向并非購買新設(shè)備，而是轉(zhuǎn)向使用光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。什么是High-NA光刻機？從早期的深紫外
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ASML警告中國銷量下降或加劇26年增長擔憂
- 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備巨頭、芯片制造光刻機的主要供應(yīng)商 ASML Holding NV 于 2025 年 10 月 15 日發(fā)布了 2025 年第三季度財報。結(jié)果顯示，在人工智能需求的推動下，訂單量強勁，但也對 2026 年對中國的銷售額將大幅下降發(fā)出了嚴厲警告。雖然該公司試圖向投資者保證整體增長將保持穩(wěn)定，但這一消息凸顯了芯片行業(yè)不斷升級的地緣政治緊張局勢。以下是主要亮點的細分。財務(wù)業(yè)績ASML 公布了穩(wěn)健的第三季度業(yè)績，盡管凈利潤持平，但預(yù)訂量超出預(yù)期：凈銷售額：77 億歐元，同比增長 8%，但略低于分析師預(yù)
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三星購買了兩款A(yù)SML高數(shù)值孔值EUV工具
- 據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報道，據(jù)報道，三星將于今年晚些時候收到其首款高數(shù)值孔徑 （high-NA） EUV 掃描儀——Twinscan EXE：5200B，隨后將于 2026 年上半年推出第二臺掃描儀。報告補充說，雖然該公司已經(jīng)在其華城市園區(qū)運營了一種研究用途的高 NA EUV 工具，但新系統(tǒng)將標志著其首次旨在大規(guī)模生產(chǎn)的收購。報告指出，競爭對手臺積電目前正在測試該系統(tǒng)的研發(fā)版本，但尚未將其部署用于商業(yè)規(guī)模制造。報道援引消息人士的話稱，SK海力士在9月份證實已經(jīng)訂購了生產(chǎn)級高NA EUV系統(tǒng)。據(jù)報道援引消息人士
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ASML警告明年來自中國的需求可能大幅下滑
- 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML第三季訂單表現(xiàn)優(yōu)于分析師預(yù)期，并表示明年銷售額將至少與2025年持平，主要受惠于全球企業(yè)大規(guī)模投資AI領(lǐng)域、對芯片制造設(shè)備的需求。同時，ASML也警告說，明年來自中國的需求可能大幅下滑。ASML發(fā)布了2025年第三季度財報，財報顯示第三季度實現(xiàn)凈銷售額75億歐元，凈利潤21億歐元，毛利率為51.6%，整體表現(xiàn)符合此前預(yù)期。更值得關(guān)注的是，本季度新增訂單金額達到54億歐元，其中EUV（極紫外光刻）訂單高達36億歐元，占比超過三分之二，充分反映出全球半導(dǎo)體制造商對先進制程光刻設(shè)備的
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臺積電加速自研EUV光罩保護膜，單片晶圓生產(chǎn)效率提升了4.5倍
- 據(jù)Tom's hardware報道，臺積電（TSMC）作為全球最大的先進制程晶圓代工廠，不僅擁有著全球最先進的制程工藝，也擁有著數(shù)量最多的ASML極紫外光（EUV）光刻機。2019年首次于華為麒麟9000處理器導(dǎo)入EUV后，臺積電持續(xù)控制著全球超過42%~56%的EUV光刻機裝機量，經(jīng)過多年的積累，臺積電目前已經(jīng)累積了約200多臺EUV光刻機，在2024~2025年還新增了60多臺，以支撐先進制程擴產(chǎn)需要。自2019年以來，臺積電通過自身的系統(tǒng)級優(yōu)化及自研EUV光罩保護膜（Pellicle，保護光
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三星據(jù)報道首次外包光掩模，著眼于新的 EUV 光掩模技術(shù)
- 根據(jù) The Elec 報道，援引行業(yè)消息人士稱，三星首次外包光掩模——芯片制造中至關(guān)重要的組件。報道稱，三星據(jù)說正在外包低端光掩模用于內(nèi)存芯片，這表明其策略是將資源轉(zhuǎn)向 ArF 和 EUV 掩模生產(chǎn)。本月早些時候，三星據(jù)報道向美國光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購了用于內(nèi)存生產(chǎn)的 i-line 和 KrF 光掩模。報道補充說，日本的 Tekscend Photomask 也在評估中，預(yù)計很快將收到訂單。報道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認為它們泄露技術(shù)的
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臺積電重新利用舊晶圓廠，將 EUV 薄膜生產(chǎn)引入內(nèi)部
- 臺積電正在重新利用其位于新竹科學(xué)園的舊的、已折舊的 8 英寸 Fab 3 來生產(chǎn)極紫外薄膜，并將這種生產(chǎn)引入內(nèi)部。EUV 薄膜是一種薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止顆粒在 EUV 暴露期間接觸掩模。它旨在承受強烈的 EUV 輻射和熱應(yīng)力，同時最大限度地減少光吸收和波前失真。生產(chǎn)薄膜是一種縮短更換周期的方法，并對組件施加更多控制，在 EUV 環(huán)境中，該組件必須保護光掩模免受顆粒影響，同時應(yīng)對極端暴露條件。與舊的 DUV 工藝不同，EUV 系統(tǒng)使用 400 W 光源和局部加熱運行，掩模溫度接近 1
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ASML 和 SK hynix 在韓國的工廠組裝了業(yè)界首個“商用”High NA EUV 系統(tǒng)
- ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現(xiàn) 8 納米分辨率——而當前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)。鑒于 High-NA EUV 機器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進下一
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