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碳化硅芯片的設計和制造

首先，下圖是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。（圖一.制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate Pad)和開爾...

碳化硅 2024-06-02

喜報！讓碳化硅瘋狂生長-科友半導體晶體厚度突破80mm！

5月29日，科友半導體碳化硅晶體生長車間傳來捷報，自主研發(fā)的電阻長晶爐再次實現(xiàn)突破，成功制備出多顆中心厚度超過80mm，薄點厚度超過60mm的導電型6英寸碳化硅單晶，這也是國內首次報道和展示厚度超過60mm的碳化硅原生錠...

碳化硅 2024-05-31

碳化硅晶片的化學機械拋光技術

碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩(wěn)定性好、彈性模量大、比剛度大、導熱性能好和耐腐蝕等性能，在現(xiàn)代工業(yè)領域應用廣泛：在半導體領域，利用其具有禁帶寬度、擊穿場強高和導熱性良好等特性，SiC成為繼第一代半導體硅(Si)和第二代半導...

碳化硅 2024-01-24

碳化硅與第三代半導體的淵源

一、什么是碳化硅（SiC）？碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經...

碳化硅 2023-12-19

中國碳化硅（國內三杰）產能跟蹤

中國碳化硅（國內三杰）產能跟蹤：1，東尼電子年產碳化硅襯底13.50萬片（前三交貨進度100%完成）2024年、2025年分別向該客戶交付6英寸碳化硅襯底30萬片和50萬片，下半年開始8英寸小批量開始交貨。2. 天科合達...

碳化硅 2023-12-14

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG 設備顯示出以下優(yōu)點：1.寬帶隙半導體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化鎵的帶隙為3.2 eV，而碳化硅的帶...

碳化硅 2023-12-08

碳化硅賽道“涌動” ，國內外巨頭抓緊布局

近年來，在新能源汽車、光伏等應用的帶動下，碳化硅行業(yè)迎來了快速發(fā)展階段。據(jù)Yole報告顯示，未來碳化硅在功率半導體中的市場份額將穩(wěn)步提升，到2028年將達到約25%的市場份額，屬于一個具有明確發(fā)展前景的新興領域。今年以來...

碳化硅 2023-12-03

碳化硅需求旺盛，安森美Q3業(yè)績及Q3財測超預期

8月1日消息，功率半導體大廠安森美（ON Semiconductor）于7月31日美股盤前公布了截止6月底的二季度財報，營收由去年同期的20.85億美元略增0.5%至20.9億美元；毛利率為47.4%；凈利同比增長26....

碳化硅半導體 2023-08-01

碳化硅“狂飆”：追趕、內卷、替代

火熱的碳化硅行業(yè)終將逐漸回歸理性，唯有護城河深的企業(yè)才能受到青睞。作者 | 李晨光編輯 | 半行觀在過去的幾年，半導體市場無疑經歷了巨大的波折。從缺芯潮緩解...

碳化硅 2023-07-09

中國電科：國產碳化硅器件和設備取得突破

導讀：近日中國電科公布一系列成果，顯示在國產碳化硅（SiC）設備及器件上取得突破。圖：中電科55所生產線4月17日，中國電科宣布旗下55所與一汽聯(lián)合研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全國產1200V塑封2in...

碳化硅 2023-07-06

碳化硅“狂飆”：追趕、內卷、替代

來源：半導體行業(yè)觀察在過去的幾年，半導體市場無疑經歷了巨大的波折。從缺芯潮緩解轉向下游市場需求疲軟，芯片行業(yè)步入下行周期。無論是終端市場的低迷，還是各類技術無法突破瓶頸的現(xiàn)狀，以及供需關系的惡化，都掣肘了行業(yè)的進一步發(fā)展...

碳化硅 2023-06-27

細談中國碳化硅的從無到有，老一輩工藝先驅者的匠心足跡

艾新德魯夫執(zhí)行院長幻實（左）中國電子科技集團第四十六研究所副總工程師郝建民（右）本期話題：·初生代新風口——國產碳化硅的發(fā)展軌跡·設備與工藝——從無到有的跨越與突破·縮小差距——高歌猛進的乘風破浪大咖談芯 | 細談...

芯片碳化硅 2023-05-18

采埃孚與意法半導體就碳化硅器件簽署多年供應協(xié)議

來源：芯TIP4月13日，采埃孚官網宣布，將與意法半導體就碳化硅器件簽署多年供應協(xié)議，從意法半導體采購碳化硅器件。根據(jù)這份多年期合同的條款，意法半導體將提供數(shù)量達數(shù)百萬的碳化硅器件，這些器件將集成到采埃孚新的模塊化逆變器...

碳化硅 2023-04-15

降低碳化硅Sic牽引逆變器的功率損耗和散熱

來源：碳化硅研習社隨著電動汽車（EV）制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，這可以提高行駛里程并提供競爭優(yōu)勢。效率與較...

