基于英飛凌2EP130R系列頻率和占空比可調的驅動電源IC，晶川電子推出兩款評估板，EVAL-2EP130R-J和EVAL-1ED3142MC12H -2EP130R-J。評估板可以免費申領！無論您是從事太陽能、電動汽車充電、儲能系統（ESS）、逆變焊機、UPS還是電機驅動應用，你都可以選擇這兩款評估板，作為新穎驅動電源設計的入門，升級你的驅動設計，減小PCB面積，降低成本。評估板亮點搶先看EVAL-2EP130R-J功率半導體驅動用電源板：主要用于評估和測量驅動器IC-2EP130R，該評估板為全橋變壓
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英飛凌 全橋變壓器 驅動器 評估板
歲末將至，回顧2025年科技領域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創新產品與前沿技術，為行業發展注入強勁動力，成為行業矚目的焦點。小編貼心地按照產品發布和技術發布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點產品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！01產品發布：多元布局，精準覆蓋多領域需求1CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管：多種封裝組合全面升級，滿足多樣化應用場景11.8CoolSiC? MOSFET G2 1200V單管CoolSiC? MOSFET G2 1400V
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英飛凌 碳化硅
由于QDPAK封裝是英飛凌新一代大功率產品的表貼頂部散熱產品，其安裝方式有所不同，所以針對其安裝方式做一些詳細的介紹。如下圖，英飛凌針對600V以上高壓器件推出了HDSOP封裝系列(D-DPAK, TOLT, 及QDPAK) 。如下圖列出了該系列已發布的封裝型號及其關鍵參數信息。所有封裝均具有統一的2.3mm標準本體厚度，這一特性使得不同分立器件（如650V碳化硅二極管、高壓/低壓MOSFET等）可以混合安裝在同一散熱板上。該設計優化了組裝流程：所有功率器件在PCB上的安裝位置到散熱板頂面的距離保持一致，
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英飛凌 頂部散熱封裝 QDPAK
QDPAK頂部散熱器件是一種表貼器件產品。相對于傳統表貼產品只能從底部進行散熱的方式，頂部散熱器件分離了電氣路徑和熱流路徑，尤其適合在高功率密度的應用，如AI服務器電源和車載充電器等應用。而英飛凌不久前推出的QDPAK封裝也是目前英飛凌量產的封裝中最大尺寸的頂部散熱產品。QDPAK封裝目前包含600V，650V，750V，1200V電壓等級的SiC MOSFET產品和部分電壓的IGBT產品。如下表為QDPAK 1200V SiC MOSFET單管產品列表：QDPAK目前已成功注冊為JEDEC標準，封裝尺寸
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英飛凌 QDPAK 散熱封裝
簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術，通過廣泛的產品組合設定了新的行業基準性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x3.3封裝。 OptiMOS? 6 80 V 系列非常適合電信、服務器和太陽能等高頻開關應用。OptiMOS? 6 80 V 的性能改進也體現了其在電池管理系統 (BMS) 中的優勢。關鍵特性l??與 SSO8 中的 5 相比，RDS(on) OptiMOS?減少24%
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英飛凌 OptiMOS 6 MOSFET 電信 電池管理系統
隨著針對安全漏洞的網絡攻擊在各行業日益頻發，安全認證已成為保護數字身份安全的關鍵環節。全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司憑借在?SECORA? ID V2平臺上推出的全球首個?FIDO CTAP2.1身份驗證器3+級認證，進一步鞏固了其在先進安全解決方案領域的領導地位。英飛凌?FIDO applet?是英飛凌應用庫中的可選應用，運行于?SECORA? ID V2平臺，Eviden?公司近期獲得的?Level 3+認
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英飛凌 FIDO 3+ 身份驗證
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布，AMD?已測試英飛凌?64MB HYPERRAM??存儲芯片和?HYPERRAM??控制器?IP?在?AMD Spartan? UltraScale+??FPGA SCU35?評估套件上的使用情況，結果證明其可作為?AMD MicroBlaze? V?軟核?RISC-V?處理器經濟高效的高帶寬存儲解決方
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英飛凌 HYPERRM 存儲芯片 AMD FPGA
英飛凌科技股份公司近日推出了一款面向電動汽車（xEV）高壓鋰離子電池管理系統的先進微控制器 PSOC? 4 HVPA-SPM 1.0。這款微控制器具備高精度、安全性與靈活編程的能力，可支持區域架構及其向軟件定義汽車（SDV）的轉型。為充分發揮其影響力，英飛凌與創新電池管理軟件解決方案領導者 Munich Electrification 共同合作推出先進且高性價比的電池管理系統（BMS）解決方案，加速開發并降低成本。PSOC? HVPA-SPM 1.0采用高度集成設計，具備智能化、安全性和高效性，為電池管理
