2026 年一季度至今，存儲器價格較 2025 年四季度暴漲 80%-90%，動態隨機存取存儲器（DRAM）、閃存（NAND）和高帶寬存儲器（HBM）價格均創歷史新高。為緩解成本壓力，原始設備制造商（OEM）正減少每臺設備的存儲器搭載量，或優先打造配備低功耗雙倍數據率 5 代內存（LPDDR5）的高端產品線，這類產品的價格壓力相對可控。2025 年四季度，傳統動態隨機存取存儲器的利潤率已反超高帶寬存儲器；而存儲器廠商的營業利潤率預計將在 2026 年一季度創下歷史峰值，營收也將刷新紀錄。counterpo
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存儲器 價格 counterpoint
存儲器股利空消息連環爆，傳出長江存儲下半年提前量產，以及長鑫科技祭出流血價銷售DDR4，沖擊臺廠華邦電逼近跌停，晶豪科跌近8%，南亞科、威剛重挫逾5%; 相比之下，韓國存儲器股逆勢強彈，顯示國際市場對該消息的解讀存在明顯落差。目前SK海力士約上漲8.6%左右、三星及鎧俠大漲逾10%，未受中國大陸廠商提前量產等消息影響。綜合分析師觀點指出，臺股存儲器相關個股獨自下跌，主因今年農歷年休市長達11天，內存屬于高度循環股，法人與融資戶為避開長假不確定性，選擇提前獲利了結，使得賣壓在封關前集中釋放，進一步加劇股價波
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半導體行業觀察人士表示，內存市場已進入長期上升周期，DRAM和NAND可能至少要到2028年才會供應短缺。歷史上，存儲器供應商在供給過剩和不足之間搖擺，時而高需求和短缺，時而出現庫存過剩、利潤繁榮與蕭條，以及供應過剩隨后引發干旱。然而，這一次，由AI訓練和推理工作負載驅動的需求正在重塑這一循環。內存需求的激增如此強烈，制造商需要數年時間才能擴展容量以趕上。看看美光從其記憶產品帶來的收入和利潤，可以說明傳統的供過于求到干旱模式：需求在2016年至2018年間大幅上升，2019年和2020年降至低谷，2021
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內存芯片能成為全球升值最快的資產之一背后是人工智能（AI）公司對其的旺盛需求，而其中超過90%的芯片都由三家公司生產：SK海力士、三星以及美光。據Counterpoint Research稱，2025年第四季度內存價格飆升了50%，預計到2026年第一季度末還將再上漲40%至50%，這主要是因為數據中心建設者愿意支付巨額溢價。由于AI公司正在擠占其他內存買家的市場份額，這可能會在無數行業產生意想不到的連鎖反應。全行業集體買單在消費電子領域，利潤空間本就極其微薄，而提價可能會抑制需求。IDC更新了其對智能手
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存儲器
據路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月，是國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。
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10月8日，復旦大學集成電路與微納電子創新學院周鵬、劉春森團隊在《自然》（Nature）期刊上發表題為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）論文，率先研發出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片。復旦大學集成電路與微納電子創新學院、集成芯片與系統全國重點實驗室研究員劉春森和教授周鵬為論文通訊作者，劉春森研究員和博士生江勇波、沈伯僉、袁晟超、曹振遠為論文第一作者。今年4月，周鵬、劉春森團隊研發
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各大存儲器企業正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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全球存儲器市場在生成式AI與大型云端服務商（CSP）急單帶動下，正式進入新一輪長線上行。 隨著業界開始惜售，業者預期，10月DDR4與DDR5合約價及現貨價，皆將出現雙位數漲幅。產業界大老指出，這一波內存行情漲得又快又急，可望一路延續到2026年底。根據業界對10月漲幅最新預估，DDR5合約價將上漲10~15%，現貨價漲15~25%; DDR4合約價將上漲逾10%，現貨價漲幅則超過15%，隨著市場供貨趨緊，現貨價漲幅還有進一步拉升的可能。業者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應用與儲存需求強勁，推升NAN