碳化硅 2023-02-02

ST與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術

意法半導體(簡稱ST)和世界先驅的創(chuàng)新半導體材料設計制造公司Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃，由意法半導體在今后18個月內完成對Soitec碳化硅襯底技術的產前認證測試。此次合作的目標是意法半...

ST 碳化硅 2022-12-08

芯片研發(fā)過程中的可靠性測試——碳化硅功率器件

碳化硅作為第三代半導體經典的應用，具有眾多自身優(yōu)勢和技術優(yōu)勢，它所制成的功率器件在生活中運用十分廣泛，越來越無法離開，因此使用碳化硅產品的穩(wěn)定性在一定程度上也決定了生活的質量。作為高尖精的產品，芯片的可靠性測試貫徹始終，...

碳化硅 mos 2022-11-03

碳化硅產業(yè)化駛入快車道 A股公司紛紛“搶食”盛宴

近日，士蘭微擬大手筆投資擴產碳化硅(SiC)功率器件生產線、汽車半導體封裝項目(一期)，成為碳化硅產業(yè)鏈公司擴產的最新案例。上海證券報記者梳理發(fā)現(xiàn)，近期，碳化硅產業(yè)鏈上襯底片、外延片、芯片及器件各環(huán)節(jié)的國內外公司紛紛加入...

碳化硅 2022-10-24

擴產、簽約！碳化硅新勢力SK siltron忙不停

來源：化合物半導體市場以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料，憑借更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率，廣泛地應用于新能源汽車、新能源光伏、5G宏****、風電、國防軍工等領域，近年來產業(yè)高...

碳化硅 2022-10-18

碳化硅的謊言與真相

都說買股****買的是預期，其實通常買的是故事。老話說，Buy the rumor, sell the news。也就是，有故事的時候買，消息落地(故事結局)趕緊賣掉。注意，上述諺語中即使故事成真，如果沒有新的故事了，股...

碳化硅 2022-09-15

碳化硅的謊言與真相

碳化硅 2022-09-09

新突破：一次擴徑技術將碳化硅襯底從6英寸直接擴到8英寸！

半導體產業(yè)網訊：Wolfspeed、羅姆、II-VI均在2015年就已展示了8英寸碳化硅襯底，其中Wolfspeed投入10億美元建設新工廠，并在今年4月開始生產8英寸碳化硅等產品；英飛凌在2020年9月宣布其8英寸 S...

碳化硅恒普科技 2022-07-30

國產碳化硅，跑出發(fā)展加速度

初創(chuàng)公司頻獲巨頭青睞、車企競相采用高性能碳化硅模塊……一系列現(xiàn)象表明，碳化硅（SiC）產業(yè)化正在加速。上海證券報記者采訪多家上市公司、創(chuàng)投機構人士獲悉，在新能源汽車、光伏等市場需求帶動下，全球碳化硅市場正在快速成長。法國...

碳化硅 2022-07-13

常見的幾種功率半導體器件有哪些？

我們知道功率器件是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，它利用半導體單向導電的特性，改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉換等功能。根據(jù)可控性和其他使用因素，功率器件分成了很多種類別，其中常見的分類有： MO...

功率器件碳化硅 2022-07-06

碳化硅8英寸雙線圈感應爐，恒普科技重磅發(fā)布兩個新爐型

半導體產業(yè)網獲悉：2022年7月，恒普科技同時推出2款8英寸雙線圈感應晶體生長爐，新推出的2款全新爐型，對應SiC感應晶體生長爐在8英寸或更大尺寸上的劣勢，也積極對應行業(yè)客戶的使用習慣和經驗延續(xù)。在碳化硅8英...

恒普科技碳化硅 2022-07-06

碳化硅市場規(guī)模有多大，國產廠商能分得幾杯羹？

來源：01芯聞寫在前面本文數(shù)據(jù)基于筆者所收集到的資料計算所得，考慮到個人經驗和精力有限，引用的相關數(shù)據(jù)和現(xiàn)狀未盡詳實。因此，文中所述只是筆者基于有限認知下的一些不成熟思考，與讀者分享，并不代表筆者所在公司。同時，本文也是...

碳化硅 2022-07-02

半導體碳化硅（SiC）行業(yè)研究：打開新能源汽車百億市場空間

報告出品方/作者：海通國際）1、碳化硅(SiC):新一代半導體材料，打開新能源車百億市場空間1.1 碳化硅半導體材料第三代半導體性能優(yōu)越，應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發(fā)展的基礎，經歷了數(shù)代的更迭。隨著應用場...

