- 日前，中國國際半導體技術大會（CSTIC）在上海開幕，為期19天，本次會議重點是探討先進制造和封裝。其中，光刻機一哥ASML（阿斯麥）的研發副總裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進工藝的設備，EUV技術已經被廣泛認為是突破摩爾定律瓶頸的關鍵因素之一。Yen援引統計數據顯示，截至2019年第四季度，ASML當年共售出53臺EUV NXE：3400系列EUV光刻機，使用EUV機器制造的芯片產量已經達到1000萬片。他說，EUV已經成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電
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- 近日，泛林集團發布了一項用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術。泛林集團研發的這項全新的干膜光刻膠技術，結合了泛林集團在沉積、刻蝕工藝上的領導地位及其與阿斯麥?(ASML) 和比利時微電子研究中心?(imec)?戰略合作的成果，它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產率和良率。泛林集團的干膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和分辨率優勢，從而優化了單次EUV光刻晶圓的總成本。由于領先的芯片制造商已開始將EUV光刻系統應用于大規模量產，進一步提升生產率和分辨率將幫助他們以更合理
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- 6月末也是在大阪召開G20結束的時間，此次出口限制可謂是對韓國企業的一次“偷襲”！此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰時的“日本偷襲珍珠港”。
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- 臺積電官方宣布，已經開始批量生產7nm N7+工藝，這是臺積電第一次、也是行業第一次量產EUV極紫外光刻技術，意義非凡，也領先Intel、三星一大步。
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- 在集成電路的制造過程中，有一個重要的環節——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現功能?，F代刻劃技術可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore
niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復制一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經過2、3小時的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的復制品。
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- 昨天關于中國成功超分辨率光刻機的新聞刷爆了朋友圈，這個新聞出來以后，輿論出現了兩個極端，一堆人說很牛，一堆人說吹牛。那么這兩種說法到底誰對誰錯呢? 我們先看一下新聞： 由中國科學院光電技術研究所主導的項目“超分辨光刻裝備研制”29日通過驗收?！ ∵@是我國成功研制出的世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研制，光刻分辨力達到22納米，結合多重曝光技術后，可用于制造10納米級別的芯片。 中科院理化技術研究所許祖彥院士等驗收組專家一致表示，該光刻機在365nm光源波長
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- 如今對于一些技術節點，設計人員需要在晶圓代工廠流片和驗收之前進行光刻友好設計(Litho Friendly Design) 檢查。由于先進節點的解析度增進技術(RET) 限制，即使在符合設計規則檢查 (DRC) 的設計中，我們仍看到了更多的制造問題。
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- 中國芯片制造業高端裝備一直以來依賴國外進口，尤其是高端光刻設備受到西方封鎖，有錢也買不到，或是毫無競價權，國內進口集成電路裝備采購每年達數十億美元。在高新區的合肥芯碁微電子裝備有限公司，正在通過自主創新，改變這種現況。
據介紹，合肥芯碁微電子裝備有限公司主要經營微電子高端裝備研發、制造、技術服務。公司技術團隊是以曾承接國家02重大科技專項《130—65nm制版光刻設備及產業化》項目核心人員為基礎，結合國內外業界精英組成，60%以上碩博士。團隊骨干均為國內首創激光直寫光刻設備、激光曝光
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- 摘要：近日，明導公司與北京理工大學合作創建了光電聯合實驗室。合作儀式期間，部分專家學者談到目前晶圓制造人才非常缺乏，人才培養迫在眉睫。
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- Molecular Imprints, Inc. (MII) 是高分辨率與低擁有成本納米圖案成形系統和解決方案的技術領導商。MII 將利用其創新的 Jet and Flash? 壓印光刻 (J-FIL?) 技術成為半導體存儲設備大批量圖案成形解決方案的全球市場和技術領導商
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- 技術問題更讓人頭痛，隨著線寬必須不斷縮小的趨勢下，廠商面臨諸多艱巨的挑戰，更多先進的光刻掩膜板工具和材料必須應運而生，但卻僅有部份的客戶會轉移至更小尺寸的產品，而且似乎對于專有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深，因此批發式光刻掩膜板產業必須在一個正在萎縮的市場上找到它的平衡點，既能進行技術升級發展也能兼顧資本成本。
SEMI最近發表了《Photomask Characterization Summary》，對2011年的光刻掩膜板市場提供詳細的分析，并以全球七個主要地區，包括北美、日本、歐洲、臺灣、
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- 1、技術壁壘
半導體分立器件的研發生產過程涉及量子力學、微電子、半導體物理、材料學等諸多學科，需要綜合掌握外延、微細加工、封裝等多領域技術工藝，并加以整合集成，屬于技術密集型行業。隨著下游電子產品的升級換代，電子產品呈現多功能化、低能耗、體積輕薄的發展趨勢，新產品、新應用的不斷涌現，對半導體分立器件的制造封裝工藝等方面提出了更高的技術要求，同時半導體分立器件差別化應用領域的快速拓展，光伏、智能電網、汽車電子、LED照明等跨領域的產品需求，對生產廠商專用半導體分立器件的配套設計能力也提出了更高的要
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半導體 光刻
- SUSS MicroTec，宣布收購位于美國加州科羅娜的Tamarack Scientific公司。兩家公司已經簽署相應的收購協議。協議約定，SUSS MicroTec以總價934萬美元外加盈利能力，收購100%的Tamarack公司股份，額外的盈利能力主要取決于Tamarack公司未來三個財年收入的增長情況。
市場對更多功能和更高性能電子設備需求日益增長，進一步推動對更高性能、更高復雜度半導體元件的需求。這種趨勢將在不久的將來顯現出來，促使半導體后道工藝采用創新技術。在過去兩年里，SUSS M
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- 美國科學家通過納米模版光刻技術(nanostencillithography)在可彎曲式基板上制作出大范圍的納米圖案。這個...
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- 2011年8月26日，中共中央政治局常委李長春來華微電子調研。18時45分，中共中央政治局常委李長春一行來到華微電子六英寸新型功率半導體器件生產線(即芯片四部)門前，在公司夏增文董事長的陪同下參觀了該生產線。李長春首先觀看了設置在該生產線一樓大廳內的企業文化宣傳板，隨后深入生產車間，身穿白色的防塵服，先后參觀了擴散工序、PVD區、光刻工序和中測工序，詳細了解了芯片制造工藝及流程、產品結構、生產規模、市場前景及公司發展目標等情況。
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光刻介紹
光刻 利用照相復制與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術才迅速發展起來，并開始用在半導體工業方面。光刻是制造高級半導體器件和大規模集成電路的關鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [
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