英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網的讀者而言，這一消息清晰體現出碳化硅的應用正加速突破牽引逆變器領域，延伸至汽車核心的功率轉換模塊；同時也凸顯出車企正愈發廣泛地采用寬禁帶半導體器件，以實現電動汽車快充提速、續航提升等可量化的性能優化。碳化硅深度融入豐田電動汽車功率電子系統據官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
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英飛凌 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 豐田 bZ4X
在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區的真相（誤區一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術創新應對這些挑戰。常見誤區2：“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp，電阻越小，產品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會影響可靠性”01多元化的性能評價更全面Rsp并非唯一評價標準雖然Rsp越小
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英飛凌 碳化硅 MOSFET
電動汽車 (EV)、可再生能源系統和人工智能 (AI) 數據中心等領域電氣化進程的持續提速，正不斷給電源系統帶來更大壓力，對電源系統的效率、小型化及低溫運行能力提出了更高要求。這構成了一個長期存在的難題：功率密度的提升與系統尺寸的縮減往往會造成嚴重的散熱瓶頸。這是當下電源系統設計人員面臨的核心挑戰，高效的散熱管理已成為一大設計難關。全球市場正加速碳化硅 (SiC) 技術的應用落地，但散熱設計卻時常成為掣肘 SiC 性能發揮的因素。傳統封裝方案往往力不從心，難以滿足大功率碳化硅
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安森美 散熱 碳化硅 T2PAK封裝
安森美（onsemi）憑借其業界領先的Si和SiC技術，從變電站的高壓交流/直流轉換，到處理器級的精準電壓調節，為下一代AI數據中心提供了從3kW到25-30kW HVDC的供電全環節高能效、高密度電源解決方案。特別是近期，安森美攜手英偉達，共推下一代AI數據中心加速向800V直流供電方案轉型，這種技術能力的廣度和深度使安森美成為少數能以可擴展、可實際落地的設計滿足現代AI基礎設施嚴苛供電需求的公司之一。在2025 PCIM Asia 展會期間，安森美 SiC JFET產品市場經理Brandon Beck
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歲末將至，回顧2025年科技領域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創新產品與前沿技術，為行業發展注入強勁動力，成為行業矚目的焦點。小編貼心地按照產品發布和技術發布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點產品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！01產品發布：多元布局，精準覆蓋多領域需求1CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管：多種封裝組合全面升級，滿足多樣化應用場景11.8CoolSiC? MOSFET G2 1200V單管CoolSiC? MOSFET G2 1400V
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英飛凌 碳化硅
●? ?動態無線充電道路系統可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時為其充電●? ?英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動汽車搭載更小的電池，實現24小時全天候運行●? ?動態無線充電道路系統解決方案是減少交通運輸領域碳排放的一項關鍵創新Electreon?的動態無線充電系統采用英飛凌的碳化硅模塊，大幅提升了其性能、可靠性與能效英飛凌科技股份公司將為領先的電動汽車（EV）無線充電解決方案提供商 Electreon提供定制碳化硅（S
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Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準備與電源模塊內的MOSFET和二極管芯片進行頂部線連接。反金屬化兼容燒結和焊接。該硅吸收器設計用于直流鏈路，最高可達1000伏直流，峰值可達1200伏，擊穿額定值將超過1500伏。據公司介紹，它們“在電壓超過150伏時保持恒定電容，并在10nA附近表現出泄漏電流”。“有多種R和C組合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具體生產
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全硅 RC 緩沖器 碳化硅 MOSFET 電壓瞬變抑制
創新型碳化硅功率解決方案的全球引領者 Wolfspeed 公司近日宣布與全球可再生能源解決方案創新者深圳市禾望電氣股份有限公司（禾望電氣，Hopewind）達成合作。兩家公司通過將 Wolfspeed 尖端的 2.3 kV LM Pack 模塊集成到禾望電氣先進的高度模塊化、輕量化的 950 Vac 風電變流器之中，共同推動下一代風電解決方案的開發。作為中國最大的風電變流器供應商之一，禾望電氣對其風電解決方案采用了新穎的方法：該產品采用碳化硅（SiC）器件和高可靠性封裝技術，實現了功率密度提升 38% 和
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禾望電氣 Wolfspeed 碳化硅 風能
