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碳化硅技術社區(qū)

碳化硅

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現Top 愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。查看更多>>

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碳化硅資訊

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

散熱難題終結者！細數碳化硅T2PAK封裝的優(yōu)勢

電動汽車 (EV)、可再生能源系統和人工智能 (AI) 數據中心等領域電氣化進程的持續(xù)提速，正不斷給電源系統帶來更大壓力，對電源系統的效率、小型化及低溫運行能力提出了更高要求。這構成了一個長...

安森美散熱 2026-01-19

安森美全鏈路碳化硅解決方案，賦能AI時代高效能源變革

安森美（onsemi）憑借其業(yè)界領先的Si和SiC技術，從變電站的高壓交流/直流轉換，到處理器級的精準電壓調節(jié)，為下一代AI數據中心提供了從3kW到25-30kW HVDC的供電全環(huán)節(jié)高能效、高密度電源解決方案。特別是近...

安森美碳化硅 2026-01-13

年終盤點：英飛凌2025年碳化硅領域重磅產品與技術驚艷亮相

歲末將至，回顧2025年科技領域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創(chuàng)新產品與前沿技術，為行業(yè)發(fā)展注入強勁動力，成為行業(yè)矚目的焦點。小編貼心地按照產品發(fā)布和技術發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點產品，方便各...

英飛凌碳化硅 2025-12-25

英飛凌高功率碳化硅技術升級優(yōu)化助力Electreon動態(tài)無線充電道路系統升級

●? ?動態(tài)無線充電道路系統可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時為其充電●? ?英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動汽車搭載更小的電池，實現24小時全天候運行●? ?動態(tài)無線充電道路系統解決方案是減少交通運輸...

英飛凌碳化硅 2025-12-16

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碳化硅專欄

碳化硅芯片的設計和制造

首先，下圖是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。（圖一.制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate Pad)和開爾...

碳化硅 2024-06-02

喜報！讓碳化硅瘋狂生長-科友半導體晶體厚度突破80mm！

5月29日，科友半導體碳化硅晶體生長車間傳來捷報，自主研發(fā)的電阻長晶爐再次實現突破，成功制備出多顆中心厚度超過80mm，薄點厚度超過60mm的導電型6英寸碳化硅單晶，這也是國內首次報道和展示厚度超過60mm的碳化硅原生錠...

碳化硅 2024-05-31

碳化硅晶片的化學機械拋光技術

碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩(wěn)定性好、彈性模量大、比剛度大、導熱性能好和耐腐蝕等性能，在現代工業(yè)領域應用廣泛：在半導體領域，利用其具有禁帶寬度、擊穿場強高和導熱性良好等特性，SiC成為繼第一代半導體硅(Si)和第二代半導...

碳化硅 2024-01-24

碳化硅與第三代半導體的淵源

一、什么是碳化硅（SiC）？碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經...

碳化硅 2023-12-19

中國碳化硅（國內三杰）產能跟蹤

中國碳化硅（國內三杰）產能跟蹤：1，東尼電子年產碳化硅襯底13.50萬片（前三交貨進度100%完成）2024年、2025年分別向該客戶交付6英寸碳化硅襯底30萬片和50萬片，下半年開始8英寸小批量開始交貨。2. 天科合達...

碳化硅 2023-12-14

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG 設備顯示出以下優(yōu)點：1.寬帶隙半導體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化鎵的帶隙為3.2 eV，而碳化硅的帶...

碳化硅 2023-12-08

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E點冷知識：GaN & SiC 大比拼

本期E點冷知識：GaN & SiC 大比拼...

慕尼黑華南電子展與愛仕特科技共話

【PI】1700V碳化硅Automotive應用

查看更多>> 碳化硅電路方案

動態(tài)測試證實了 SiC 開關頻率的準確性

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅動器的重要性

SiC MOSFET半橋模塊用于開關電源，系統效率能達到99%

SiC功率模塊關鍵在價格，核心在技術

微電子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展

碳化硅資料

國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊及單管在充電樁電源模塊中的應用

碳化硅充電樁 2025-01-18 立即下載

Qorvo UF3C065030B3 650 V、27毫歐姆碳化硅(SiC) FET產品

Qorvo 碳化硅 2024-08-08 立即下載

利用適合的拓撲結構和碳化硅優(yōu)化您的不間斷電源(UPS)設計

onsemi UPS 2022-05-31 立即下載

有效測量碳化硅(SiC) 功率電子系統中的信號

碳化硅 SiC 2022-04-02 立即下載

高效測量碳化硅(SiC)電源系統中的信號

碳化硅 SiC 2022-04-02 立即下載

有效測量碳化硅(SiC)功率電子系統中的信號

泰克碳化硅 2022-04-02 立即下載

0150SC-1250M

0150SC-1250M 碳化硅 2016-07-25 立即下載

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碳化硅論壇

07-25 11種封裝的國產碳化硅模塊及新工藝頂部散熱產品介紹應用

Ewyas|瀏覽：1642|回復：3| Ewyas 2025-08-07 13:58:53

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Ewyas|瀏覽：3185|回復：4| Ewyas 2025-08-07 13:59:06

04-15 麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅（SiC）項目問題

seving|瀏覽：1053|回復：0| seving 2025-04-15 14:47:21

03-28 碳化硅肖特基勢壘二極管

suncat0504|瀏覽：912|回復：2| xqh518 2024-04-05 12:07:03

03-28 碳化硅（SiC）功率元器件的特點

suncat0504|瀏覽：986|回復：1| 戈壁灘上綻放 2024-03-28 12:58:10

03-28 碳化硅（SiC）的物理性質和特點

suncat0504|瀏覽：1697|回復：3| tanfpga 2025-01-28 00:56:48

03-28 碳化硅（SiC）功率元器件

suncat0504|瀏覽：727|回復：0| suncat0504 2024-03-28 12:08:05

04-11 碳化硅SiCMOSFET:低導通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

990123167|瀏覽：1838|回復：3| suncat0504 2023-04-19 09:04:03

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