中國在存儲器領(lǐng)域的崛起正引發(fā)全球關(guān)注，其中長江存儲的技術(shù)進展尤為突出，該公司推出新一代儲存半導(dǎo)體堆疊層數(shù)約達270層，接近三星電子水平，讓競爭對手驚嘆沒想到技術(shù)竟提升到這種程度。

日經(jīng)新聞報道，在中美科技對抗持續(xù)升溫的背景下，長江存儲因受惠于國產(chǎn)半導(dǎo)體的政策，不僅加速技術(shù)突破，市占也首次邁入全球前列。

市占急升、直逼國際大廠

據(jù)Counterpoint數(shù)據(jù)，長江存儲今年第一季在全球NAND出貨量市占率首次達到10%，第三季更年增4個百分點至13%，緊追位居全球第4的美國美光科技。 隨著大陸品牌筆電與智能手機大量采用其NAND產(chǎn)品，全年市占率可望持續(xù)站穩(wěn)一成以上。

目前長江存儲在全球NAND銷售額約占8%，但公司設(shè)定的目標在2026年底前拉高至15%。 隨著武漢周邊新廠區(qū)陸續(xù)投資完成，其產(chǎn)能將占全球供應(yīng)量約20%，屆時有機會超越日本鎧俠，并直逼韓國SK海力士。

另一方面，在DRAM市場，中國的長鑫存儲也展現(xiàn)擴張力道。 該公司今年第三季市占率達8%，位居全球第4，較2024年同期增加2個百分點; 在大陸本地市占率更高達40%。 不過，在高帶寬記憶體（HBM）領(lǐng)域仍落后韓國廠商約五年，短期內(nèi)難以撼動高端市場。

價格競爭力推動海外版圖

大陸存儲器企業(yè)之所以能快速擴大版圖，關(guān)鍵在于價格優(yōu)勢。 例如 NAND價格普遍比其他國家便宜1~2成。 然而，自2022年起美國將長江存儲列為出口管制對象，日本企業(yè)也顧慮制裁風(fēng)險未積極采用，使其海外發(fā)展受到一定阻力。

即使如此，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會指出，大陸存儲器廠的產(chǎn)品良率仍持續(xù)提升，若未來價差擴大，全球采用比例恐將勢不可擋。

值得注意的是，韓國存儲器廠雖高帶寬記憶體（HBM）市場具有壟斷優(yōu)勢，但其原料與設(shè)備高度依賴海外，且在混合鍵結(jié)等核心技術(shù)上缺乏關(guān)鍵專利，可能面臨專利訴訟風(fēng)險。 相較之下，中國在相關(guān)專利上快速追趕，三星已與長江存儲簽署專利授權(quán)協(xié)議，意味著中國在全球存儲器專利版圖上的影響力正逐步提升。