隨著北京向半導體自力更生邁進，高端芯片制造工具不可或缺，但由 ASML 控制的光刻技術帶來了最大的挑戰，其用于 5 納米以下芯片的 EUV 機器禁止出口。值得注意的是，ASML 2025 年第三季度銷售額的 42% 來自中國，這凸顯了該國對這家荷蘭巨頭不太先進的 DUV 工具的依賴。

盡管如此，在 SiCarrier 和 AMIES 等公司的推動下，進展仍在進行中，AMIES 是上海微電子設備 （SMEE） 的分拆公司。以下是中國最新進展和該國主要技術障礙的快照。

SiCarrier 的光刻雄心面臨 SAQP+DUV 限制

在 3 月的 SEMICON China 上，成立于 2022 年的 SiCarrier 推出了一套晶圓廠工具，包括外延 （EPI） 系統、蝕刻工具、化學氣相沉積 （CVD） 設備、物理氣相沉積 （PVD） 齒輪和原子層沉積 （ALD） 機。

然而，引起最大轟動的是傳聞中的 SiCarrier 進入光刻機領域。據彭博社報道，該公司于 2023 年底獲得了一項專利，該專利利用自對準四重圖案化 （SAQP） 和深紫外 （DUV） 光刻技術，無需 EUV 即可實現 5nm 級性能。

盡管如此，重大挑戰仍然存在。DUV 光刻使用 193 nm （ArF） 或 248 nm （KrF） 的波長，與 EUV 的 13.5 nm 波長相比，每次曝光可實現的最小特征尺寸本質上受到限制。

由于無法進入 EUV，SiCarrier 和其他中國公司轉向具有多次 DUV 暴露的 SAQP 等技術來生產先進芯片。然而，這種方法容易出現對準錯誤，從而推高缺陷率。

據 Wccftech 援引機構投資者數據稱，中芯國際的 5nm 晶圓預計將于 2025 年完成開發，成本可能比臺積電的同類產品高出 50%，據報道良率低至 33%，凸顯了基于 DUV 工藝的局限性。

國產 DUV 機器在不確定性中初具規模

盡管良率面臨挑戰，中國仍在推進國產 DUV 光刻機的發展，這是邁向芯片獨立的關鍵一步。據英國《金融時報》9月報道，中芯國際正在測試上海初創企業宇良盛的DUV系統，據報道該系統與SiCarrier有關。

據稱，正在試驗的機器是一款 28nm DUV 工具，采用多圖案技術生產 7nm 芯片。然而，該報告指出，盡管它有可能以較低的良率處理 5nm 制造，但更先進的節點仍然遙不可及。此外，雖然據說大多數組件都是國內制造的，但有些仍然是進口的。因此，據報道，該公司正在努力在中國生產所有零部件。

Storm Media 援引 YouTube 頻道“Raven's Laugh”的話稱，宇良盛已經生產了三臺光刻機，并已交付給三個晶圓廠進行測試和校準。

然而，技術差距仍然很大。據 Tom's Hardware 稱，Yuliangsheng 的浸入式 DUV 系統類似于 ASML 在 1950 年的 Twinscan NXT：2008i，最初是為 32nm 級工藝的單次曝光而設計的。報告補充說，雖然該機器理論上可以支持 7nm 和 5nm 節點，但 ASML 的 NXT：2000i（專為此類先進制造而開發）領先了幾代人。

因此，Tom's Hardware 指出，即使中芯國際到 2027 年將該工具集成到其 28 納米工藝中，達到 10 納米以下的工藝也需要重新設計的掃描儀和數年的開發——這意味著國產光刻系統可能無法在 10 年之前實現 2030 納米以下的生產。

SMEE 和 AMIES 加入競賽

除了 SiCarrier 和 Yuliangsheng 之外，英國《金融時報》的報道還點名了另一家參與者：SMEE，該公司生產不太先進的 DUV 機器。據《南華早報》報道，2023年底，股東張江集團在社交媒體上短暫發文稱，SMEE“成功研發了一臺28納米光刻機”，盡管這一說法后來被撤回。

SMEE 的分拆公司 AMIES Technology 正在成為主要競爭者。據 STCN 稱，SMEE 自主研發的 600 系列光刻系統已在 90nm 節點進入量產，目前正在開發 28nm 浸沒式模型。

另一方面，《南華早報》表示，AMIES 的旗艦產品先進封裝光刻系統以 90% 的份額主導了中國市場，并占據了全球市場 35% 的份額。據報道，它專為高端芯片封裝而設計，支持晶圓級和面板級先進封裝，例如倒裝芯片、扇入式、扇出式 WLP/PLP 和 2.5D/3D 集成。

其他謠言：激光產生的等離子體的替代品？

如果ASML的EUV機器仍然遙不可及，中國能否開發出替代的等離子體發生方法？ASML 的方法被稱為激光產生的等離子體或 LPP，依賴于向錫滴發射高能激光器，并且需要復雜的基于現場可編程門陣列的控制系統。該設備體積龐大、耗電且制造成本極高。

然而，Wccftech 3 月份的一份報告援引 X 上爆料者發布的圖片顯示，華為東莞工廠正在測試一種不同的方法：激光誘導放電等離子體 （LDP） 系統。

該工具據信是由中國哈爾濱省創新開發的，它使用基于 LDP 的方法來生成關鍵的 13.5nm 波長 EUV 光。報道稱，該系統不是ASML的激光噴砂錫滴，而是在電極之間蒸發液態錫，并通過高壓放電將其轉化為等離子體。

然而，正如中國自媒體《商業早報》eastmoney.cm 所解釋的那樣，自民黨相對于傳統民進黨的優勢在于運營壽命。傳統的放電產生的等離子體系統存在電極熱負荷過大和嚴重的腐蝕問題。據報道，LDP 可以通過將一些初始加熱工作轉移到激光器上來緩解這些問題。

然而，即使有了這些改進，前方的道路仍然陡峭。《商業晨報》指出，在當前的技術環境中，LDP 在與 ASML 激光生產的等離子體方法的性能和可靠性相匹配方面仍面臨挑戰。

總之，中國國內企業可能正在縮小 DUV 工具的差距，但復制 ASML 的 EUV 生態系統需要多年的研發和全球供應鏈彈性。盡管如此，SiCarrier、SMEE 和 AMIES 等公司的崛起表明，中國決心在最艱難的技術前沿之一上蠶食。