- 臺積電公布了最新的月度營收報告。數據顯示，臺積電2026年1月合并營收突破4000億元臺幣大關，達到了4012.6億元臺幣，同比增長36.8%，環比增長19.8%，再創單月歷史新高紀錄。此前的最高紀錄是2025年10月創下的，當月營收為3674.7億元臺幣。2025年全年，臺積電累計營收約為38090.54億元臺幣，同比增長31.6%。盡管存在AI泡沫擔憂，但全球科技巨頭并未減少芯片訂單。臺積電預期在2024年至2029年的五年期間，AI業務的年復合成長率將達到中到高雙位數（即50%以上）。面對分析師提出
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臺積電 3nm 晶圓廠
- 半導體晶圓廠是全球科技供應鏈的核心支柱。但隨著這類設施成為關鍵基礎設施，其也逐漸淪為網絡威脅的主要攻擊目標。對于芯片制造商而言，維持生產不間斷運行的重要性極高。大型晶圓廠的生產中斷每小時可能造成數百萬美元的損失，任何生產故障都可能在全球范圍內引發連鎖反應。而隨著芯片及其制造晶圓廠成為地緣政治競爭的焦點，這一局面變得愈發復雜。為應對這些風險，芯片行業正重新思考晶圓廠的安全防護策略。行業組織和各國政府正搭建相關框架，助力保障晶圓廠內的工業控制系統安全，這類系統是監控和控制芯片制造流程的核心設備。2023 年末
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半導體 晶圓廠 SEMI 網絡安全
- 隨著全球人工智能浪潮推動資料中心硬體需求激增，美國，存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達240億美元，用于建設一座全新的先進半導體制造工廠，以擴大其NAND Flash的生產能力，預計將于2028年下半年投產。據了解，美光科技此次宣布在新加坡建設的新工廠選址位于美光在兀蘭（Woodlands）現有的制造園區內，240億美元的投資額將在未來10年內分階段完成，預計將新增70萬平方英尺的無塵室（cleanroom）空間，并聚焦NAND Flash芯片的生產。值得一提
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- 據《韓國經濟日報》報道，三星電子位于美國德克薩斯州泰勒市的2nm晶圓廠計劃在今年3月開始對EUV設備進行測試運行，隨后將逐步引入蝕刻和薄膜沉積設備。預計該工廠將在2026年下半年全面啟動2nm制程的量產，月產能目標為5萬片晶圓。 為了確保量產計劃順利推進，三星電子已組建專門團隊，負責從設備運輸到安裝的無縫銜接。據傳聞，三星韓國晶圓廠的2nm制程良率已達到50%。目前，三星已從總部派遣大量頂級工程師前往泰勒市，以加速工廠的量產進程。 此外，三星預計將向當地政府申請1號廠的臨時使用許可證（
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三星 2nm 晶圓廠
- 臺積電在美總投資金額目前規劃為1650億美元，美國商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）預告，他認為臺積電將加碼投資 ——?在美總投資規模有望突破現有規劃，其個人認為最終投資額將超過2000億美元。對于未來投資規模，他賣關子稱“我會讓臺積電自己去宣布，他們的（投資）規模還會比這（1650億美元）更高”，暗示現有規劃可能進一步擴大。目前尚無臺積電對盧特尼克說法的回應。拜登2022年簽署「芯片法案（CHIPS and Science Act）」，投入527億美元促進美國半導體芯片制
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臺積電 晶圓廠
- 在半導體產業全球布局調整的背景下，臺積電在美國的產能擴張計劃正面臨嚴峻的盈利挑戰。據行業分析師Jukan在社交平臺X披露雖然臺積電美國亞利桑那州晶圓廠（Fab 21）在量產后不久就實現了盈利，但其平均每片晶圓的成本高達16,123美元，比臺積電臺灣晶圓廠（Fab 18）的6681美元高出了141%。根據SemiAnalysis分享成本分析數據來看，從每片晶圓的平均成本構成來看，Fab 21每片晶圓的原材料成本為3040美元，是Fab 18的1520美元的兩倍；Fab 21每片晶圓的人工成本為3600美元，
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- 據消息報道，中國臺灣擔心臺積電進軍美國市場會削弱臺灣在半導體領域的領先地位，因此正在考慮制定新的出口規則，只允許這家全球最大的晶圓代工廠出口比其最先進生產節點落后兩代的技術。如果這項規則實施，可能會減緩臺積電在美國的擴張步伐，而臺積電目前正在美國積極建設先進的晶圓廠。這項新出口政策的核心是「N-2」規則，新的框架則更為嚴格，該規則僅允許在海外部署落后中國臺灣領先技術兩代的工藝技術。此前，中國臺灣一直堅持「N-1」規則，允許臺積電出口所有落后臺灣領先制造工藝至少一代的技術。根據不同的技術世代劃分標準，這意味
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- 當地時間12月17日，模擬芯片大廠德州儀器（TI）宣布，其位于美國得州謝爾曼（Sherman）的首座300nm新晶圓廠SM1已正式量產。德州儀器指出，謝爾曼的首座晶圓廠SM1已開始向客戶交付芯片，并準備將產量提升至每日數千萬顆芯片。而第二座晶圓廠SM2 廠也已在建設中。據介紹，這兩座晶圓廠均為德州儀器今年早前宣布的600億美元美國半導體制造投資計劃的一部分。德州儀器計劃在謝爾曼投資400億美元建設四座晶圓廠，除了SM1、SM2 外，另外兩座晶圓廠SM3 及SM4 將于未來興建。德州儀器總裁兼首席執行官Ha
