年終盤(pán)點(diǎn)：英飛凌2025年碳化硅領(lǐng)域重磅產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相
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歲末將至，回顧2025年科技領(lǐng)域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績(jī)斐然，憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力，成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術(shù)發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點(diǎn)產(chǎn)品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開(kāi)整！
01
產(chǎn)品發(fā)布：
多元布局，精準(zhǔn)覆蓋多領(lǐng)域需求
1
CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管：多種封裝組合全面升級(jí)，滿足多樣化應(yīng)用場(chǎng)景
11.8
CoolSiC? MOSFET G2 1200V單管
CoolSiC? MOSFET G2 1400V單管
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2025年，英飛凌推出的CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管多種封裝組合，為市場(chǎng)帶來(lái)了更多選擇。
CoolSiC? 1200V MOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）通過(guò)簡(jiǎn)化組裝流程并保持卓越的散熱性能，幫助客戶降低系統(tǒng)成本。與底部散熱方案相比，頂部散熱器件可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的PCB布局，從而降低寄生元件和雜散電感的影響，同時(shí)提供增強(qiáng)的熱管理性能。適用于電動(dòng)汽車充電、光伏、不間斷電源（UPS）、固態(tài)斷路器（SSCB）、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、人工智能（AI）及網(wǎng)聯(lián)自動(dòng)駕駛汽車（CAV）等領(lǐng)域。
1400V CoolSiC? MOSFET G2系列的TO-247以及TO-247 Plus Reflow封裝，產(chǎn)品最低導(dǎo)通電阻可低至6mΩ，性能指標(biāo)行業(yè)領(lǐng)先。面對(duì)高母線電壓應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，能夠輕松適應(yīng)母線電壓大于1000V的場(chǎng)景，該系列產(chǎn)品的功率管腳加粗至2mm，使得器件能夠承受更大的電流，背板回流焊的設(shè)計(jì)，提升了產(chǎn)品的可靠性，為高壓電力電子系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。
2
EasyPACK? C系列碳化硅功率模塊：
全新封裝，性能飛躍，引領(lǐng)工業(yè)應(yīng)用新潮流
11.8
2025年10月，英飛凌重磅推出EasyPACK? C系列封裝碳化硅功率模塊。該模塊集成了英飛凌CoolSiC? MOSFET 1200V G2技術(shù)，并采用公司專有的.XT互連技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)性能突破。功率密度較上一代提升超過(guò)30%，使用壽命延長(zhǎng)高達(dá)20倍，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）顯著降低約25%。其封裝設(shè)計(jì)理念不僅提高了功率密度與布局靈活性，更為未來(lái)更高電壓等級(jí)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
在實(shí)際應(yīng)用中，該模塊表現(xiàn)出色。可承受結(jié)溫（Tvj(over)）高達(dá)200°C的過(guò)載開(kāi)關(guān)工況，搭載全新PressFIT壓接引腳，電流承載能力提升一倍，同時(shí)降低PCB板的溫度，并優(yōu)化安裝流程。全新的塑封材質(zhì)與硅凝膠設(shè)計(jì)，支持模塊在最高175°C的結(jié)溫（Tvj(op)）下穩(wěn)定運(yùn)行，且具備一分鐘內(nèi)耐受3千伏交流電的隔離等級(jí)。這些特性使其在快速直流電動(dòng)汽車（EV）充電、兆瓦級(jí)充電、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及不間斷電源設(shè)備等工業(yè)應(yīng)用中脫穎而出，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的重要力量。
3
高壓3300V XHP?：
高壓大功率領(lǐng)域的“性能王者”
11.8
英飛凌推出的3.3kV CoolSiC? MOSFET XHP2模塊，憑借創(chuàng)新“.XT互連技術(shù)”脫穎而出。其額定電流1000A，25°C時(shí)導(dǎo)通電阻低至1.9mΩ，支持4kHz高頻開(kāi)關(guān)，顯著降低損耗、提升系統(tǒng)效率。該模塊可靠性升級(jí)，采用芯片表面覆銅、銅鍵合線、AlN陶瓷基板及銀燒結(jié)技術(shù)，熱阻降低30%，瞬態(tài)散熱能力大幅提升。關(guān)鍵性能測(cè)試超越行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，浪涌電流峰值達(dá)10000A，短路耐受3μs安全關(guān)斷，功率循環(huán)壽命提升10倍。在軌道交通、風(fēng)電變流器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景優(yōu)勢(shì)盡顯，或成高壓應(yīng)用“黃金選擇”。
02
技術(shù)發(fā)布：
前瞻布局，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)發(fā)展方向
1
基于200mm晶圓技術(shù)的碳化硅產(chǎn)品：提升效率，降低成本，拓展高壓應(yīng)用新領(lǐng)域
11.8
2025年第一季度，公司宣布向客戶提供首批基于先進(jìn)的200mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車等。此外，英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過(guò)渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場(chǎng)需求開(kāi)始大批量生產(chǎn)，為該技術(shù)的量產(chǎn)和廣泛應(yīng)用提供了有力保障。
2
CoolSiC? JFET技術(shù)：
卓越性能，開(kāi)啟多領(lǐng)域應(yīng)用新篇章
11.8
2025年5月，英飛凌發(fā)布的CoolSiC? JFET技術(shù)成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。該技術(shù)擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，為眾多應(yīng)用領(lǐng)域帶來(lái)了新的解決方案。第一代CoolSiC? JFET擁有最低值為1.5mΩ（750 VBDss）/2.3mΩ（1200 VBDss）的超低RDS(ON)，采用Q-DPAK頂部散熱封裝，便于并聯(lián)，并具備可擴(kuò)展的電流處理能力。為應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛應(yīng)用環(huán)境中的散熱和機(jī)械問(wèn)題，CoolSiC? JFET采用.XT互連技術(shù)與擴(kuò)散焊接工藝，從而顯著降低了器件在工業(yè)電力系統(tǒng)中常見(jiàn)的脈沖與循環(huán)負(fù)載下的瞬態(tài)熱阻抗，并大幅提升了其可靠性。
在固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機(jī)軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域，CoolSiC? JFET技術(shù)都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。其卓越的性能能夠有效提高設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性，降低故障率，為各行業(yè)的安全運(yùn)行提供有力支持。
2025年，英飛凌在碳化硅領(lǐng)域的產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)布成果豐碩。從多元的產(chǎn)品布局到前沿的技術(shù)創(chuàng)新，英飛凌不斷推動(dòng)著碳化硅行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。未來(lái)，英飛凌有望繼續(xù)憑借其強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力和創(chuàng)新能力，為全球科技發(fā)展帶來(lái)更多驚喜，引領(lǐng)碳化硅行業(yè)邁向新的高度。
評(píng)論