臺(tái)積電正在重新利用其位于新竹科學(xué)園的舊的、已折舊的 8 英寸 Fab 3 來(lái)生產(chǎn)極紫外薄膜，并將這種生產(chǎn)引入內(nèi)部。EUV 薄膜是一種薄而高度透明的薄膜，拉伸在光掩模上方，以防止顆粒在 EUV 暴露期間接觸掩模。它旨在承受強(qiáng)烈的 EUV 輻射和熱應(yīng)力，同時(shí)最大限度地減少光吸收和波前失真。

生產(chǎn)薄膜是一種縮短更換周期的方法，并對(duì)組件施加更多控制，在 EUV 環(huán)境中，該組件必須保護(hù)光掩模免受顆粒影響，同時(shí)應(yīng)對(duì)極端暴露條件。與舊的 DUV 工藝不同，EUV 系統(tǒng)使用 400 W 光源和局部加熱運(yùn)行，掩模溫度接近 1,000°C，這增加了污染風(fēng)險(xiǎn)，并使薄膜性能對(duì)晶圓產(chǎn)量的影響更大。

圍繞薄膜的經(jīng)濟(jì)性鼓勵(lì)了不同的方法。DUV 薄膜相對(duì)便宜，約為 600 美元，這使得它們能夠在早期節(jié)點(diǎn)中廣泛使用。然而，EUV 變體的價(jià)格接近 30,000 美元，這一階梯式上漲阻止了一些芯片制造商全面部署，并可能導(dǎo)致有記錄的產(chǎn)量差距。

通過(guò)內(nèi)部化生產(chǎn)，臺(tái)積電希望實(shí)現(xiàn)更低的單位成本和更可預(yù)測(cè)的供應(yīng)，使薄膜集成在規(guī)模上可行。這一財(cái)務(wù)案例與材料研究齊頭并進(jìn)：碳納米管膜是滿足耐用性和光學(xué)透明度雙重需求的最有希望的候選者。膜必須抵抗更強(qiáng)光源的加速降解，同時(shí)最大限度地減少會(huì)降低曝光效率的吸收。臺(tái)積電計(jì)劃在提高 N2 和 A16 工藝技術(shù)的同時(shí)驗(yàn)證解決方案，其中改進(jìn)的薄膜性能可以顯著提高產(chǎn)量并保持其在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上的優(yōu)勢(shì)。