半導體行業觀察人士表示，內存市場已進入長期上升周期，DRAM和NAND可能至少要到2028年才會供應短缺。

歷史上，存儲器供應商在供給過剩和不足之間搖擺，時而高需求和短缺，時而出現庫存過剩、利潤繁榮與蕭條，以及供應過剩隨后引發干旱。然而，這一次，由AI訓練和推理工作負載驅動的需求正在重塑這一循環。內存需求的激增如此強烈，制造商需要數年時間才能擴展容量以趕上。

看看美光從其記憶產品帶來的收入和利潤，可以說明傳統的供過于求到干旱模式：

需求在2016年至2018年間大幅上升，2019年和2020年降至低谷，2021年和2022年再次上升，2023年再次下滑。此后，需求在2024年和2025年持續激增，2026年初無緩解跡象。

美光在12月公布2026財年第一季度業績時表示，持續的行業需求加上供應限制導致市場緊張，預計這種狀況將持續到2026年日歷后。這意味著上升周期至少持續三年，甚至可能更久。

一個主要驅動因素是用于GPU的AI訓練和推理的高帶寬內存（HBM）。超大規模GPU計算供應商正在消耗越來越多的HBM，美光預測HBM可覆蓋市場在2028年以約40%的復合年增長率增長，從2025年的約350億美元增長到2028年的約1000億美元。

NAND對AI工作負載的需求往往跟隨HBM的增長，表明當前的上升周期可能從2024年持續到2028年。

美光并非唯一注意到這種現象的機構。自2016年以來，SK海力士的季度收入歷史顯示出兩個相對溫和的需求周期，隨后近年來增長更為強勁。

布盧姆斯伯里情報與安全研究所指出：“全球內存市場正經歷結構性危機，由制造商將晶圓容量從商品動態隨機存取存儲器（DRAM）重新分配到高帶寬存儲器（HBM）以實現人工智能（AI）應用。因此，DRAM價格同比上漲了171%，DDR5現貨價格自2025年9月以來上漲了四倍?！?/p>

這種情況會持續多久？“內存價格預計將在2027-2028年持續高企，部分正常化只有在新制造設施達到量產時才是現實可能;如果AI需求隨著產能擴張而趨于緩和，2028-2029年供過于求的情景依然是現實可能。”

行業分析機構IDC也將此局面描述為半導體超級周期，稱：“半導體長期收入增長在2023年調整和2024年復蘇后，2024-2028年復合年增長率保持兩位數?！?/p>

對存儲行業來說，影響是NAND成本上升和交付時間延長。廠商已經開始采取策略，如VAST的閃存回收方法和VDURA強調從固態硬盤到硬盤的數據分層，以減少SSD需求。

我們預計混合閃存和磁盤存儲供應商將推動類似的信息傳遞，同時數據管理廠商推廣將非關鍵數據從SSD遷移并通過數據減少以將更多信息放入更少的NAND中。根本的供給限制沒有簡單的解決辦法;最好的情況是，行業可以專注于讓情況不那么糟糕。