據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報》報道，據(jù)報道，三星將于今年晚些時候收到其首款高數(shù)值孔徑 （high-NA） EUV 掃描儀——Twinscan EXE：5200B，隨后將于 2026 年上半年推出第二臺掃描儀。報告補(bǔ)充說，雖然該公司已經(jīng)在其華城市園區(qū)運(yùn)營了一種研究用途的高 NA EUV 工具，但新系統(tǒng)將標(biāo)志著其首次旨在大規(guī)模生產(chǎn)的收購。

報告指出，競爭對手臺積電目前正在測試該系統(tǒng)的研發(fā)版本，但尚未將其部署用于商業(yè)規(guī)模制造。報道援引消息人士的話稱，SK海力士在9月份證實已經(jīng)訂購了生產(chǎn)級高NA EUV系統(tǒng)。

據(jù)報道援引消息人士透露，三星計劃使用其高數(shù)值孔徑 EUV 機(jī)器進(jìn)行 2nm 代工生產(chǎn)，該工廠將生產(chǎn) Exynos 2600 AP 和特斯拉的下一代 AI 芯片。報告補(bǔ)充說，這些工具還將支持該公司未來的垂直通道晶體管 （VCT） DRAM——高性能、低功耗存儲器，預(yù)計將于 2027 年左右投入量產(chǎn)。

該公司正在為這兩臺機(jī)器投資 1.1 萬億韓元（7.73 億美元）。正如報告所強(qiáng)調(diào)的那樣，高數(shù)值孔徑系統(tǒng)可以比當(dāng)前的 EUV 工具精細(xì)約 1.7 倍的電路圖案化，這要歸功于其升級的數(shù)值孔徑（表示鏡頭捕獲光線效率的指標(biāo)），該孔徑已從 0.33 增加到 0.55。

臺積電和英特爾的高數(shù)孔徑EUV部署計劃

正如《中央報》所指出的，臺積電打算通過 2nm 節(jié)點使用其當(dāng)前的 EUV 工具，并從 1.4nm 工藝開始整合高 NA EUV 系統(tǒng)。與此同時，據(jù)報道，英特爾正在將其高 NA EUV 機(jī)器的訂單從 ASML 擴(kuò)大到兩臺，據(jù) Wccftech 稱。該報告補(bǔ)充說，該公司正在加大對這家荷蘭芯片制造商先進(jìn)光刻工具的投資，因為它“全力以赴”其 14A 工藝。正如 BITS & CHIPS 所指出的那樣，該工藝的風(fēng)險生產(chǎn)計劃于 2027 年進(jìn)行，而大批量生產(chǎn)預(yù)計將于 2028 年進(jìn)行。