ROHM近日推出一款2012封裝尺寸（2.0mm × 1.2mm）的電流檢測元件——UCR10C系列，旨在滿足汽車和工業系統對更高功率處理能力與可靠性的日益增長需求。該系列產品采用燒結金屬結構，在保持緊湊外形的同時顯著提升了額定功率。對于《eeNews Europe》的讀者而言，若您正在開發電動汽車電驅系統、工業變頻器或大電流直流系統，那么在標準封裝尺寸內實現更高功率處理能力，有助于簡化PCB布局，并可能減少電路板面積。此外，其優異的溫度穩定性也有望在惡劣環境中實現更精準的電流監測。2012封裝實現更高額
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ROHM 分流電阻
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，面向車載設備、工業設備、通信基礎設施等所用的12V/24V系統一級*1電源，開發出搭載ROHM自有超穩定控制技術“Nano Cap?”、輸出電流500mA的LDO穩壓器*2 IC“BD9xxN5系列”（共18款產品）。近年來，電子設備正朝著小型化、高密度化方向發展。為了進一步節省空間并提高設計靈活性，電源電路亟需一種即使采用小容量電容器也可穩定工作的電源IC。然而，用1μF以下的輸出電容實現穩定運行在技術上還存在困難。針對這一課題，ROHM在20
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ROHM LDO穩壓器
一、產品簡介ROHM推出兩款符合AEC-Q100車規認證的高精度電流檢測放大器：BD1423xFVJ-C（支持+80V/-14V，TSSOP-B8J封裝）適用于48V高壓系統如電動壓縮機和DC-DC轉換器；BD1422xG-C（支持+40V/-14V，SSOP6封裝）面向12V/5V車身控制等空間受限應用。二者均采用斬波+自穩零兩級架構，內部集成精密匹配電阻，實現±1%增益精度，并在極端溫度下保持穩定。即使外接RC濾波，精度不受影響，且具備負壓耐受能力，簡化抗干擾設計。器件已量產，提供評估板，可直接用于高
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ROHM BD1423xFVJ-C BD1422xG-C 高精度電流檢測放大器
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，適用于主驅逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產品。新封裝產品與車載低耐壓MOSFET中常見的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封裝產品相比，體積可以更小，通過采用鷗翼型引腳*1，還提高了其在電路板上安裝時的可靠性。另外，通過采用銅夾片鍵合*2技術，還能支持大電流。采用本封裝的產品已于2025年11月起陸續投入量產（樣品單價50
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ROHM MOSFET
專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售ROHM Semiconductor的ML63Q25x系列AI微控制器?(MCU)。這些先進的MCU專為工業自動化、儀器儀表、機器人、消費電子和智能家居系統而設計，可實現實時、獨立于網絡的AI監控和預測性維護。ML63Q25x系列可在設備故障發生前進行設備異常檢測和學習，從而提高系統穩定性，同時降低維護成本和生產線停機時間。這些MCU利用ROHM專有的Soli
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貿澤 ROHM AI MCU
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，開發出一款可檢測高速移動物體的小型高精度接近傳感器“RPR-0730”，該產品廣泛適用于包括標簽打印機和輸送裝置在內的消費電子及工業設備應用。隨著工業設備和辦公設備向更高性能、更多功能及更智能化方向發展，對感測技術的精度提升提出了更高要求，特別是標簽打印機、樣本傳送裝置和復印機等應用，除了通過優化生產工藝等提升速度外，還需要具備能夠更精準識別目標物的技術，因此引入高速且高精度的接近傳感器變得至關重要。為應對這些需求，ROHM推出采用VCSEL作為
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ROHM VCSEL 接近傳感器
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電源、ESS（儲能系統）以及要求扁平化設計的薄型電源等工業設備。與以往封裝產品相比，新產品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產品的
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ROHM SiC MOSFET
●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產品的客戶提供第二供應商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性●? ?此類產品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數據中心等應用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務執行官伊野和英（右）全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
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英飛凌 羅姆 ROHM SiC功率器件 SiC
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出二合一結構的SiC模塊“DOT-247”，該產品非常適合光伏逆變器、UPS和半導體繼電器等工業設備的應用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時還能實現更高的設計靈活性和功率密度。目前，光伏逆變器雖以兩電平逆變器為主流產品，但為了滿足更高電壓需求，對三電平NPC、三電平T-NPC以及五電平ANPC等多電平電路的需求正在日益增長。這些電路的開關部分混合采用了半橋和共源等拓撲結構，因此若使用以往的SiC模塊進行適配，
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ROHM SiC模塊
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，針對汽車照明、汽車門鎖、電動車窗等正逐步采用Zone-ECU*1的車身相關應用，推出6款不同導通電阻值的高邊IPD*2（智能高邊開關）“BV1HBxxx系列”，非常適合用來保護系統免受功率輸入過大等問題的影響。全系列產品均符合AEC-Q100車規標準，滿足對車載產品嚴苛的可靠性要求。隨著自動駕駛和電動汽車（EV）的不斷發展，汽車的電子控制越來越復雜。與此同時，從功能安全角度來看，電子保護的重要性日益凸顯，以區域為單位對汽車進行管理的“Zone-E
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ROHM Zone-ECU 高邊開關
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出工作時的電路電流可控制在業界超低水平的超小尺寸CMOS運算放大器“TLR1901GXZ”。該產品非常適用于電池或充電電池驅動的便攜式測量儀、可穿戴設備和室內探測器等小型應用中的測量放大器。近年來，隨著便攜式測量儀和可穿戴設備等由電池驅動的應用對控制精度要求的不斷提高，用于量化溫度、濕度、振動、壓力、流量等參數的傳感器以及用來放大傳感器信號的運算放大器的重要性日益凸顯。另一方面，在致力于實現可持續發展社會等大背景下，應用產品的小型化和節能化已成
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ROHM CMOS運算放大器 運放 運算放大器
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出新的參考設計“REF67004”，該設計可通過單個微控制器控制被廣泛應用于消費電子電源和工業設備電源中的兩種轉換器——電流臨界模式PFC（Power Factor Correction）*1和準諧振反激式*2轉換器。通過將ROHM的優勢——由Si MOSFET等功率器件和柵極驅動器IC組成的模擬控制Power Stage電路，與以低功耗LogiCoA?微控制器為核心的數字控制電源電路相結合，推出基于這種模擬和數字融合控制技術的“LogiCoA
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ROHM PFC 反激控制 電源設計
它們與外部分流電阻器一起工作，有兩種基本類型：一種 （BD1423xFVJ-C） 可以在 -14 至 +80V 的共模范圍內感應，工作電壓范圍為 2.7 至 18V，另一種 （BD1422xG-C） 可以在 -14 至 +40V 范圍內感應，工作電壓范圍為 2.7 至 5.5V。在每種情況下，都可以選擇電壓增益：25、50 或 100V/V。以上情況是正確的，但有一個例外：最低增益 80V 類型的增益為 20（不是 25），并且只能為 5.5V 供電，而不是 18V – 下面的表格總結了這一細節。80V
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高側 低側測量 電流感應放大器 AEC-Q100 Rohm
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
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ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
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羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊 太陽能
rohm介紹
Rohm株式會社為全球知名的半導體生產企業，ROHM公司總部所在地設在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進入了 晶體管、二極管領域和IC等半導體領域.2年后的1971年ROHM作為第一家進入美國硅谷的日本企業,在硅谷開設了IC設計中心.以當時的企業規模，憑借被稱為"超常思維"的創新理念，加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [
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