近日，在陽光電源2026全球合作伙伴大會上，全球功率系統半導體領導者英飛凌科技憑借卓越的技術創新能力、豐富的產品組合以及深度的產業協同榮膺陽光電源2025年度“全球戰略伙伴”殊榮。英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Dr. Peter Wawer、英飛凌科技高級副總裁兼工業與基礎設施業務首席營銷官Andreas Weisl、英飛凌科技執行副總裁Dominik Bilo、英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝出席了本次活動。英飛凌科技榮膺陽光電源2025年度“全球戰略伙伴獎”陽光電源高度認
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英飛凌 陽光電源
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出EiceDRIVER? 1ED301xMC12I產品系列，這是一系列支持光耦仿真器輸入的高性能隔離柵極驅動器IC。該系列器件與現有光耦仿真器和光耦合器引腳兼容，具備高共模瞬態抗擾度（CMTI）、強大的輸出級，以及比現有解決方案更精準的時序特性。這使得工程師能夠無縫遷移到碳化硅（SiC）技術，而無需對現有的光電控制方案進行重新設計。該產品系列非常適合對高速、可靠且支持SiC的柵極驅動器有嚴格要求的應用場景，例如電機驅動、光伏逆變器、電動汽車充電
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英飛凌 光耦仿真器 隔離柵極驅動器IC
●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場規模預計將達到30億美元，年復合增長率高達44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關采用變革性的共漏極設計與雙柵極結構●? ?GaN功率半導體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動功率電子行業迎來一場重大變革。全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日發布《2026年GaN技術展望》，深度解析GaN的技術現狀、應用場景及未來前景，為行業提供重要參考。英
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英飛凌 GaN 氮化鎵高速增長
英飛凌科技（Infineon Technologies）正進一步加碼傳感器業務，宣布計劃以 5.7億歐元 收購 ams OSRAM 集團的非光學模擬/混合信號傳感器產品組合。此項交易將顯著拓展英飛凌在汽車、工業和醫療市場的布局，并為其“系統級解決方案”戰略注入新的深度。對于《eeNews Europe》的讀者而言，這一舉措揭示了傳感器領域的創新與整合趨勢，并預示其對軟件定義汽車、工業自動化以及新興物理人工智能（Physical AI）等應用場景中系統級集成可能帶來的深遠影響。
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英飛凌
英飛凌（Infineon）宣布，其碳化硅（SiC）功率半導體已被豐田（Toyota）新一代純電動車 bZ4X 采用。具體而言，英飛凌的 CoolSiC? MOSFET 將用于該車型的車載充電機（OBC）。對于《eeNews Europe》的讀者而言，這一消息具有重要參考價值：它表明碳化硅的應用正加速從主驅逆變器擴展至電動汽車中其他關鍵的電力轉換模塊。同時，這也凸顯了汽車制造商正越來越多地采用寬禁帶（WBG），以實現更快充電速度和更長續航里程等可量化的電動出行優勢。碳
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英飛凌 豐田 電動汽車
英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網的讀者而言，這一消息清晰體現出碳化硅的應用正加速突破牽引逆變器領域，延伸至汽車核心的功率轉換模塊；同時也凸顯出車企正愈發廣泛地采用寬禁帶半導體器件，以實現電動汽車快充提速、續航提升等可量化的性能優化。碳化硅深度融入豐田電動汽車功率電子系統據官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
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英飛凌 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 豐田 bZ4X
據Tom's Hardware報道，受AI技術熱潮推動，全球對功率開關和IC的需求激增，英飛凌（Infineon）計劃于2026年4月1日起調漲部分電源芯片價格。這一消息若屬實，可能會對整體電子供應鏈成本產生連鎖反應。據悉，社群平臺近期流傳的一封英飛凌致客戶的信函顯示，公司行銷長Andreas Urschitz在信中提到，為滿足AI產業及其他領域的需求，英飛凌需提前擴充產能。由于成本持續攀升，公司已無法自行消化，因此決定調整價格。信中明確指出，新價格將適用于2026年4月1日及之后的新訂單，以及預
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英飛凌 電源芯片 電子供應鏈
英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業與能源系統設計的工程師而言，這一產品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設計控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時，這也凸顯了當前柵極驅動器性能正不斷演
