SEMI:到2028年全球300毫米晶圓廠設備支出將達到 $374B
根據 SEMI 在 SEMICON West 上發布的最新 300 毫米晶圓廠展望報告,預計 2026 年至 2028 年間,全球 300 毫米晶圓廠設備支出將達到 3740 億美元。這一激增反映了區域晶圓廠的擴張、人工智能芯片需求的蓬勃發展以及全球半導體自給自足的推動。
對于eeNews Europe的讀者來說,這些預測凸顯了芯片制造能力以及相應的設備機會下一步將擴大到哪里,從而影響歐洲不斷發展的半導體生態系統中的供應商、代工廠和材料供應商。
人工智能和區域化推動晶圓廠擴張
根據 SEMI 的數據,2025 年將標志著全球 300 毫米晶圓廠設備支出首次突破 1000 億美元,增長 7% 至 1070 億美元。預計該行業將繼續攀升,2026 年將達到 1160 億美元,2027 年將達到 1200 億美元,2028 年將達到 1380 億美元,反映出邏輯、內存和電源領域的持續勢頭。

300mm 晶圓廠展望,3Q25 更新(來源:SEMI)。
SEMI 總裁兼首席執行官 Ajit Manocha 表示:“在對人工智能技術前所未有的需求以及對區域自給自足的重新關注的推動下,半導體行業正在進入一個關鍵的轉型時代。“戰略性的全球投資和合作正在推動穩健、先進的供應鏈和下一代半導體制造技術的更快部署。300 毫米晶圓廠的全球擴張將推動數據中心、邊緣設備和數字經濟的進步。
到 2028 年,Logic & Micro 部門預計將以 1750 億美元的投資引領潮流,這得益于 2nm 以下的晶圓代工廠建設以及全環繞柵極 (GAA) 和背面供電等先進技術。SEMI預測,1.4納米工藝技術將在2028-2029年進入量產,進一步加速人工智能和邊緣設備性能提升。
與此同時,內存領域將出現反彈,總支出將達到 1360 億美元,其中 DRAM 支出為 790 億美元,3D NAND 支出為 560 億美元。需要高帶寬和低延遲內存的 AI 工作負載繼續推動對 HBM 和 NAND 存儲的需求,刺激整個供應鏈的長期投資。模擬和電源相關領域將分別額外貢獻 410 億美元和 270 億美元。
中國領先,歐洲崛起
從地區來看,中國仍將是支出最大的國家,2026 年至 2028 年間投資額為 940 億美元,其次是韓國 ($86B) 和臺灣 ($75B)。美洲預計將投資 600 億美元,反映出芯片生產本地化和滿足不斷增長的人工智能相關需求的持續努力。
離國內更近一點,歐洲和中東預計將投資 140 億美元,而日本和東南亞將分別投資 320 億美元和 120 億美元。SEMI 指出,政策激勵措施正在推動所有三個地區的晶圓廠建設和設備支出,預計到 2028 年,投資將比 2024 年增長 60% 以上。
新的 SEMI 報告是 300 毫米晶圓廠預測數據庫的一部分,跟蹤了全球 391 家晶圓廠和生產線,其中包括自 2025 年 1 月以來新增的 9 個設施。






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