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英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動IC，加速SiC方案設(shè)計(jì)

英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現(xiàn)有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業(yè)與能源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工程師而言，這一產(chǎn)品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設(shè)計(jì)控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時，這也凸顯了當(dāng)前柵極驅(qū)動器性能正不斷演
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SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊

汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產(chǎn)工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應(yīng)晶體管裸片，是雙方戰(zhàn)略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能是通過邏輯信號控制驅(qū)動電機(jī)，并生成驅(qū)動電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)所需的高頻電流。牽引逆變器作為電動汽車高壓電池與驅(qū)動電機(jī)之間的橋梁，核心作用是將電池輸出的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，進(jìn)而精準(zhǔn)調(diào)控電機(jī)的轉(zhuǎn)速、扭矩等關(guān)鍵運(yùn)行參數(shù)。目前，市面上的電動汽車大多搭載 400V 電壓平臺的電池包。為實(shí)現(xiàn)更快的充電速度與更高的系
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功率電路進(jìn)階教程：SiC JFET 如何實(shí)現(xiàn)熱插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護(hù)系統(tǒng)取得重大進(jìn)步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過
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功率電路進(jìn)階教程：固態(tài)斷路器采用SiC JFET的四個理由

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護(hù)系統(tǒng)取得重大進(jìn)步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過浪涌電流、應(yīng)對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態(tài)斷路器。本文為系列教程的第二部分，將介紹SSCB 采用 SiC JFET 的四個理由。斷路器制造商首要關(guān)注的是發(fā)熱問題。所有半導(dǎo)體在電流流過其中時都會產(chǎn)生熱量。這種熱量可以用導(dǎo)通電阻來衡量，其表示符號為 RDS(on) 。當(dāng)然，
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聚焦固態(tài)斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設(shè)備的安全運(yùn)行，離不開對長時間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護(hù)。這些風(fēng)險若未及時管控，輕則導(dǎo)致設(shè)備損壞，重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系統(tǒng)電壓等級持續(xù)提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現(xiàn)的最大故障電流已達(dá)到前所未有的水平，對保護(hù)裝置的響應(yīng)速度與耐受能力提出了更嚴(yán)苛的要求，超快速交流/直流斷路器由此成為關(guān)鍵需求。在過去很長一段時間里，機(jī)械斷路器（EMB）始終是這類保護(hù)場景的主流選擇。但隨著用電場景對可靠性、響應(yīng)速度的要求不斷升級，傳統(tǒng)機(jī)械斷路器的局限性逐漸凸顯，而固態(tài)斷路器（SSCB
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Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業(yè)能源管理技術(shù)新征程

全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創(chuàng)新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進(jìn)的功率半導(dǎo)體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標(biāo)志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新與系統(tǒng)優(yōu)化上的深度融合，共同致力于推動汽車與工業(yè)能源管理領(lǐng)域的發(fā)展。利普思的功率模塊憑借卓越的性能和可靠性，廣泛應(yīng)用于電動汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源系統(tǒng)及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換等高要求場景。隨著市場對高效率、功率密度及可靠性需求的不斷提升，利普思正積極探索能在更高開關(guān)頻率與電壓下穩(wěn)定運(yùn)行的碳化硅（SiC）功率器件。
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SiC市場發(fā)展周期修正

Power SiC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業(yè)現(xiàn)正進(jìn)入調(diào)整周期。汽車市場放緩導(dǎo)致硅碳需求下降，硅碳供應(yīng)鏈發(fā)生了轉(zhuǎn)變。利用率下降、產(chǎn)能過剩和投資減少的循環(huán)引發(fā)了行業(yè)參與者的擔(dān)憂。盡管放緩，SiC仍是電氣化路線圖的核心，預(yù)計(jì)到2030年設(shè)備收入將接近100億美元。行業(yè)首個重大投資周期由2019-2024年資本支出熱潮推動，造成了顯著的上游產(chǎn)能過剩。設(shè)備資本支出在2023年達(dá)到約30億美元的峰值，導(dǎo)致上游硅碳價值鏈出現(xiàn)顯著產(chǎn)能過剩。20
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硅質(zhì)原材料價格上漲，而6英寸基材則引發(fā)價格戰(zhàn)

