截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結構分歧的關鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應過剩下持續暴跌。然而，在應用方面，SiC卓越的導熱率使其成為英偉達Rubin平臺和臺積電先進封裝中AI芯片散熱的戰略材料，預示著由高性能計算應用驅動的高價值增長第二波浪潮。

硅基價格趨勢：原材料上漲壓力，高端基材價格大幅降幅

SiC市場在定價動態上展現出明顯的差異。

一方面，散裝SiC材料的價格——如黑色和綠色SiC粉末及顆?！恢痹谏蠞q。根據包括CIP商品指數和百富在內的定價平臺數據，過去一周散裝硅幣交易至每公噸6271元人民幣，環比上漲0.21%。

本輪漲價由三個核心因素推動：固定原料成本、下游需求擴大以及與環境檢查和產能限制相關的供應調整，這些因素共同將成本壓力傳遞到分銷鏈，推高基準材料價格。

另一方面，用于電力設備的6英寸硅碳晶圓基底陷入了激烈的價格戰。主要全球供應商的快速產能擴張導致供應過剩，導致基材價格急劇下跌。

業內消息顯示，從2024年中到第四季度，價格跌破每片硅片500美元，跌幅超過20%。進入2025年，競爭壓力持續，主流報價徘徊在400美元或更低。一些供應商現在提供接近成本的價格，加速了基底市場的整合。

應用聚焦：從人工智能高性能計算（HPC）實現結構突破

截至2025年底，SiC在高性能計算（HPC）中的采用已成為最具決定性的增長動力。隨著GPU功率水平飆升，傳統熱材料已無法滿足耗散要求。硅碳的熱導率可達500 W/m·K，迅速成為核心解決方案候選。

全球行業領袖的最新動態凸顯了這一轉變：

• NVIDIA將在Rubin平臺引入SiC基板作為中介體：

NVIDIA預計將在2025年Rubin平臺采用SiC技術，利用臺積電先進的CoWoS封裝工藝。該計劃旨在將傳統的硅介質器升級為碳化硅，以應對下一代人工智能加速器的極端熱負荷。

• 臺積電推進12英寸硅碳載板生態系統建設：

臺積電正積極與供應商合作，評估12英寸單晶硅碳作為高性能熱載體，旨在取代高性能計算系統中的傳統陶瓷基板。作為領先的硅碳基板供應商，SICC于2025年第一季度推出了完整的12英寸硅碳基板系列，以滿足這一新興需求。

• 數據中心架構轉變：提升SiC電力設備：

隨著NVIDIA推動全球數據中心向800V高壓直流架構邁進，SiC電力組件的需求預計將大幅增長，進一步擴大SiC在AI服務器電力傳輸系統中的作用。

• 新興光學應用：VR/AR/MR頭顯：

其折射率為2.6–2.7——遠高于傳統光學玻璃——SiC在下一代增強/磁共振光學元件中展現出強大潛力。這可能使得更薄、更輕的器件，視場超過70度，為SiC成為未來消費光學的關鍵材料奠定基礎。

綜合來看，這些發展表明SiC將遠遠超越傳統電力電子領域，在高性能計算系統熱管理骨干中扮演越來越核心的角色，創造行業增長的新S曲線。