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德州儀器 謝爾曼 12英寸 晶圓廠 量產
- 中國臺灣的臺積電（TSMC）將鳳凰城打造成半導體制造中心的過程，揭示了美國大型項目建設面臨的重重困境。本文作者彼得?古德曼從事貿易相關報道已有 25 年，其中在亞洲工作超過 10 年，對不同地域的實際情況有深入了解。在索諾蘭沙漠一片空曠的土地上拔地而起的半導體芯片工廠，彰顯著 “規模宏大” 的真正含義。這個綜合體項目占地 1149 英畝（約 4.65 平方公里），面積比紐約中央公園還要大，總投資額高達 1650 億美元，是全球耗資最高的工程之一。在鳳凰城（菲尼克斯）北部邊緣，這片工廠集群象征著美國追求工業
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臺積電 2納米 晶圓廠
- 12 月 14 日消息，參考媒體 Light Reading 報道，NXP 恩智浦已做出了關閉亞利桑那州錢德勒 ECHO Fab 晶圓廠的決定，該企業也將退出氮化鎵 (GaN) 半導體 5G PA（功率放大器）芯片的制造。2020 年 9 月投產的 ECHO Fab 當時是最先進的同類生產設施。而在 2027 年第一季度，這座生命周期不到七年的 6 英寸晶圓廠將完成最后一片晶圓的生產。恩智浦在一份郵件中表示：近年來，由于移動運營商投資回報不足，5G 部署進程放緩，全球 5G 基站部署數量遠低于最初預期。鑒
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恩智浦 ECHO Fab 晶圓廠 氮化鎵 5G PA 芯片制造
- 據日經報道，臺積電正在考慮升級其尚未建成的Fab 23二期產能，以期在日本生產其N4工藝技術（4納米級）芯片。對像臺積電這樣的代工廠來說，推進晶圓廠能力并不意外，因為他們通常會順應需求。更令人驚訝的是，臺積電已撤出現場重型機械設備，并通知供應商，2026年全年日本不再需要新廠房工具。臺積電位于日本熊本附近的Fab 23第二階段（又稱JASM第二階段）預計將生產N6（6納米級）和N7（7納米級）制造技術的芯片，這將補充該公司Fab 23第一階段的能力，后者使用40nm、28nm、22nm、16nm和12nm
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- 近日，英偉達宣布入股新思科技，并開啟多年深度合作，引發行業廣泛關注。作為一家以算力和應用見長的芯片公司，為什么要親自“下場”綁定一家 EDA 工具商？與之相呼應的是，臺積電早已與楷登電子在先進制程與 3D 封裝上形成緊密合作，把工藝規則直接嵌入設計工具之中。 這一系列動作清晰地揭示了一個深層趨勢：在摩爾定律逼近極限、先進封裝成為算力增長核心引擎的今天，半導體產業的競爭范式正從單一的制程競賽，轉向系統級的協同優化。想要繼續提升性能、控制成本，就必須實現“工藝 + EDA + 設計”的深度協同，而
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- 短短一周內，臺積電先后提請了兩起公開訴訟，背后都是涉及公司商業機密可能被泄露。兩起訴訟雖然都是針對前員工，但實際上真正的目標是敲打兩個競爭對手，日本的Rapidus和美國的英特爾。臺積電的統治力有多強，公司年凈利潤率高達40%，市場占有率超過35%（2025年Q2 Counter Point數據，全球半導體制造，非純代工），這個數據的離譜程度大概只有英偉達市值占全球半導體總市值的36%可以相提并論。Rapidus學什么？勇氣！當全球各個國家都在搶奪半導體先進制造時，失落的帝國日本在經歷多次失敗后，決定推出
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- 作為應用材料公司自動化產品部市場營銷與戰略規劃總監，David Hanny的團隊經常有機會與客戶進行深入交流。因此，應用材料公司對行業的需求有著深刻洞察，今天David Hanny想分享一些來自客戶的反饋。當與客戶溝通時，他們普遍關注四大核心需求，這是他們需要為其終端客戶提供的服務。David Hanny團隊最近有機會與一些不同芯片的領先供應商進行了交流，比如汽車行業的大陸集團和博通公司，此前也與蘋果、高通等企業進行過類似的交流。他們始終面臨的首要挑戰是生產質量。作為計算機半導體制造商，他們致力于生產可靠
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- 據可靠內部消息人士蒂姆·卡爾潘（Tim Culpan）透露，9月下旬，臺積電美國亞利桑那州Fab 21晶圓廠意外發生事故 —— 其一家供應商突發停電，導致數千片在制晶圓被迫報廢。臺積電發言人已確認供應商停電屬實，但未回應此次事故造成的實際損失。這起事故起因是臺積電外包商英國工業氣體與工程公司林德集團（Linde）出現電力故障，切斷了芯片制造所需的關鍵氣體原料供應，迫使Fab 21停擺數小時。值得注意的是停電并未導致工廠本身斷電，與多數半導體生產設施一樣，該廠配備了自備發電機以應對突發停電，但事故切斷了生產
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