2026 年一季度至今，存儲器價格較 2025 年四季度暴漲 80%-90%，動態隨機存取存儲器（DRAM）、閃存（NAND）和高帶寬存儲器（HBM）價格均創歷史新高。

為緩解成本壓力，原始設備制造商（OEM）正減少每臺設備的存儲器搭載量，或優先打造配備低功耗雙倍數據率 5 代內存（LPDDR5）的高端產品線，這類產品的價格壓力相對可控。

2025 年四季度，傳統動態隨機存取存儲器的利潤率已反超高帶寬存儲器；而存儲器廠商的營業利潤率預計將在 2026 年一季度創下歷史峰值，營收也將刷新紀錄。

counterpoint research 2026 年 2 月發布的《存儲器價格追蹤報告》顯示，2026 年一季度至今，存儲器價格環比漲幅達 80%-90%，創下前所未有的歷史級暴漲紀錄。此次漲價的核心推手是通用型服務器動態隨機存取存儲器的價格大幅攀升。此外，2025 年四季度表現相對平穩的閃存，在 2026 年一季度也迎來 80%-90% 的同步暴漲。疊加部分高帶寬存儲器 3e（HBM3e）產品的漲價潮，存儲器市場各細分領域均迎來全面暴漲。

以服務器級存儲器為例，64GB 寄存式內存條的合約固定價從 2025 年四季度的 450 美元，飆升至 2026 年一季度的 900 美元以上，且二季度價格大概率將突破 1000 美元關口。

高級分析師崔正奎強調：“對于設備制造商而言，這無疑是雙重打擊 —— 元器件成本上漲疊加消費者購買力減弱，大概率會導致本季度后續的市場需求走弱。這就要求原始設備制造商改變采購模式，或聚焦高端機型，通過為消費者提供更高的產品價值，來支撐產品的漲價行為。”

智能手機廠商正采取兩種應對措施：一是減少設備的動態隨機存取存儲器搭載量，二是用性價比更高的四級單元閃存（QLC）固態硬盤，替代三級單元閃存（TLC）固態硬盤。與此同時，市場趨勢十分明確：目前供應短缺的低功耗雙倍數據率 4 代內存（LPDDR4）訂單量持續下滑，而隨著兼容新一代內存標準的入門級芯片組陸續推出，低功耗雙倍數據率 5 代內存（LPDDR5）的訂單量大幅增長。

崔正奎進一步指出：“存儲器行業的盈利水平預計將達到前所未有的高度。2025 年四季度，動態隨機存取存儲器的營業利潤率已達到 60% 左右，這也是通用型動態隨機存取存儲器的利潤率首次反超高帶寬存儲器。2026 年一季度，動態隨機存取存儲器的利潤率將首次突破歷史峰值。盡管如此，這一局面要么會成為行業新常態，要么會樹立一個極高的行業標桿 —— 目前來看這一標桿十分穩固，但未來若行業迎來下行周期，市場的低迷程度可能會遠超以往。”