使用電子噪聲和抗蝕劑模糊模型預(yù)測隨機(jī)EUV缺陷密度

• 近年來，首次直接解決了EUV光刻中二次電子噪聲的統(tǒng)計(jì)及其對缺陷概率的影響[1]。在本文中，我們將考慮一些更新的 EUV 抗蝕劑模糊模型，包括化學(xué)放大 （CAR） 和金屬氧化物 （MOR） 類型。首先，讓我們回顧一下推導(dǎo) EUV 隨機(jī)缺陷概率的過程，同時(shí)考慮二次電子噪聲。光子吸收的特征是經(jīng)典的分裂或變薄泊松分布[2]。假設(shè)每個(gè)吸收的EUV光子釋放的電子數(shù)遵循整數(shù)的均勻分布作為概率質(zhì)量函數(shù)[1]。當(dāng)考慮電子散射時(shí)，由此產(chǎn)生的有效“模糊”將嘈雜的光子吸收曲線替換為以模糊比例參數(shù)為特征的平滑曲線。然而，這只會更新
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