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光刻 文章 最新資訊

未來(lái)三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升

  • 　　DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場(chǎng)分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據(jù)該公司的分析師表示，2001-2003年，內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期，因此他們預(yù)計(jì)從2010年開(kāi)始，在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。 　　不過(guò)內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級(jí)別則一般
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ASML第一季訂單量繼續(xù)增長(zhǎng)

  • 　　荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商ASML的訂單狀況顯示今年第一季情況繼續(xù)好轉(zhuǎn)，投資者將詳細(xì)審視該公司業(yè)績(jī)，以尋找芯片行業(yè)結(jié)構(gòu)性復(fù)蘇的跡象。 　　分析師將該公司的訂單情況視作英特爾和臺(tái)積電等大型芯片生產(chǎn)商業(yè)績(jī)預(yù)估的風(fēng)向標(biāo)。 　　根據(jù)路透調(diào)查，第一季半導(dǎo)體光刻設(shè)備訂單料為43筆，多于前一季的40筆。 　　ASML是全球最大的光刻設(shè)備生產(chǎn)商，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括日本的Nikon和佳能。 　　分析師預(yù)計(jì)ASML第一季凈利為9,900萬(wàn)歐元(1.324億美元)，營(yíng)收為7.13億歐元。15位分析師的營(yíng)收預(yù)估范圍為5.90億
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Vistec Lithography宣布與華中科技大簽署戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議

  • 　　電子束光刻系統(tǒng)的知名廠商Vistec Lithography公司近日宣布他們與中國(guó)武漢華中科技大學(xué)光電工程學(xué)院簽署了戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。武漢華中科技大學(xué)是大陸國(guó)家級(jí)重點(diǎn)院校之一，而 Vistec Lithography則是電子束光刻設(shè)備的領(lǐng)先廠商，按協(xié)議規(guī)定，兩家將在納米光刻技術(shù)研究和教學(xué)領(lǐng)域開(kāi)展合作。 　　這次合作的核心是Vistec公司提供給華中科技大學(xué)的EBPG5000pES電子束光刻系統(tǒng)，裝備這套系統(tǒng)之后，華中科技大學(xué)在教學(xué)，科研以及對(duì)外合作方面的實(shí)力將如虎添翼。華中科技大學(xué)稱：“
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DRAMeXchange：未來(lái)三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升

  • 　　DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場(chǎng)分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據(jù)該公司的分析師表 示，2001-2003年，內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期，因此他們 預(yù)計(jì)從2010年開(kāi)始，在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。 　　不過(guò)內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級(jí)別則
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IBM宣布旗下芯片廠將停用PFOS/PFOA兩種有毒化合物

  • 　　IBM公司近日宣布其名下的芯片制造廠中將停止使用全氟辛烷磺酰基化合物(PFOS)和全氟辛酸(PFOA)兩種有毒有害化合物。多年前，在歐盟以及其它 一些國(guó)家的環(huán)保部門出臺(tái)限制使用這兩種化合物的法規(guī)之后，美國(guó)環(huán)保署也出臺(tái)了限制在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程中使用這兩種化合物的法規(guī)，這兩種化合物一般用于 防污和防潮處理。 　　不過(guò)在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，仍允許使用這兩種化合物，半導(dǎo)體制造的光刻和蝕刻工步需要少量使用這兩種化合物。經(jīng)過(guò)10多年的努力，IBM終于找到了這兩種有毒化合物的替代用品。 　　IBM公司主管微電
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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)

  • 　　在本月21日舉辦的LithoVision2010大會(huì)上，Intel公司公布了其未來(lái)幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，按這份驚人的計(jì)劃顯示，Intel計(jì)劃將 193nm波長(zhǎng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)，這表明他們?cè)俅魏笱恿似錁O紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。 　　Intel實(shí)驗(yàn)室中的EUV曝光設(shè)備 　　根據(jù)會(huì)上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Int
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三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年