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英飛凌 PSOC 汽車電池管理系統 BMS
全球功率系統與汽車微控制器（MCU）領域的領導者英飛凌科技股份公司正與全球科技巨頭聯想集團深化合作，加速自動駕駛技術向更高階邁進。聯想旗艦級自動駕駛域控制器AD1與AH1將搭載英飛凌AURIX?系列微控制器，以支持高階輔助駕駛系統（ADAS）、提高能效并實現車載網絡的高速數據傳輸。此次合作旨在打造智能、高性能的汽車計算平臺，為AI在軟件定義汽車（SDV）中的集成提供強大動力。該聯合解決方案將為整車制造商開發互聯、安全、智能的汽車奠定了可擴展的基礎，支持從L2（部分自動駕駛）、L3（有條件自動駕駛）到L4（
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英飛凌 聯想 軟件定義汽車 AURIX
●? ?動態無線充電道路系統可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時為其充電●? ?英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動汽車搭載更小的電池，實現24小時全天候運行●? ?動態無線充電道路系統解決方案是減少交通運輸領域碳排放的一項關鍵創新Electreon?的動態無線充電系統采用英飛凌的碳化硅模塊，大幅提升了其性能、可靠性與能效英飛凌科技股份公司將為領先的電動汽車（EV）無線充電解決方案提供商 Electreon提供定制碳化硅（S
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英飛凌 碳化硅 Electreon 無線充電道路 動態無線充電道路
在設計和應用IPM器件時，電流參數是影響性能的關鍵指標之一。然而，不同電流參數的含義可能會對應用設計產生重要影響。本文將詳細解析IPM數據手冊中常見的幾種電流定義，包括 IC、ICP、IO(peak) 和 IO(RMS) 的具體意義、測試條件及其設計建議。為了更清晰地展示各電流參數的定義及其在實際應用中的差異，下面提供了一張直觀的圖示供參考：1IC：額定連續集電極電流以IM06B50GC1數據手冊為例，IC是指IPM內部IGBT在特定工作條件下(Tc=25℃，TJ<150℃)，能
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英飛凌 IPM器件
在軌道交通、風電變流器等高壓大功率應用中，提升功率密度和系統效率是關鍵挑戰。傳統硅基IGBT模塊雖成熟可靠，但受限于材料特性，難以滿足高頻、高效的新需求。英飛凌推出的3.3kV CoolSiC? MOSFET XHP2模塊，結合創新的“.XT互連技術”，為高壓牽引系統提供了更高性能的解決方案。模塊核心優勢：性能與可靠性01高電流密度與低損耗額定電流1000A，導通電阻低至1.9mΩ（25°C），顯著降低導通損耗。高頻開關能力：支持更高開關頻率（如4kHz），減少變壓器和電機損耗，提升系統效率（圖1）。圖1
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英飛凌 高壓牽引系統
*本論文摘要由PCIM官方授權發布內容摘要隨著海上風電場容量的增加和選址向深遠海進一步延伸，高壓直流(HVDC)技術成為遠距離電力傳輸的關鍵。本文介紹三種海上高壓直流輸電方案，包括兩種完全基于模塊化多電平變流器（MMC）的柔性直流輸電方案，以及一種基于二極管整流的海上風電集成方案，然后詳細說明可用的功率半導體器件、子模塊設計及系統概念。通過從不同方面對比系統性能，展示每種方案的優劣。結果有助于設計高效及高性價比的海上風電直流送出系統。1基于4.5kV壓接式器件的VSC-HVDC方案VSC-HVDC采用全控
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英飛凌 海上風電 高壓直流
*本論文摘要由PCIM官方授權發布內容摘要本文介紹了一種基于英飛凌S-cell產品(1.2kV/SiC)的嵌入式PCB方案的新型功率模塊概念。利用Ansys和SPICE仿真，在熱阻（Rth、Zth、熱耦合等）和電氣特性（系統雜散電感、電壓尖峰、開關損耗等）等方面進行和傳統封裝的SiC模塊的對比。最后，基于PLECS進行器件建模和逆變電路搭建，結合典型工況進行了詳細的仿真分析并總結。01基于S-cell的嵌入式PCB方案介紹1.1 英飛凌S-cell產品技術的介紹英飛凌S-cell LV MOSF
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英飛凌 嵌入式PCB方案 逆變器
本文介紹了新的CoolSiC? 2000V SiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封裝，具有加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK? 3B封裝的升壓模塊。這些產品的性能提高了系統功率密度，可靠性和效率，并簡化了設計。1介紹最新的光伏太陽能、儲能和高功率充電器（1500 VDC）應用要求更高的電壓裕量，以確保系統安全運行。CoolSiC? 2000V SiC MOSFET被設計為在高電壓和高開關頻率
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英飛凌介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業創新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [
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