日本大日本印刷公司（DNP）最近宣布成功開發出納米印刻光刻（NIL）技術，其電路線寬可達10納米。該技術旨在實現1.4nm級邏輯半導體電路的圖案化。客戶評估已經開始，目標于2027年實現大規模生產。公司預計該技術將繼續支持智能手機、數據中心、NAND閃存及其他應用中先進邏輯芯片的微型化。

DNP計劃在即將于東京大視野舉辦的2025年日本SEMICON展上展示10nm線寬NIL技術。

隨著終端器件性能的持續提升，對更先進邏輯半導體節點的需求穩步上升，推動了極紫外（EUV）光刻技術的技術進步。然而，極紫外核技術需要大量資本投資用于晶圓廠建設和光刻工藝，同時也面臨高能耗和環境負擔的挑戰。

在此背景下，DNP自2003年以來持續開發納米印記技術。通過直接將電路圖案印印在基板材料上，該方法為芯片制造商提供了減少光刻相關能耗和優化某些工藝步驟成本結構的替代途徑。

值得注意的是，新推出的10nm線寬NIL技術可在部分圖案化階段替代EUV光刻，為尚未部署EUV工具的半導體制造商提供了另一種先進邏輯工藝的選擇。此外，基于納米印記技術的超精細半導體制造可將光刻工藝的能耗降低至當前主流工藝的約十分之一。

目前，DNP已與半導體制造商洽談，并啟動了新NIL技術的評估項目。公司表示將繼續推進納米印記技術，并根據未來市場擴張擴大產能，將業務定位為半導體細分市場中的關鍵增長驅動力。