2月29日消息，據外媒Tomshardware報導，ASML與英特爾于本周宣布達成了High NA EUV的重要里程碑。ASML已向英特爾交付的最先進High NA EUV光刻機Twinscan EXE:5000的主要部件已經啟動，即首度打開光源并使光線到達晶圓上的抗蝕層，并開始運作，表示光源和反射鏡已正確對準。這是High-NA EUV光刻機啟動過程中的關鍵一步，盡管目前尚未達到峰值性能。

ASML的High-NA EUV曝光機將提供0.55數值孔徑的投影光學器件，單次曝光分辨率可低至8nm，比單次曝光13.5nm分辨率的典型Low-NA EUV的分辨率更高。目前第一套High-NA EUV系統安裝在在ASML荷蘭Veldhoven實驗室，第二套系統則正在英特爾的俄勒岡州晶圓廠組裝。

ASML發言人Marc Assinck解釋，從技術上講，這種“第一束光”實際上是“晶圓上第一束光”，表示光源已經開始工作，現在我們在晶圓上測試對于光子的“抗蝕”。ASML專家仍在荷蘭校準High NA EUV系統，因此該機器尚未列印出第一個測試圖案。

報道稱，英特爾技術開發總經理Ann Kelleher在加利福尼亞州圣何塞舉行的SPIE曝光會議上首度透露這一進展，預計這些新系統將主要用于制程開發。

這個里程碑被稱為“硅片上的第一道曙光”，標志著ASML和英特爾在推進半導體制造技術邁出重要一步，預計未來幾年，包括英特爾、臺積電和三星在內的領先芯片制造商都將采用High NA EUV光刻技術，英特爾已表示將在Intel 14A制程采用該設備。

編輯：芯智訊-浪客劍