- ASML Holding NV 交出 2025 年創紀錄財務業績，印證了先進光刻設備需求的持續旺盛，以及市場對人工智能驅動的半導體領域投資信心的不斷提升。這家荷蘭半導體設備巨頭公布，2025 年全年凈營收達 327 億歐元，凈利潤為 96 億歐元。對于讀者而言，這份業績數據具有重要參考意義 —— 不僅因為 ASML 處于全球芯片制造生態的核心位置，更因其發展前景往往是歐洲及全球各地半導體行業資本支出、極紫外光刻（EUV）技術普及進度與技術路線圖的領先指標。極紫外光刻業務增長，推動全年業績創紀錄ASML20
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- 中國正在加大對光刻設備的投資，轉向本土工具，以尋求在美國出口限制下的更大技術獨立性。據《商業時報》援引京畿21日報道，中國科技部于25日宣布將投資約1.1億元人民幣，授予由國產設備制造商SMEE（上海微電子設備）生產的步掃描光刻系統合同。報告援引業內消息稱，SMEE隸屬于上海電集團，被視為中國半導體設備行業的核心企業，尤其是在先進光刻工具的研發制造領域。今年五月，SMEE聲稱其90nm ArF光刻系統已進入量產階段。獲獎石版印刷工具的潛在細節據21京記所述，該產品型號為SSC800/10，“SSC”是首次
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- 日本大日本印刷公司（DNP）最近宣布成功開發出納米印刻光刻（NIL）技術，其電路線寬可達10納米。該技術旨在實現1.4nm級邏輯半導體電路的圖案化。客戶評估已經開始，目標于2027年實現大規模生產。公司預計該技術將繼續支持智能手機、數據中心、NAND閃存及其他應用中先進邏輯芯片的微型化。DNP計劃在即將于東京大視野舉辦的2025年日本SEMICON展上展示10nm線寬NIL技術。隨著終端器件性能的持續提升，對更先進邏輯半導體節點的需求穩步上升，推動了極紫外（EUV）光刻技術的技術進步。然而，極紫外核技術需
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- 據報道，中國通過逆向工程舊ASML工具制造出極紫外光刻原型，引起了業界關注。然而，更大的擔憂可能不在于技術追趕，而在于現有出口管制中可能存在的漏洞。根據新美國安全中心的一份報告，更大的風險源于中國持續使用舊式光刻設備——這些工具仍可用于大規模制造先進人工智能芯片——通過利用這些空白，使得上一代設備能夠在有限監管下獲得。盡管有出口管制，為什么DUVi依然重要正如報告指出的，中國芯片制造商已經找到方法推動老舊設備——不屬于當前限制的深紫外浸沒（DUVi）光刻工具——采用多模式化技術，生產出據稱性能更接近前沿的
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- 中國朝向國產紫外真空光刻能力的漫長進程似乎正在縮小，近期發展顯示進展速度超乎預期。據路透社報道，消息人士稱中國已組裝了一臺使用舊ASML系統組件的EUV原型機。正如報道所示，消息人士稱中國政府目標是在2028年前生產使用該原型機的實用芯片，盡管2030年被視為更現實的目標。原型機的存在表明，中國距離半導體自給自足可能比此前預期的更近數年。報道援引消息人士稱，原型機于2025年初完成，目前正在進行測試。報告補充說，雖然該機器已運行并具備極紫外光的能力，但尚未生產出可工作的芯片。據報道，前ASML工程師參與了
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- 11月4日，陜西光電子先鋒科技有限公司總經理楊俊宏宣布，“8英寸先進”硅光子集成技術創新平臺（“8英寸硅光子學平臺”）已正式上線。該平臺將為光電和硅光子芯片推廣到光子工業中的眾多創新實體。該項目總投資7.5億元人民幣，于2023年底開始施工。它推出了130nm硅比利時IMEC的光子工藝設計套件（PDK）配備了60多種關鍵工具和系統，包括光刻和蝕刻設備。基于130納米主動集成硅該廠正在開發90納米以上的先進工藝，建立國產控制的先進制造生態系統。硅光子芯片——通過硅基微納米制造制造的光電子器件——支持光學調制
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- 雖然我國正在競相使用與華為相關的 SiCarrier 和 Yuliangsheng 的本土工具來縮小光刻差距，但現實情況是，極紫外 （EUV） 光刻技術仍然是一個完全不同的領域。能夠打印 5nm 以下芯片的機器不僅復雜，而且是全球科學合作的巔峰之作。以 ASML 為例，這是一家擁有 EUV 虛擬壟斷權的荷蘭公司。以英特爾、臺積電和三星為主要客戶，ASML 的主導地位不僅在于技術領先地位，還在于一個任何國家都無法在一夜之間復制的生態系統。正如《焦點：ASML 之道》所揭示的那樣，ASML 并不完全制造 EU
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- 半導體行業的領先供應商ASML（阿斯麥）將于11月5日至10日參加第八屆中國國際進口博覽會（以下簡稱“進博會”）。在本屆進博會上，ASML將以“積納米之微，成大千世界”為主題，亮相技術裝備展區4.1展館集成電路專區A1-03展臺。ASML在2025年進博會的展臺在今年進博會上，ASML將通過短片形式分享其對AI（人工智能）時代下半導體行業所面臨機遇和挑戰的全球洞察：AI正在深刻影響社會與生活的方方面面，驅動全球對不同制程節點芯片需求的激增。這一趨勢加速了創新步伐，也帶來算力和能源方面的挑戰。推動摩爾定律持
