- 近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設備，項目負責人透露，計劃今年建成投產。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設現場三期擴產與未來目標長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領域的龍頭企業，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責任公司成立，注冊資本600億元。2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司成立，注冊資本達207.2億元?——?由長江存儲持股5
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長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
- 存儲器缺貨嚴峻持續擴大，供應鏈傳出，隨著國際存儲器原廠快速傾斜至服務器市場，導致消費性、汽車市場等將首當其沖，國內NAND Flash領導大廠長江存儲傳將被賦予關鍵的維穩大任，優先支持中國特定產業與應用，確保內需供應鏈穩定，以避免發生斷供、企業裁員的惡性沖擊。供應鏈人士也透露，長江存儲已不滿足于僅作為3D NAND的中國領頭羊，近來低調切入DRAM與高帶寬記憶體（HBM）技術領域，日前更已完成LPDDR5工程樣品開發，預計2026年下半啟動的武漢三期新廠，近期已經封頂，并將以DRAM為擴產重心。 隨著在產
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長江存儲 LPDDR5 NAND
- 全球存儲器市場爆發缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產能，原定于2027年量產的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產。 此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯等帶來競爭壓力，后續發展備受市場關注。長江存儲祭彎道超車奇招朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報道，長江存儲武漢三廠于2025年9月動工，原先預估須待2027年才具備正式量產條件。 然而，當地半導體業界人士透露，長江存儲近期已密集下達NAND Flash生產設備采購訂單，并同步進行工廠啟動與產
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- 上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經成功地將密度提高到行業相同的水平，實現了最高的垂直柵密度，也是現階段商業產品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。據TrendForce報道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，采用長江存儲的專利混合鍵合技術。三星的目標是在2025年下半年開始量產第10代V-NAND閃存，預計總層數達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協議的談判。
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- 據路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月，是國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。
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- 中國在存儲器領域的崛起正引發全球關注，其中長江存儲的技術進展尤為突出，該公司推出新一代儲存半導體堆疊層數約達270層，接近三星電子水平，讓競爭對手驚嘆沒想到技術竟提升到這種程度。日經新聞報道，在中美科技對抗持續升溫的背景下，長江存儲因受惠于國產半導體的政策，不僅加速技術突破，市占也首次邁入全球前列。市占急升、直逼國際大廠據Counterpoint數據，長江存儲今年第一季在全球NAND出貨量市占率首次達到10%，第三季更年增4個百分點至13%，緊追位居全球第4的美國美光科技。 隨著大陸品牌筆電與智能手機大量
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- 據《日經新聞》報道，長江存儲技術公司 （YMTC） 在武漢的第三座 NAND 晶圓廠破土動工，并計劃在 2027 年運行第一塊芯片。據報道，該公司還在擴建其第二家晶圓廠，并考慮進入 DRAM 市場。兩年前，長江存儲推出了一款 232 層 3D NAND 存儲器 X3-9070，具有 QLC、200+ 個活動字行和 19.8 Gb/mm2 的位密度。該芯片采用長江存儲的Xtacking 3.0架構開發，是長江存儲武當山項目的一部分，該項目旨在依靠中國設備進行生產。據 Omdia 估計，長江存儲今年將占全球
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- 總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。根據公開信息，2025年4月，養元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業管理合伙企業（有限合伙），上述兩筆
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- 現在，國產存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司正式注冊成立，注冊資本高達207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設計、銷售及芯片產品進出口，并涉及技術服務、貨物進出口、技術進出口等全鏈條業務，引起了業內廣泛關注。股權結構方面，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司由長江存儲科技有限責任公司與湖北長晟三期投資發展有限責任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責任公司持股比例為50.19%、認繳104億元；湖北長
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- 據報道，為了減少對外國設備的依賴，長江存儲技術有限公司（YMTC）在推動“全國產化”制造設備方面取得了重大突破，首條全國產化的產線將于2025年下半年導入試產。2016年，長江存儲在武漢東湖新技術開發區正式注冊成立，專注于3D NAND閃存芯片的設計、制造與銷售。2022年底，長江存儲被列入美國商務部的實體清單，在無法取得美系先進晶圓制造設備的情況下，仍靠既有工具維持先進NAND Flash產品線的開發與制造，依然積極推進產能擴張計劃。目前，長江存儲的產能已接近每月13萬片晶圓，約占全球產能的8%，計劃在
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半導體設備 國產化 長江存儲
- (圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產能力，目標是在 2026 年底前占據 NAND 存儲器生產市場的 15%，據《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產線。YMTC 將擴大產能至每月 15 萬片晶圓啟動據 DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產能將達到每月
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- 隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產品，混合鍵合技術越來越受到關注。根據 ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關鍵專利方面仍然落后。該報告強調，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關專利相對較少，大幅低于競爭對手長江存儲。 據報道，三星電子已與長江存儲簽署了一項許可協議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術。此舉反映了三星希望規避長江存儲的專利的挑戰，這些專利被認為難以避免。報告指出，長江存儲在其“Xtacking”品牌下大規模生產基于混合鍵合的NAND已有大約四年
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- 3月13日消息，除了首款商用級PCIe 5.0 SSD PC450，長江存儲還披露了首款企業級PCIe 5.0 SSD，型號為“PE511”。它采用長江存儲新一代晶棧4.0閃存，相比于現有的PE321首次增加了16TB、32TB的大容量版本，同時保留3.84他、7.68TB，而最小的1.92TB直接淘汰。接口形態在U.2之外，還新增加了E3.S。由于采用了PCIe 5.0接口，整體性能可提升多達100％，直接翻番，但暫未公開具體數據。在耐久度方面也提升了20％，支持每天4次全盤寫入。發布時間暫時不詳，估計
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- 近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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- 據韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行制造。報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術方面處于全球領先地位。并且三星經過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經無法再避免長江存儲專利的影
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