在半導體制程中，曝光制程非常重要，因此作為其核心材料的光刻膠(Photoresist)占較大的生產成本，在技術與產業方面的重要性也非常高。根據DisplayBank統計，2011年用于韓國國內半導體產業的光刻膠量約為25萬~30萬加侖，產值約達3,000億韓元(約2.58億美元)的規模。
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半導體 光刻 LCD
據IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術，該產業的成本削減及節省步伐從2012年開始將放緩。
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DRAM 光刻
美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術目前在商業化方面領先一步，有可能在22納米以下的工藝生產中取代目前使用的浸末式光刻技術，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
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光刻 EUV
臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業的死對頭，不過他們對付彼此的戰略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產品方 面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(至少從對外公布的路線圖上看是這樣)，而相比之下，臺積電的28nm制 程則有HKMG和傳統的多晶硅柵+SION絕緣層兩種工藝可供用戶選擇。另外，兩者對待450mm技術的態度也不相同，臺積電是450mm的積極推進者， 而Globalfoundries及其IBM制造技術聯盟的伙伴們則對這項技術鮮有公開表
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芯片制造 光刻
SUSS MicroTec AG的全資子公司HamaTech APE GmbH & Co. KG近日宣布，已接到幾十份MaskTrack Pro設備訂單。MaskTrack Pro于2009年投產，是用于下一代光刻領域的完整掩膜流程平臺。
對于亞22nm 193nm浸沒式光刻、EUVL深紫外光刻、NIL接觸式納米壓印技術等先進光刻工藝的掩膜版，MaskTrack Pro是目前已知唯一可以實現清洗、烘烤和顯影步驟的設備。MaskTrack Pro結合物理和化學清洗技術，能有效去除有機和無機
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HamaTech 光刻
ASML公司于10月13日公布其未經審計的Q3業績
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ASML 光刻
在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對于實現22nm的各類光刻技術的進展、挑戰與未來市場前景進行了熱烈的討論。
作為193nm光刻技術的接替者，ASML仍是全球EUV(遠紫外光光刻機) 技術的領先供應商。該公司的首臺NXE3100機器將如期發貨，目前正在作最后的組裝及測試。盡管如此，由于EUV技術中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此類技術的主要挑戰。另外，為了達到工業使用指標急需投入大筆資金。
Nikon指出它仍繼續采用兩次圖形曝光方法來延伸193nm高NA(數值孔徑)
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ASML 22nm 光刻
在最近召開的SemiCon West產業會議上， Global Foundries 公司宣布他們將在15nm制程節點開始啟用EUV極紫外光刻技術制造半導體芯片。 Global Foundries 公司負責制程技術研發的高級副總裁Greg Bartlett還表示，公司將在紐約Fab8工廠建成后馬上開始在這家工廠部署EUV光刻設備，按之前 Global Foundries公布的計劃，這個時間點大概是在2012年下半年，與之巧合的是，光刻設備廠商ASML公司也將于這個時間點開始上市EUV光刻設備。
由
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GlobalFoundries 15nm 光刻
新式半導體光刻技術中，極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一，不過其實現難度也相當高，從上世紀八十年代開始探尋至今已經將近三十年， 仍然未能投入實用。極紫外光刻面臨的關鍵挑戰之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist)，也就是用來在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對極紫外輻射 非常敏感，這樣才能刻出圖案，但同時又必須能夠抵御隨后的蝕刻和其他處理步驟。
Intel公司內部一直在用微曝光設備(MET)對各種不同材料進行試驗和評估，目的就是尋找一種能夠同時滿足高敏感度、高分辨率、低
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Intel 光刻
美科學家設計出簡便快速的納米電線制造方法，只需加熱即可將氧化石墨烯轉為導電物質
據美國物理學家組織網6月10日報道，美國一聯合研究小組稱，他們在利用石墨烯制造納米電路領域獲得了突破：設計出了簡便、快速的納米電線制造方法，能夠 調諧石墨烯的電學特征，使氧化石墨烯從絕緣物質變成導電物質。這被認定為石墨烯電子學領域的一項重要發現，相關研究報告發表在6月11日出版的《科學》雜 志上。
納米電路的研究人員之所以對于石墨烯的研究頗具熱忱，是因為與硅相比，電子在石墨烯內移動時會受到更小的阻力，而硅晶體管
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納米 光刻
SUSS MicroTec，全球知名的半導體行業及相關設備和工藝解決方案供應商，推出新一代MA100e光刻機，專用于高亮度發光二極管(HB-LEDs)生產。MA100e基于SUSS MicroTec光刻機經典設計，具有最大至4英寸的載片能力，每小時產量可達145片，業界領先。
電視機、顯示器等對LED背光的需求急劇增長，LED設備生產商必須盡力滿足這一市場增長需要。LED行業對成本很敏感，所以SUSS MicroTec設計的MA100e Gen2自動光刻機在成本控制方面極具競爭力。設備配置的高照
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LED 光刻
[導讀]將海水變為人類可以飲用的淡水一直是一個吃力不討好的差事，它耗能大、水質又差，現在MIT的科學家們制造的芯片可以更好地完成這個工作。
雖然地球表面有超過70%被水覆蓋，但是我們可以直接使用的淡水卻并不算多。海洋中的苦澀咸水占了總水量的97.5%，剩下的淡水又大部分集中在南北極和冰川上。數百萬年來，人類只能依靠僅占總水量0.2%的淡水生存。
將海水變為淡水是個歷史悠久的課題。雖然早在1954年人們就修建了大規模的海水淡化廠，但是直到目前為止，最常見的海水脫鹽方式依然是半透膜反滲透或者多
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芯片 光刻 腐蝕
歐洲半導體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場發展。
可能原因是出自研究所要更多的為工業化服務, 并創造應有的價值。顯然近年來其pilot生產線中EUV光刻研發的 費用高聳,也難以為繼。
近幾年來IMEC與TSMC的關系靠近, 之前它的進步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。隨著NXP趨向fab lite及TSMC反而增強它在全球的超級能力,IMEC與TSMC在各個方面加強合作。
IMEC作
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IMEC 光刻 CMOS
“工欲善其事，必先利其器。”集成電路產業的發展離不開裝備制造業的支撐，而裝備業的發展水平也是衡量一個國家集成電路產業總體水平的重要標準。近年來，我國集成電路裝備業取得了長足的進步，12英寸設備在多個工序實現國產化。但由于8英寸、12英寸集成電路生產線在我國仍有很大的發展空間，這也給國外的二手設備提供了用武之地，同時，也給從事設備翻新的企業提供了發展機遇。
12英寸國產設備進展顯著
●多種核心裝備實現國產化
●12英寸65納米是下階段重點
一條標準的集成電
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半導體設備 芯片制造 光刻 刻蝕
臺積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過22nm全代制程，直接開發20nm半代制程技術。在臺積電公司日前舉辦的技術會展上，臺積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術細節，20nm制程將是繼28nm制程之后臺積電的下一個主要制程平臺，另外，20nm之后，臺積電還會跳過18nm制程。
根據臺積電會上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯技術，并仍然采用平面型晶體管結構，增強技術方面則會使用HKMG/應變硅和較新的“low-r”技術(即由銅+low-
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臺積電 光刻 28nm 22nm
光刻介紹
光刻 利用照相復制與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術才迅速發展起來，并開始用在半導體工業方面。光刻是制造高級半導體器件和大規模集成電路的關鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [
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