全球存儲器市場爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。 此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來競爭壓力，后續(xù)發(fā)展備受市場關(guān)注。

長江存儲祭彎道超車奇招

朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報道，長江存儲武漢三廠于2025年9月動工，原先預(yù)估須待2027年才具備正式量產(chǎn)條件。 然而，當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體業(yè)界人士透露，長江存儲近期已密集下達NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備采購訂單，并同步進行工廠啟動與產(chǎn)線建置作業(yè)，量產(chǎn)時程有望提前至2026年下半年。

消息人士指出，從破土動工到啟動量產(chǎn)僅約一年時間，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)罕見，顯示長江存儲采取「邊建廠、邊導(dǎo)入設(shè)備」的加速策略，在廠房尚未完全完工前，即先行進行產(chǎn)線調(diào)校與初期運作。

270層堆疊技術(shù)直逼三星、海力士

長江存儲加速擴產(chǎn)，正值NAND Flash市場迎來超級循環(huán)周期。 不同于DRAM領(lǐng)域，NAND閃存供應(yīng)商眾多，包括三星、SK海力士、美光、日本鎧俠（Kioxia）以及長江存儲本身。 盡管AI浪潮帶動了龐大的需求，但競爭者林立，也讓價格戰(zhàn)風(fēng)險升溫，迫使業(yè)者必須以速度換取市場空間。

在技術(shù)面上，長江存儲的進展同樣受到關(guān)注。 近期分析指出，該公司已掌握270層3D NAND技術(shù)，正快速縮小與三星286層及SK海力士321層之間的差距，且在長期投資與延攬外部專家的加持下，生產(chǎn)良率與穩(wěn)定性已接近一線大廠水平。 即便仍遭美國商務(wù)部列入制裁名單、先進設(shè)備進口受限，長江存儲仍于去年9月啟動武漢三期建設(shè)，展現(xiàn)持續(xù)擴張NAND市占的企圖心。

市占率沖刺13%逼近美光

大陸業(yè)界人士指出，隨著三星子與SK海力士將發(fā)展重心轉(zhuǎn)移至DRAM與高帶寬記憶體（HBM），長江存儲把握2026年這個「黃金時刻」，積極擴張NAND閃存的布局。 在技術(shù)突破及政府強力支持下，預(yù)期未來一至兩年，長江存儲在全球NAND市場的影響力將明顯提升。

據(jù)Counterpoint Research統(tǒng)計，以NAND出貨量為基準，長江存儲的全球市占率在2025年第三季已攀升至13%，年增4個百分點，水平已逼近全球第四大NAND廠美光科技。