各大存儲器企業正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。
1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。
三星電子正在最積極地擴大其 1c DRAM 產能。目前，該公司正在平澤 4 號園區 （P4） 建設一條新的 1c DRAM 量產線，并正在投資將其華城 17 號線轉換為 1c DRAM。預計到今年年底，其將確保的產能將達到每月最多 60,000 片晶圓。
SK海力士在7月的2025年第二季度財報中宣布，“1c DRAM的轉換投資將于今年下半年開始，將于明年全面實施”，“我們目前正在制定管理計劃，具體計劃一旦確定，將分享”。
據業內人士透露，改造投資很可能在利川的 M14 晶圓廠進行。M14 是一家晶圓廠，一直在重新利用其一些現有的 NAND 生產線進行 DRAM 大規模生產。SK海力士目前正在討論拆除那里的舊DRAM設施并引入1c DRAM生產線的計劃。

一位半導體業內人士解釋說，“1c工藝不僅可以用于服務器的高附加值DRAM，還可以用于HBM4E（第7代HBM），因此這是SK海力士正在關注的領域”，“雖然設施投資尚未確定，但我們預計明年將在該工藝的所有領域進行積極投資。