據(jù)《日經(jīng)新聞》報道，長江存儲技術(shù)公司 （YMTC） 在武漢的第三座 NAND 晶圓廠破土動工，并計劃在 2027 年運行第一塊芯片。據(jù)報道，該公司還在擴(kuò)建其第二家晶圓廠，并考慮進(jìn)入 DRAM 市場。

兩年前，長江存儲推出了一款 232 層 3D NAND 存儲器 X3-9070，具有 QLC、200+ 個活動字行和 19.8 Gb/mm2 的位密度。

該芯片采用長江存儲的Xtacking 3.0架構(gòu)開發(fā)，是長江存儲武當(dāng)山項目的一部分，該項目旨在依靠中國設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)。

據(jù) Omdia 估計，長江存儲今年將占全球 NAND 投資的 20%。年。目前，它擁有全球產(chǎn)能的7-8%，但不到全球NAND收入的5%。其目的是將其在全球產(chǎn)能中的份額擴(kuò)大到 10%+，并挑戰(zhàn)美光在 NAND 市場的第四名。