碳化硅 2022-05-24

從碳化硅模塊出發(fā)，看特斯拉核心芯片選型策略

來源：01芯聞作者：棟幺01TPAKTPAK不包括引腳的塑封部分尺寸為20mm x 28mm x 4mm，其中不僅可以裝入碳化硅MOSFET裸芯片，還可以選擇IGBT或者氮化鎵HEMT作為其核心芯片。這意味著TPAK不僅...

碳化硅 2022-02-05

國產碳化硅襯底龍頭山東天岳科創(chuàng)板上市

12月30日，國內碳化硅襯底材料企業(yè)山東天岳先進科技股份有限公司公告首次公開發(fā)行股****并在科創(chuàng)板上市。本次發(fā)行價格82.79元/股，預計募集資 355757.7783萬元（約35.6億元）,高于此前招股意向書中披露的...

碳化硅 2022-01-02

碳化硅產業(yè)鏈條核心：外延技術

01.碳化硅外延外延工藝是整個產業(yè)中的一種非常關鍵的工藝，由于現(xiàn)在所有的器件基本上都是在外延上實現(xiàn)，所以外延的質量對器件的性能是影響是非常大的，但是外延的質量它又受到晶體和襯底。加工的影響，處在一個產業(yè)的中間環(huán)節(jié)，對產業(yè)...

碳化硅 2021-12-25

碳化硅單晶襯底加工技術現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

摘要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術，本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀，分析對比了切片、薄化、拋光...

碳化硅 2021-12-23

碳化硅產業(yè)鏈條核心：外延技術

碳化硅外延外延工藝是整個產業(yè)中的一種非常關鍵的工藝，由于現(xiàn)在所有的器件基本上都是在外延上實現(xiàn)，所以外延的質量對器件的性能是影響是非常大的，但是外延的質量它又受到晶體和襯底。加工的影響，處在一個產業(yè)的中間環(huán)節(jié)，對產業(yè)的發(fā)展...

碳化硅 2021-08-20

國內碳化硅行業(yè)的真實現(xiàn)狀！

1. 硅粉碳粉：不是問題太陽能行業(yè)還是做了不少好事，現(xiàn)在國內9N的硅粉也不是啥大問題；2. 碳化硅粉：5N湊合，6N有問題；檢測體系不完善，大規(guī)模供應這些近兩千臺爐子，年產幾百萬片的幾十個襯底項目，真把爐子都開起來，粉料...

碳化硅 2021-06-29

月產3萬片SiC！全國首條碳化硅垂直整合產業(yè)鏈投產

6月23日，總投資160億元的湖南三安半導體基地一期項目正式點亮投產。據(jù)悉，這是國內首條、全球第三條碳化硅垂直整合產業(yè)鏈。芯速度！11個月，千畝基地拔地而起湖南三安半導體項目占地面積1000畝，根據(jù)項目規(guī)劃主附建筑物81...

碳化硅 2021-06-23

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碳化硅

碳化硅芯片的設計和制造

喜報！讓碳化硅瘋狂生長-科友半導體晶體厚度突破80mm！

碳化硅晶片的化學機械拋光技術

碳化硅與第三代半導體的淵源

中國碳化硅（國內三杰）產能跟蹤

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異

碳化硅賽道“涌動” ，國內外巨頭抓緊布局

碳化硅需求旺盛，安森美Q3業(yè)績及Q3財測超預期

碳化硅“狂飆”：追趕、內卷、替代

中國電科：國產碳化硅器件和設備取得突破

碳化硅“狂飆”：追趕、內卷、替代

細談中國碳化硅的從無到有，老一輩工藝先驅者的匠心足跡

采埃孚與意法半導體就碳化硅器件簽署多年供應協(xié)議

降低碳化硅Sic牽引逆變器的功率損耗和散熱

ST與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術

芯片研發(fā)過程中的可靠性測試——碳化硅功率器件

碳化硅產業(yè)化駛入快車道 A股公司紛紛“搶食”盛宴

擴產、簽約！碳化硅新勢力SK siltron忙不停

碳化硅的謊言與真相

碳化硅的謊言與真相

新突破：一次擴徑技術將碳化硅襯底從6英寸直接擴到8英寸！

國產碳化硅，跑出發(fā)展加速度

常見的幾種功率半導體器件有哪些？

碳化硅8英寸雙線圈感應爐，恒普科技重磅發(fā)布兩個新爐型

碳化硅市場規(guī)模有多大，國產廠商能分得幾杯羹？

半導體碳化硅（SiC）行業(yè)研究：打開新能源汽車百億市場空間

從碳化硅模塊出發(fā)，看特斯拉核心芯片選型策略

國產碳化硅襯底龍頭山東天岳科創(chuàng)板上市

碳化硅產業(yè)鏈條核心：外延技術

碳化硅單晶襯底加工技術現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

碳化硅產業(yè)鏈條核心：外延技術

國內碳化硅行業(yè)的真實現(xiàn)狀！

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