英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。

對于歐洲電子工程新聞網的讀者而言，這一消息清晰體現出碳化硅的應用正加速突破牽引逆變器領域，延伸至汽車核心的功率轉換模塊；同時也凸顯出車企正愈發廣泛地采用寬禁帶半導體器件，以實現電動汽車快充提速、續航提升等可量化的性能優化。

碳化硅深度融入豐田電動汽車功率電子系統

據官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直流轉換器專門搭載了英飛凌 CoolSiC 碳化硅 MOSFET，這兩大核心子系統直接影響車輛的充電效率、熱性能及集成封裝密度。

英飛凌表示，碳化硅材料本身具備低損耗、高耐熱性和高耐壓的固有優勢，這是其能夠提升系統級性能的核心原因；從實際應用來看，這些優勢能切實幫助電動汽車實現續航延長與充電時間縮短。

英飛凌還將此次合作視為汽車電動化轉型大趨勢的一部分，在這一趨勢下，功率電子系統正成為整車廠打造產品差異化的核心環節。

英飛凌汽車事業部執行副總裁兼首席銷售官彼得?舍費爾表示：“作為全球頂尖車企之一的豐田選擇了英飛凌的 CoolSiC 技術，我們深感榮幸。碳化硅能有效提升電動汽車的續航、效率與整體性能，因此成為未來移動出行領域的關鍵技術。憑借對創新的堅持、對零缺陷品質的追求，我們已做好充分準備，滿足電動汽車領域持續增長的功率電子器件需求。”

溝槽柵型 CoolSiC 器件：兼顧效率提升與驅動電路簡化

英飛凌介紹，其 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 采用溝槽柵結構設計，可降低歸一化導通電阻并縮小芯片尺寸。這一設計組合能有效減少導通損耗與開關損耗，而損耗的降低正是提升汽車功率轉換效率的關鍵抓手。

官方消息還強調，該器件在設計層面完成了多項優化，可滿足車載充電器和直流 - 直流轉換器對高集成密度、高可靠性的設計要求。英飛凌通過優化寄生電容與柵極閾值電壓，實現了單極性柵極驅動，這一特性能夠簡化汽車功率系統中的柵極驅動電路設計。

此次斬獲豐田 bZ4X 的配套訂單后，英飛凌正將 CoolSiC 打造為可擴展的碳化硅平臺，以適配越來越多向寬禁帶功率器件升級的汽車電動化子系統。