  • 　　半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。 　　據(jù)IC Insights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開(kāi)始實(shí)用化建設(shè)--比預(yù)期的時(shí)間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預(yù)計(jì)16nm級(jí)別制程技術(shù)中也不會(huì)應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)會(huì)被后延到2015年，在13nm級(jí)別的工藝制程中投入實(shí)用。 　　另外一項(xiàng)較新的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
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北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨保持平穩(wěn)增長(zhǎng) 訂單出貨比微跌至1.06

  • 　　SEMI日前公布了2009年11月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比報(bào)告。按三個(gè)月移動(dòng)平均額統(tǒng)計(jì)，11月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單額為7.905億美元，訂單出貨比為1.06。訂單出貨比為1.06意味著該月每出貨價(jià)值100美元的產(chǎn)品可獲得價(jià)值106美元的訂單。 　　報(bào)告顯示，11月份7.905億美元的訂單額較10月份7.563億美元最終額增長(zhǎng)4.5%，較2008年11月份的7.838億美元最終額增長(zhǎng)1%。 　　與此同時(shí)，2009年11月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨額為7.437億美元，較10月份6.94
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2012年前內(nèi)存芯片廠商的重點(diǎn)將不會(huì)放在產(chǎn)能拓展方面

  • 　　據(jù)iSuppli公司分析，由于全球內(nèi)存芯片廠商在2005-2007年間已經(jīng)耗費(fèi)了大量資本進(jìn)行設(shè)備投資和產(chǎn)能擴(kuò)展,因此現(xiàn)有的產(chǎn)能已經(jīng)可以滿足2012年的市場(chǎng)需求，這便意味著在未來(lái)兩年之內(nèi)全球內(nèi)存芯片廠商的主要精力將不會(huì)放在產(chǎn)能拓展方面。 　　”2005-2007年間，內(nèi)存芯片廠商共花費(fèi)了500億美元的資金來(lái)采購(gòu)新的制造設(shè)備和建設(shè)新的芯片廠，這筆花費(fèi)已經(jīng)占到同期整個(gè)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的55%左右。“iSuppli公司的高級(jí)內(nèi)存分析師Mike Howard表示：”由于向這
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中國(guó)32nm技術(shù)腳步漸近

  • 　　32nm離我們還有多遠(yuǎn)?技術(shù)難點(diǎn)該如何突破?材料與設(shè)備要扮演何種角色?10月28日于北京舉辦的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)即圍繞“32nm技術(shù)發(fā)展與挑戰(zhàn)”這一主題進(jìn)行了探討。 　　32nm節(jié)點(diǎn)挑戰(zhàn)無(wú)限 　　“45nm已進(jìn)入量產(chǎn)，32nm甚至更小的22nm所面臨的挑戰(zhàn)已擺在我們面前。”中芯國(guó)際資深研發(fā)副總裁季明華博士在主題演講時(shí)說(shuō)，“總體來(lái)說(shuō)，有四個(gè)方面值得我們注意。首先是CMOS邏輯器件如何與存儲(chǔ)器件更還的集成在一起;其次是SOC技術(shù)的巨大挑戰(zhàn)，
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光刻巨頭ASML四季度來(lái)首次盈利

  • 　　隨著芯片廠商設(shè)備訂單的恢復(fù)，歐洲最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML報(bào)出了2930萬(wàn)美元的凈利潤(rùn)，為四個(gè)季度來(lái)首次盈利。 　　ASML在今天的聲明中表示該公司第三季度凈利潤(rùn)為1970萬(wàn)歐元(2930萬(wàn)美元)，即每股5歐分，低于去年同期7330萬(wàn)歐元的利潤(rùn)水平。不過(guò)這超過(guò)了彭博社調(diào)查7位分析師所得出的1060萬(wàn)歐元的市場(chǎng)預(yù)期。 　　該公司首席執(zhí)行官埃里克·莫里斯(EricMeurice)表示，ASML的設(shè)備可以讓芯片客戶生產(chǎn)出尺寸更小的芯片，隨著客戶在設(shè)備投資上恢復(fù)投入，該公司本季度銷售額將
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Mapper Lithography獲資助 大力開(kāi)發(fā)無(wú)掩模光刻設(shè)備

