按全球第一大光刻設備供應商ASML公司的預估，其Q1的銷售額將從08年Q4的4.94億歐元下降到1.84億歐元，而去年同期為9.19億歐元，下降達80%。
ASML預計Q2的銷售額在2.1-2.3億歐元間，因為受工藝制程的進一步縮小推動，產業可能會在今年下半年開始復蘇，訂單回歸到4.0-5.0億歐元。新的工藝制程會要求購買新的或者升級現有的設備。
如08年僅只有各領域的領先者在購買設備，主要集中在如閃存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客戶。預計2009年會加速工藝制
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ASML 光刻 DRAM
由SEMI、ECS及中國高科技專家組共同舉辦的中國國際半導體技術研討會成功于3月19-20日在上海召開。諾貝爾物理學獎得主、IBM院士Georg Bednorz、Intel資深院士Robert Chau、IMEC CEO Gilbert Declerck、Praxair CTO Ray Roberge為大會作主題演講，為550名與會的國內外半導體產業界人士介紹國際最前沿的納米技術、微電子技術的發展趨勢。本次研討會的成功召開為提升中國半導體產業的技術水平，將國際最先進的技術與理念引進中國起到了積極的推動
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Intel 半導體 光刻 薄膜 CMP
賽斯純氣體有限公司作為一家氣體凈化技術設備的世界領導者和供應商日前在2009年國際半導體設備與材料展覽會上, 正式宣布引入微污染物檢驗服務和CollectTorr取樣系統, 用于對在中國的光刻和測量設備提供檢驗。
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賽斯 測量 光刻
世界最大的光刻設備制造商阿斯麥（ＡＳＭＬ）18日宣布，由于全球經濟下滑，芯片制造設備需求銳減，該公司計劃在半年內裁員1000人，占全球員工總數10％以上。
總部位于荷蘭南部城市費爾德霍芬的阿斯麥公司當天發布聲明說，裁員計劃主要涉及總部和美國的部分生產廠，此外美國的一個培訓中心將關閉。裁減對象將主要為臨時工。
阿斯麥總裁埃里克·穆里斯說，受半導體產品需求下降、存儲器價格低迷和客戶資金周轉困難的三重夾擊，近一段時間國際市場光刻設備需求銳減，“其跌速和跌幅前所未有&rd
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光刻
對于極紫外（EUV）光刻技術而言，掩膜版相關的一系列問題是其發展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內部討論，并在會上向與會的同仁報告了在這一領域Intel和Dai Nippon Printin
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光刻 EUV 掩膜 CMOS
全球材料、應用技術及服務綜合供應商美國道康寧公司電子部（Dow Corning Electronics）的硅晶片光刻解決方案事業部今日宣布正式開始供應Dow Corning® XR-1541電子束光刻膠，該產品是專為實現下一代、直寫光刻工藝技術開發所設計。這一新型先進的旋涂式光刻膠產品系列是以電子束（electron beam）取代傳統光源產生微影圖案，可提供圖形定義小至6納米的無掩模光刻技術能力。
可用于各種高純度、半導體等級配方的XR-1541電子束光刻膠，是由甲基異丁基酮(meth
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道康寧 硅晶片 光刻
光刻介紹
光刻 利用照相復制與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術才迅速發展起來，并開始用在半導體工業方面。光刻是制造高級半導體器件和大規模集成電路的關鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [
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