截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結(jié)構(gòu)分歧的關(guān)鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應(yīng)過剩下持續(xù)暴跌。然而，在應(yīng)用方面，SiC卓越的導(dǎo)熱率使其成為英偉達(dá)Rubin平臺和臺積電先進(jìn)封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略材料，預(yù)示著由高性能計(jì)算應(yīng)用驅(qū)動的高價值增長第二波浪潮。硅基價格趨勢：原材料上漲壓力，高端基材價格大幅降幅SiC市場在定價動態(tài)上展現(xiàn)出明顯的差異。一方面，散裝SiC材料的價格——如黑色和綠色SiC粉末及顆粒——一直在上漲。根據(jù)包括CIP
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安森美已完成獲得奧拉半導(dǎo)體Vcore電源技術(shù)授權(quán)

安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導(dǎo)體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術(shù)及相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)（IP）的授權(quán)交易。此項(xiàng)戰(zhàn)略交易增強(qiáng)了安森美的電源管理產(chǎn)品組合與路線圖，加速實(shí)現(xiàn)公司在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中覆蓋從電網(wǎng)到核心的完整電源樹的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域擁有數(shù)十年的創(chuàng)新積累，為固態(tài)變壓器、電源、800 V直流配電以及核心供電等應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。通過整合這些技術(shù)，安森美將成為少數(shù)幾家能夠以可擴(kuò)展、實(shí)用的設(shè)計(jì)，滿足現(xiàn)代AI基礎(chǔ)設(shè)施嚴(yán)苛電力需求的公司
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體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS（儲能系統(tǒng)）以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度

●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導(dǎo)體產(chǎn)品的客戶提供第二供應(yīng)商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計(jì)與采購的靈活性●? ?此類產(chǎn)品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務(wù)執(zhí)行官伊野和英（右）全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
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羅姆與英飛凌攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對應(yīng)用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。未來，用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應(yīng)用需求，亦可輕松實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升用戶在設(shè)計(jì)與采購環(huán)節(jié)的便利性。英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁　Peter
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175℃極限突破！SiC JFET 讓固態(tài)斷路器（SSCB）無懼高溫工況

斷路器是一種用于保護(hù)電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護(hù)人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD）或接地故障斷路器（GFCI）。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機(jī)電式斷路器的設(shè)計(jì)可追溯至 20 世紀(jì) 20 年代，如今仍被廣泛應(yīng)用。與早期的熔斷器設(shè)計(jì)相比，斷路器具有顯著優(yōu)勢 ——可重復(fù)使用，而早期的熔斷器使用一次后就必須更換。如今，隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，固態(tài)斷路器正占據(jù)更大的市場份額。與硅基半導(dǎo)體相比，寬禁帶半導(dǎo)體開關(guān)在正常運(yùn)行期間具有更低的通態(tài)損耗和更高的效率
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SiC推動電動汽車向800V架構(gòu)轉(zhuǎn)型，細(xì)數(shù)安森美的核心SiC方案

隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流，人們對電動汽車的性能、充電時間和續(xù)航里程的期望持續(xù)攀升。要滿足這些需求，不僅需要在用戶界面層面進(jìn)行創(chuàng)新，更要深入動力系統(tǒng)架構(gòu)展開革新。而推動這一演進(jìn)的關(guān)鍵趨勢之一，便是電池系統(tǒng)從400V向800V（乃至1200V）的升級。這種轉(zhuǎn)變能實(shí)現(xiàn)充電提速、功率提升與能源高效利用，但同時也帶來了新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)正處于這一變革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解決方案，包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽車功率模塊(APM)
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SiC和GaN技術(shù)重塑電力電子行業(yè)前景

電力電子行業(yè)將進(jìn)入增長的最后階段，預(yù)計(jì)到 2025 年評估市場價值將達(dá)到 517.3 億美元，到 2030 年將達(dá)到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復(fù)合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)的需求穩(wěn)步增長。增長動力：市場的積極勢頭源于相互關(guān)聯(lián)的現(xiàn)象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實(shí)現(xiàn)碳中和，包括太陽能光伏和風(fēng)電場在內(nèi)的可再生能源系統(tǒng)將成為主流。因此，電力電子設(shè)備被用于這些系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)高效的能源轉(zhuǎn)換、電網(wǎng)集成和實(shí)時管理。交通電氣化隨著電動汽車和混合動力汽車不再被視為小眾市場，現(xiàn)在對高性能
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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細(xì) ]