  • 　　半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商Mapper Lithography BV公司日前獲得荷蘭經(jīng)濟(jì)事務(wù)部名為SenterNoven的機(jī)構(gòu)達(dá)1000萬(wàn)歐元(合1470萬(wàn)美元)的補(bǔ)貼。 　　Mapper公司將利用此筆資金開(kāi)發(fā)試用版設(shè)備。公司表示目前正在設(shè)計(jì)一款無(wú)掩模光刻設(shè)備的開(kāi)發(fā)。這款設(shè)備將含有超過(guò)10000道平行電子束，從而將會(huì)在晶圓上直接形成圖樣，降低普通光刻設(shè)備上由于采用掩模版而帶來(lái)的高昂成本。 　　Mapper將聯(lián)合股東各方Catena，Technolution，Multin Hittech，Demcon，Del
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生存在矛盾之中

  • 　　在全球金融危機(jī)影響下，由于市場(chǎng)的萎縮導(dǎo)致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來(lái)紅火的半導(dǎo)體業(yè)也感覺(jué)壓力深重。在探討未來(lái)如何發(fā)展之中，發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。 　　投入多產(chǎn)出少，能持久嗎? 　　SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對(duì)于NAND閃存技術(shù)未來(lái)發(fā)展的幾點(diǎn)看法，認(rèn)為NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口，未來(lái)的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求兩者之間脫節(jié)，也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導(dǎo)致銷售額沒(méi)有相應(yīng)的增大，利潤(rùn)越來(lái)越薄,目前糟糕的NAND閃存產(chǎn)業(yè)模式使得制造廠商對(duì)于建新廠已逐漸
  • 關(guān)鍵字： SanDisk  NAND  光刻  模擬電路  存儲(chǔ)器  

消息稱Canon步進(jìn)光刻部門將裁員700人

  • 　　有消息稱，日本Canon計(jì)劃裁去步進(jìn)式光刻部門的700名員工。 　　這些職位多數(shù)都在日本，其中一些員工將轉(zhuǎn)至Canon其他部門，據(jù)悉700名員工約占步進(jìn)光刻部門的30%。 　　Canon是全球第三的步進(jìn)光刻設(shè)備供應(yīng)商，排在ASML和Nikon之后，市場(chǎng)份額約為11%。 　　市場(chǎng)研究公司Gartner預(yù)測(cè)，2009年步進(jìn)光刻市場(chǎng)將是艱難的一年，市場(chǎng)銷售額預(yù)計(jì)將減少54%。 　　Canon預(yù)計(jì)2012年之前，步進(jìn)光刻部門不會(huì)盈利。
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光刻儀公司延期交貨 臺(tái)積電制程研發(fā)恐受影響

  • 　　據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電的光刻儀供應(yīng)商Mapper公司已經(jīng)將300mm光刻設(shè)備交貨日延期近三個(gè)月之久。Mapper的多束e-beam光刻儀原計(jì)劃于今年第一 季度裝備臺(tái)積電300mm工廠，不過(guò)由于技術(shù)上的原因Mapper公司拖延了交貨日期，此舉可能對(duì)臺(tái)積電的制程研發(fā)進(jìn)度造成一定的影響。 　　臺(tái)積電CEO蔡力行曾稱臺(tái)積電已在與合作伙伴聯(lián)合開(kāi)發(fā)22nm及更高規(guī)格制程用多束e-beam光刻技術(shù)(multiple electron-beam (e-beam) maskless lithography equip
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光刻介紹

光刻 　　利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀(jì)初就為人們所知，但長(zhǎng)期以來(lái)由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應(yīng)用。直到20世紀(jì)50年代，美國(guó)制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達(dá)光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來(lái)，并開(kāi)始用在半導(dǎo)體工業(yè)方面。光刻是制造高級(jí)半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細(xì) ]

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