安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術及相關知識產權（IP）的授權交易。此項戰略交易增強了安森美的電源管理產品組合與路線圖，加速實現公司在人工智能（AI）數據中心應用中覆蓋從電網到核心的完整電源樹的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技術領域擁有數十年的創新積累，為固態變壓器、電源、800 V直流配電以及核心供電等應用提供行業領先的解決方案。通過整合這些技術，安森美將成為少數幾家能夠以可擴展、實用的設計，滿足現代AI基礎設施嚴苛電力需求的公司
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安森美 奧拉 Vcore 碳化硅 SiC
全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed, Inc. 公司近日宣布已成功完成其財務重整流程，并已退出美國《破產法》第 11 章的保護。通過此次重整，Wolfspeed 將其總債務削減了約 70%，債務到期日延長至 2030 年，年度現金利息支出也隨之降低了約 60%。此外，公司認為其保持有充足的流動性，可繼續為客戶提供領先的碳化硅解決方案。憑借由自由現金流生成能力支撐的自籌資金商業計劃，Wolfspeed 已蓄勢待發，將充分利用其垂直整合的 200 mm 制造基地，并以安全、可擴展的本土供應鏈為后盾，來推
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Wolfspeed 碳化硅
碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優于傳統硅，全球領導者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先。現在，韓國也加大了力度——Maeil 商業報紙報道，釜山已開啟了韓國首個 8 英寸碳化硅功率半導體工廠。據報道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產設施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國首次能夠完全本土化生產 8 英寸碳化硅功率半導體。如《韓國先驅報》所強調，釜山廣域市政府將項目的完成視為一個關鍵里程碑，旨在提升國內8英寸碳化硅功率半導體的生產并
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碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
8 月 27 日，三安在投資者關系平臺上宣布，其湖南三安半導體基地的 8 英寸碳化硅（SiC）芯片生產線正式投產。湖南三安的 8 英寸 SiC 芯片線從建設到投產不到一年，進展比預期更快。截至 2025 年 8 月，湖南三安已建立起相對完整的 SiC 產業鏈產能：6 英寸 SiC 產能為每月 16000 片，8 英寸襯底和外延產能分別為每月 1000 片和 2000 片。此外，該公司還有氮化鎵-on-Silicon 產能為每月 2000 片。湖南三安碳化硅項目的總投資額為160億元人民幣，目標是建立一個兼
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碳化硅 芯片 晶圓廠
隨著人工智能（AI）快速發展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領導者臺達電子工業股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達電子”）簽署全新合作協議。雙方將攜手在臺達設計中應用Microchip的mSiC?產品與技術，通過雙方合作加速創新型碳化硅（SiC）解決方案、節能產品及系統的開發，助力構建更可持續的未來。Microchip負責高功
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7月9日，深圳基本半導體股份有限公司子公司——基本封裝測試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導體和深圳市投控基石新能源汽車產業私募股權投資基金合伙企業（有限合伙）共同注資。此舉標志著基本半導體在車規級碳化硅領域的戰略布局又邁出重要一步，為后續研發創新和產能擴充奠定堅實基礎。戰略資本加持 助力新能源汽車產業發展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產業基金的戰略支持，是對基本半導體在新能源汽車功率器件領域技術積累和市場優勢的充分認可。該基金是
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基本半導體 碳化硅 車規級
近日，深圳基本半導體股份有限公司（簡稱“基本半導體”）宣布完成D輪融資，融資金額達1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發區科創產業母基金與中山金控聯合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術研發、產能擴張以及市場拓展。基本半導體成立于2016年，是一家專注于碳化硅功率器件研發與制造的高新技術企業。其核心產品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產品以低損耗、高頻率等優勢，廣泛應用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領
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基本半導體 碳化硅
碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發現
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [
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