存儲器缺貨嚴峻持續擴大，供應鏈傳出，隨著國際存儲器原廠快速傾斜至服務器市場，導致消費性、汽車市場等將首當其沖，國內NAND Flash領導大廠長江存儲傳將被賦予關鍵的維穩大任，優先支持中國特定產業與應用，確保內需供應鏈穩定，以避免發生斷供、企業裁員的惡性沖擊。

供應鏈人士也透露，長江存儲已不滿足于僅作為3D NAND的中國領頭羊，近來低調切入DRAM與高帶寬記憶體（HBM）技術領域，日前更已完成LPDDR5工程樣品開發，預計2026年下半啟動的武漢三期新廠，近期已經封頂，并將以DRAM為擴產重心。 隨著在產能擴張與政策任務的雙重驅動下，未來可望重塑全球存儲器版圖。

對此，長江存儲發言體系在記者截稿前并未予回應。

長江存儲進攻HBM前 先行布局DRAM

先前外界曾傳出，長江存儲將以鍵合（bonding）技術投入HBM開發，由于長江存儲先前已透過混合鍵合技術應用于NAND制造，如今要擴大挑戰至HBM前，投入DRAM生產制造也是必經之路。

據悉，長江存儲采取鴨子劃水低調策略，內部提早進行DRAM研發制程，而武漢三期將以DRAM與NAND各約一半的比重進行產能分配，成為長江存儲的第一個DRAM生產據點。

供應鏈業者指出，長江存儲LPDDR5初步樣品已經完成，證明其技術路徑大致完備。

長江存儲跨界搶入DRAM首波直接瞄準LPDDR5，則具有雙重考量：

一來LPDDR5可導入于中系品牌的智能手機供應鏈，其次，考量到數據中心對功耗及能耗等考量，LPDDR5將與數據中心與企業級固態硬盤（SSD）的節能需求相輔相成，但未來長江存儲可望向標準型DDR5以及目前最熱門的HBM推進，進一步攻占高階運算市場。

除了向DRAM版圖擴張，短期內在NAND供應急缺下，長江存儲近期肩負「一家救全村」的重責大任。

供應鏈分析指出，隨著三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）等海外原廠為追求高毛利，導致低毛利率的消費性應用及汽車市場，遭到變相放棄，不少臺系業者透露，近期轉向長江存儲采購NAND Flash相對順暢。

據悉，長江存儲要支持國內存儲市場穩定，不可偏廢單一高利潤市場，必須均衡配置貨源，優先確保本土內需的供應鏈安全，而消費電子如手機與汽車產業更是中國最重要的市場。

盡管長江存儲本身的NAND產能相對有限，但優先供應國產內需市場，至少足以維持許多企業「生命線」。

由于全球NAND原廠近年擴產規劃保守，位產出成長不如往年約30%的高速擴張模式，業界推估，2026年全球NAND原廠總產出約落在1,100~1,200EB，其位成長率僅約10~15%，導致供給缺貨難以解決。

NAND Flash結構性缺貨 仍難緩解

群聯執行長潘健成認為，AI推論產生的儲存需求，呈現無上限的成長。 依照市場成長趨勢來看，任何一家NAND原廠的單獨擴廠，幾乎無法影響現今漲價與缺貨現況，估計全球NAND供給缺口將近20%。

近期市場傳出，長江存儲提前導入三期新廠進入量產，但即便是加快擴廠的供給量，光是要滿足全中國的需求仍是遠遠不夠。

根據其他NAND原廠估計，目前云端服務（CSP）業者對NAND總需求量，對照于現在全球NAND的總供給量，供不應求的缺口也接近15~20%，仍導致整個NAND產業呈現嚴重結構性的供給短缺。