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- 在芯片制造過程中，光刻承擔著將集成電路圖案轉印至晶圓表面的任務，其中通過光刻膠溶解在顯影液中形成納米尺度的電路圖形。然而，光刻領域長期存在一個難以窺探的“黑匣子”：即光刻膠在顯影液中的微觀行為，該行為直接影響光刻圖案的精確度與缺陷率。人們對光刻膠聚合物的溶解機制、擴散行為、相互作用及其缺陷形成機理等基本問題仍知之甚少。這也導致工業界的工藝優化長期依賴于反復“試錯”，成為制約7nm及以下先進制程良率提升的關鍵瓶頸之一。近日，北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授、高毅勤教授、鄭黎明博士與清華大學王宏偉教授、香
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- 這是一場追光人的技術狂歡也是一次深入納米芯球的探索之旅我們發出光刻英雄帖，集結菁英光刻「芯」勢力與ASML共尋技術之美【賽事介紹】ASML光刻「芯」勢力知識挑戰賽由全球半導體行業領先供應商ASML發起，是一項面向中國半導體人才與科技愛好者的科普賽事。依托ASML在光刻領域的技術積累與行業洞察，賽事致力于為參賽者打造一個深度探索光刻技術的知識競技窗口，同時培養優秀科技「芯」勢力，共同推動摩爾定律演進。本次挑戰賽聚焦光刻技術教育普及，通過涵蓋光學、物理學知識的專業試題帶領參賽者深入了解光刻機、計算光刻、量測等
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- 近日，英特爾前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，擔任董事會執行董事長，xLight官網上個月也公布了這一消息。xLight是一家面向極紫外（EUV）光刻機開發基于直線電子加速器的自由電子激光（FEL）技術的EUV光源系統的初創公司。xLight雖然規模很小，但其團隊在光刻和加速器技術領域擁有多年的經驗，不僅擁有來自斯坦福直線加速器和其他地方的粒子加速器資深研究人士，其首席科學家Gennady Stupakov博士還是2024年IEEE核能和等離子體科學學會粒子加速器科學
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- 荷蘭政府宣布了限制某些先進半導體設備出口的新規定，這些規定將于9月1日生效。具體而言，荷蘭政府將要求先進芯片制造設備的公司在出口之前須獲得許可證。ASML在其官網發表聲明稱，該公司未來出口其先進的浸潤式DUV光刻系統（即TWINSCAN NXT:2000i及后續浸潤式系統）時，將需要向荷蘭政府申請出口許可證。而ASML強調，該公司的EUV系統的銷售此前已經受到限制。據ASML官網提供的信息，該公司目前在售的主流浸沒式DUV光刻機產品共有三款，分別是：TWINSCAN NXT:1980Di、TWINSCAN
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- 近日，據國家知識產權局官網消息，華為技術有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術相關的專利，專利申請號為202110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環節，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內晶體管的數量，是集成電路制造的關鍵技術之一。隨著半導體工藝向7nm及以下節點的推進，極紫外(extreme
ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術。相關技術的EUV光刻機中采用強相干光源在進行光刻時，相干光經照明系統分割成的多個子光束具有固定的相位關系，當
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- 近日美國商務部工業安全局（BIS）宣布將六項新興技術添加到《出口管理條例》（EAR）的商務部管制清單（CCL）中。據了解，目前受到出口管制的新興技術總數已經達到了37項。美國商務部在官網發布公告中寫道：“此舉是為了支持關鍵及新興技術這一國家戰略.”“關鍵技術和新興技術國家戰略是保護美國國家安全，確保美國在軍事、情報和經濟事務中保持技術領先地位的重要戰略部署。”美國商務部部長Wilbur
Ross說道，并表示“美國商務部已經對30多種新興技術的出口實施了管控，我們將繼續評估和確定未來還有哪些技術需要管控
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- 臺積電昨天召開了第一次虛擬技術研討會，公布了3納米光刻及未來路線計劃。過去幾年，臺積電已經與英特爾旗鼓相當，在半導體領域占據了領導地位。在今年年初英特爾宣布推遲其7納米工藝后，臺積電正抓住機會，以行業領導者的身份繼續“攻城略地”。據臺積電高級副總裁米玉杰表示，該公司有計劃繼續提供有意義的節點改進，直到N3及以下。總的來說，7納米得到了一系列產品系列的支持，而不僅僅是單一的芯片類型或類別，它貢獻了臺積電2020年第二季度36%的收入。接下來，關于N5和N6節點的一些更新。根據臺積電的說法，N6比N5的邏輯密
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光刻介紹
光刻 利用照相復制與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術才迅速發展起來，并開始用在半導體工業方面。光刻是制造高級半導體器件和大規模集成電路的關鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [
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