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英飛凌 IC SiC
據英飛凌科技透露，其已完成位于泰國曼谷/暖武里府的后端制造工廠的出售，買方為馬來西亞太平洋工業有限公司（MPI）。此次交易于2月4日完成，MPI接管了曼谷/暖武里府的后端工廠，并與英飛凌簽署了一份長期供貨協議。根據協議，MPI將保留所有生產相關員工，確保員工隊伍的連續性以及現有項目的穩定性。英飛凌強調，此舉并非退出泰國市場，而是對其區域戰略的補充。2025年1月，英飛凌在曼谷以南的北欖府啟動了新的后端晶圓廠建設，進一步強化其在泰國半導體生態系統中的地位。英飛凌通過將現有工廠出售給值得信賴的OSAT合作伙伴
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英飛凌 泰國工廠
●? ?此次計劃的收購將擴展英飛凌的傳感器業務，并增強其適用于汽車、工業和醫療健康市場的系統級解決方案●? ?被收購業務預計將產生約2.3億歐元的營收；此次收購的交易金額為5.7億歐元；預計交易完成后將立即增厚每股收益●? ?約230名員工將加入英飛凌的傳感器單元與射頻業務英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck英飛凌科技股份公司近日宣布收購艾邁斯歐司朗集團（SIX：AMS）的非光學模擬/混合信號傳感器產品組合，進一步擴展其傳感器業務。
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英飛凌 艾邁斯歐司朗 傳感器
●? ?2026財年第一季度：營收為36.62億歐元，利潤為6.55億歐元，利潤率?17.9%。●? ?2026財年第二季度展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.15，預計營收約為38億歐元。在此基礎上，利潤率預計在14%~19%之間。●? ?2026財年展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.15，預計營收較上一財年將實現溫和增長。調整后的毛利率預計在40%-43%之間，利潤率為17%~19%。計劃投資約27億歐元（此前為22億歐元），以進一步
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英飛凌 2026財年第一季度
英飛凌深化了與臺達電子的現有合作，聯合研發新一代垂直供電（VPD）模塊，旨在為數據中心的 AI 芯片提供更高效的供電支持。雙方表示，此次合作融合了英飛凌高性能硅基 MOSFET、嵌入式封裝的技術優勢，以及臺達在功率模塊設計與制造領域的深厚積淀。臺達為新款模塊采用了英飛凌 90A OptiMOS 集成功率級解決方案，模塊專為垂直供電設計，替代傳統的橫向供電模式，以此減少印刷電路板上的功率損耗及相應的熱量產生。英飛凌電源與傳感器系統事業部總裁 Adam White 表示，此次合作主要面向超大規模數據中心運營商
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英飛凌 臺達 數據中心 垂直供電 橫向供電
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新一代USB 2.0外設控制器EZ-USB? FX2G3，該產品可為USB設備帶來卓越的性能、強大的安全性與先進的能效。這款新型控制器基于備受信賴的EZ-USB? FX2LP平臺，能夠為需要無縫、安全連接的行業提供高度適配的解決方案。高效、安全的數據傳輸需求正驅動各行業創新升級，而USB技術在實現這種連接方面發揮著關鍵作用。EZ-USB? FX2G3控制器包含串行通信模塊（SCB）、可提高
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英飛凌 USB 2.0外設控制器 外設控制器
碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET技術先進性的關鍵參數，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現的重要因素。對于不同的應用，導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應當保證設計靈活性，以滿足不同的任務需求，無需大量設計工作和設計布局變化。英飛凌CoolSiC?故障率比IGBT更低談到可靠性，人們往往會認為
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英飛凌 MOSFET 柵極氧化層
在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區的真相（誤區一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術創新應對這些挑戰。常見誤區2：“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp，電阻越小，產品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會影響可靠性”01多元化的性能評價更全面Rsp并非唯一評價標準雖然Rsp越小
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英飛凌 碳化硅 MOSFET
英飛凌介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業創新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [
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