近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項目負責(zé)人透露，計劃今年建成投產(chǎn)。

湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設(shè)現(xiàn)場

三期擴產(chǎn)與未來目標(biāo)

長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責(zé)任公司成立，注冊資本600億元。

2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司成立，注冊資本達207.2億元 —— 由長江存儲持股50.19%、湖北長晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司持股49.81%，后者為湖北國資旗下企業(yè)。項目主體長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司同時成立，這一動作標(biāo)志著長江存儲規(guī)劃已久的三期擴產(chǎn)項目進入實施階段。

在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。

去年11月，《日經(jīng)亞洲》曾援引行業(yè)消息稱，2025年長江存儲在全球產(chǎn)能中的份額約為7%至8%，如果三期擴產(chǎn)按計劃完成，長江存儲有望在2026年占據(jù)全球超過10%的市場份額，并有可能超越美國存儲芯片巨頭美光，成為全球第四大存儲芯片制造商。

調(diào)查公司TechInsights的數(shù)據(jù)顯示，中國生產(chǎn)的NAND比其他國家生產(chǎn)的便宜1-2成左右，這一價格優(yōu)勢正在轉(zhuǎn)化為市場份額。2025年，長江存儲在全球NAND出貨量中的份額在第一季度首次突破10%，第三季度進一步攀升至13%，直逼全球第四的美國美光科技。

市場調(diào)研機構(gòu)Omdia估計，2025年長江存儲的資本支出比其全球同行更為積極，約占全球NAND閃存總投資的20%，預(yù)計還將繼續(xù)加速增長。長江存儲全力擴產(chǎn)之際，正值全球AI算力熱潮持續(xù)推高存儲芯片需求，行業(yè)處于新一輪成長周期。市場調(diào)研機構(gòu)Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存價格預(yù)計將在今年一季度上漲超過40%。

政策加持與市場認可

長江存儲已成為全球存儲產(chǎn)業(yè)中“不可忽視的中國力量”，一場圍繞供應(yīng)鏈自主的深刻變革正在中國存儲產(chǎn)業(yè)內(nèi)部發(fā)生。2025年11月底，湖北省委書記王忠林專程調(diào)研長江存儲并主持召開座談會，王忠林在調(diào)研中明確表示，長江存儲是國家重大生產(chǎn)力布局的“國之重器”，要求保障項目早建成早達效。此次調(diào)研釋放了強有力的政策信號。

湖北省領(lǐng)導(dǎo)在調(diào)研中明確表示，要以長江存儲為核心，打造世界級存算一體化產(chǎn)業(yè)基地，并圍繞其加強以鏈招商，帶動形成萬億級集成電路產(chǎn)業(yè)集群。此前，東湖高新區(qū)提出將以長江存儲為核心，在周邊60平方公里范圍內(nèi)打造世界級存算一體化產(chǎn)業(yè)基地，聯(lián)合推進“梧桐樹計劃”，通過需求、設(shè)計、技術(shù)路線與供應(yīng)鏈的協(xié)同對齊，構(gòu)建高效聯(lián)動的產(chǎn)業(yè)協(xié)作生態(tài)。

伴隨全球存儲行業(yè)步入高景氣周期，海外頭部廠商將更多先進產(chǎn)能向高毛利率產(chǎn)品傾斜，為國產(chǎn)成熟制程存儲產(chǎn)品釋放出更多市場空間，長江存儲的相關(guān)產(chǎn)品市場布局迎來新的發(fā)展機遇。

實現(xiàn)技術(shù)趕超

技術(shù)追趕與市場份額提升同步發(fā)生，成為這家中國存儲龍頭2025年的主旋律。當(dāng)行業(yè)關(guān)注點仍停留在其2023年推出的232層芯片時，長江存儲已在2026年初展現(xiàn)出更宏大的產(chǎn)發(fā)行業(yè)震動。但直到2025年，這一技術(shù)突破才真正轉(zhuǎn)化為市場影響力。

按銷量計算，長江存儲已躋身全球前四，僅次于三星、SK海力士和美光。與份額增長同步的是技術(shù)的持續(xù)迭代。在232層芯片量產(chǎn)后，長江存儲已將堆疊層數(shù)提升至約270層，進一步縮小了與三星等領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)差距。

自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)是長江存儲實現(xiàn)技術(shù)趕超的關(guān)鍵。該架構(gòu)通過垂直分離存儲單元與外圍電路，實現(xiàn)了效率與密度的雙重提升，為更高層數(shù)的堆疊提供了技術(shù)基礎(chǔ)。

國產(chǎn)化產(chǎn)線進入關(guān)鍵階段

自2022年底被美國列入實體清單后，長江存儲獲取先進晶圓制造設(shè)備的能力受到極大限制。這一外部壓力反而加速了其設(shè)備國產(chǎn)化的進程。據(jù)摩根士丹利估計，長江存儲的設(shè)備國產(chǎn)化率已達到45%，遠超中芯國際、華虹等國內(nèi)其他主要晶圓廠的平均水平。

2025年下半年，長江存儲在武漢建設(shè)的首條完全使用國產(chǎn)設(shè)備的試驗生產(chǎn)線開始試生產(chǎn)。這條產(chǎn)線被視為中國在減少對外國半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備依賴目標(biāo)上的重要一步。

長江存儲的國內(nèi)供應(yīng)商包括中微公司（蝕刻工具）、北方華創(chuàng)（蝕刻、CVD工具）和拓荊科技等，這些國內(nèi)設(shè)備廠商在蝕刻和沉積工具領(lǐng)域已達到世界一流水平。不過，在光刻等關(guān)鍵領(lǐng)域，中國仍存在明顯差距，上海微電子裝備目前能量產(chǎn)的光刻設(shè)備主要用于90納米工藝技術(shù)。