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華為定于8月27日召開「AI SSD，加速智能經濟涌現」新品發布會，劍指AI存儲器賽道，計劃以技術創新推出大容量AI SSD，突破傳統HBM的容量限制。在當前的AI存儲器領域，HBM占據重要地位 —— HBM是一種通過3D堆疊和超寬接口，實現極高數據傳輸帶寬的先進內存技術，通常直接封裝在GPU卡中。問題在于，傳統HBM受容量制約，難以滿足AI大模型等場景需求，HBM犧牲容量換取極致帶寬和能效的策略導致現有算力卡上HBM的容量比較有限。華為將發布的全新AI SSD產品，可以有效滿足AI訓練推理過程中的超大容
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華為 AI 存儲器 SSD
（圖片來源：Getty / Comezora）科學家們工程化的一種突破性新型分子，可能為存儲技術開啟100倍于當前容量的新大門，這得益于一種能在所需低溫下用常見冷卻劑保持的單分子磁體，這是單分子磁體技術上的重大突破。曼徹斯特大學和澳大利亞國立大學（ANU）的化學家在《 自然 》上發表了研究結果。正如 Phys 所解釋的那樣，現代硬盤通過磁化由許多原子共同組成的小區域來存儲數據，而單分子磁體可以單獨存儲數據，無需鄰近分子的幫助，為超高密度數據存儲鋪平了道路。技術挑戰在
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據媒體報道，近期存儲器產業急單出貨表現強勁，主要受中美關稅戰緩和的影響，供應鏈客戶拉貨節奏有望逐步回歸正常。隨著中美雙方在日內瓦發布聯合聲明，美國對中國商品的關稅暫時降至30%，中國對美國商品的關稅也降至10%。這一調整為全球關稅談判設立了新的“隱形區間”，即10%至30%。業內人士指出，盡管30%的關稅仍對部分企業構成較大壓力，但相較于此前的高稅率，供應鏈的緊張情緒已有所緩解。特別是在存儲器領域，由于韓系廠商三星電子逐步停產DDR4，市場一度出現急單拉貨潮。隨著關稅局勢改善，客戶已建立一定庫存，急單備貨
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存儲器 關稅戰
全球存儲器市場正在從谷底回升，看好存儲器將成為AI運算的核心之一，但鈺創董事長盧超群示警，中國大陸廠商正加速擴張中低階DRAM產能，未來2年市占率將可望躍升至4成，恐將沖擊全球價格與產業結構。對于短期需求，盧超群表示，是否處于真實需求或庫存拉貨，仍需進一步觀察，但從第2季起需求已逐步浮現，預期第3~4季有望逐季轉強，包括車用產品在關稅政策壓力下，目前尚未接獲任何來自客戶的負面回饋，因此將審慎態度因應短期變動，推進長期的應用布局。鈺創觀察，旗下存儲器產品較少直接出貨至美國市場，但近期在對等關稅90天豁免期間
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存儲器 盧超群
根據TrendForce集邦咨詢最新調查，近期國際形勢變化已切實改變了存儲器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由于買賣雙方急于完成交易、推動生產出貨，以應對未來市場不確定性，預期第二季存儲器市場的交易動能將隨之增強。基于對未來國際形勢走向不明的擔憂，采購端普遍秉持“降低不確定因素、建立安全庫存”的策略，積極提高DRAM和NAND Flash的庫存水位。TrendForce集邦咨詢表示，受到積極備貨潮帶動，第二季的DRAM和NAND
Flash合約價調漲幅度皆較原本預期擴大。然
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TrendForce 集邦咨詢 存儲器
超緊湊、彈性的存儲器芯片提高了面向通信、地球觀測、科學和邊緣計算的衛星的高級任務的SWaP。8GB DDR4的合格工程樣片 (EM) 現已發布，飛行正片 (FM) 正在制造中，計劃于2025年初推出。超快、高密度8GB DDR4存儲器提供與較小的4GB DDR4選項相同的外形尺寸和引腳兼容性-是下一代設計的理想選擇。新的高速8GB DDR4存儲器支持2400MT/s的傳輸速率。它對高達60 MeV.cm2/mg 的單粒子閂鎖 (SEL) 具有免疫力。此外，該器件提供100 krad總電離劑量 (TID)，
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宇航級 DDR4 存儲器
根據韓國媒體Pulse的報道，復雜國際形勢下，三星已經開始與全球主要客戶進行價格調整的談判，三星計劃對DRAM和NAND閃存產品進行3%至5%的提價。報道指出，在過去的幾個月里，存儲器芯片的需求因為客戶的儲備行為而急劇上升，這使得三星開始重新考慮其定價策略。此前，該公司由于市場供應過剩和需求疲軟，長期維持穩定價格。然而，隨著國際形勢以及存儲市場變化，加上競爭對手宣布提價，三星也開始加入漲價陣營。根據TrendForce集邦咨詢預測，DRAM價格在第二季度有望上漲3%至8%，而NAND閃存的價格也將隨著需求
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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