●? ?英飛凌的范圍1和范圍2目標達到SBTi對近期減排目標的最高標準●? ?英飛凌通過制定有力的范圍3目標進一步減少供應鏈排放量●? ?英飛凌通過與100多家供應商積極合作，進一步減排英飛凌科技管理委員會成員兼首席數字化轉型與可持續發展官Elke Reichart全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近期在低碳化方面取得新進展：其溫室氣體減排目標獲得科學碳目標倡議組織（SBTi）的認證。獲批的目標包括公司自身的排放量（范圍&n
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英飛凌 二氧化碳減排目標 科學碳目標倡議組織
在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎設施升級、力推超充網絡擴建、高速充電走廊建設及換電模式普及的背景下，充換電行業正迎來高質量發展的關鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優優綠能股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌先進的CoolMOS?和TRENCHSTOP??IGBT，?CoolSiC??MOSFET和EiceDRIVER?驅動器等全套功率半導體解決方案，全面賦能優優綠能新一代40kW液冷充電模塊及V2G車網互動解決方案的技術升級，顯著提升充換電設備的電能轉換效率與穩定性，為充電
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英飛凌 優優綠能 電能轉換效率
美國汽車制造商 Rivian 已與英飛凌簽約，為其“R2”汽車平臺提供牽引逆變器功率模塊、微控制器和功率 IC，預計將于 2026 年開始供貨。這些功率模塊將采用英飛凌的 HybridPack Drive G2 格式（如圖），包括硅和碳化硅組件。除此之外，Rivian 還選擇了英飛凌成熟的 TC3x MCU，而不是其新的 TC4x 系列——這兩者都有其專有的 TriCore CPU，而不是 x86、Arm 或 RISC-V。目前，英飛凌只有四個 G2 HybridPACK 驅動模塊，都是三相橋：
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英飛凌 Rivian 牽引逆變器 功率模塊
為慶祝公司25周年，英飛凌科技股份公司近日啟動了一項全球整合傳播活動，旨在彰顯半導體技術的經濟和社會價值，以及英飛凌在推動低碳化和數字化方面做出的貢獻。這場傳播活動的核心主旨是：英飛凌的產品和解決方案對我們每個人的日常生活都至關重要。活動內容將圍繞“Matters to me”這一主題展開一系列的情感講述。英飛凌25周年“Matters to me”品牌標識英飛凌科技管理委員會成員兼首席營銷官Andreas Urschitz表示：“2000年3月13日，英飛凌上市，為我們成為全球領先的科技企業邁出了關鍵勇
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英飛凌
隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強大，對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉換為較低的總線電壓，這對于AI數據中心的能效、功率密度和散熱性能愈發重要。英飛凌科技股份公司近日宣布，其采用緊湊型5x6 mm2?雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS??6 80V?功率?MOSFET已被集成到一家領先處理器制造商AI服務器平臺的?IBC級。應用測試表明，其效率較之前使用的解決方案提高約?0.4%，相當于每kW負載節
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英飛凌 OptiMOS DC-DC功率轉換效率
這是一個用于測試 2.5 kW 功率因數校正 (PFC) 電路的平臺。它旨在評估使用 4 腳封裝的優勢。 例如提高效率和信號質量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅動器和碳化硅二極管在內的完整 Infineon 解決方案。 文件中提供了關于如何使用該評估板、CoolMOS? C7 MOSFET 的性能表現以及四腳封裝的優勢的信息，目標讀者是經驗豐富的電源電子工程師和技術人員。 ? 評估板的目的與組成 ? 此評估板旨在評估TO-247 4針 CoolMOS
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英飛凌 ICE3PCS01G IGBT 空調電源
隨著AI數據中心的快速發展、電動汽車的日益普及，以及全球數字化和再工業化趨勢的持續，預計全球對電力的需求將會快速增長。為應對這一挑戰，英飛凌科技股份公司近日推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進一步擴大其持續壯大的氮化鎵（GaN）功率產品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺，專為數據中心、可再生能源系統、直流電動汽車充電樁等大功率應用開發。它能滿足日益增長的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶加快設計進程，縮短產品上市時間。英飛凌EasyPACK?英飛凌科技
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英飛凌 EasyPACK CoolGaN 功率模塊 氮化鎵
近期，英飛凌科技與美的集團簽署戰略合作協議。通過深度整合各自優勢資源，雙方將在智能家電、新能源以及全球供應等多維度加深合作，共同為消費者提供綠色、安全、高效的產品與服務。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝， 美的集團副總裁兼首席可持續發展官李國林代表雙方正式簽署戰略合作協議。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝(圖右)與美的集團副總裁兼首席可持續發展官李國林(圖左)長期以來，英飛凌與美的集團緊密合作，技術協同的深度與廣度持續升級，合作領域不斷拓展，從最初聚
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英飛凌 美的
TLD7002-16ES網關應用示例在現代汽車中，眾多電子控制單元（ECU）負責控制各種功能，如發動機管理、傳動控制、制動系統和信息娛樂系統。每個ECU通常都配備有自己的MCU，這增加了汽車電氣架構的總體復雜性和成本。車燈的情況也是如此，前后左右的車燈通常都有各自獨立的ECU。尤其在一些車燈包含成百上千個像素，或者燈是由多塊分散的印刷電路板（PCB）組成時，以市場現存大量量產的LED驅動解決方案而言，每個燈板都需要使用一片MCU來作為控制的轉發點來提升系統的可靠性，通訊速度以及電磁兼容（EMC）性能。本文
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英飛凌 EMC 車載燈光 域控制器
Infineon Technologies 開發了用于固態保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產品。JFET 通過反向偏置 PN 結上的電場來控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導通損耗。大體通道優化的 SiC JFET 在短路
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英飛凌 SiC JFET 固態配電
氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯二極管實現第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實現雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統復雜度。由于有效的州電阻（RDSON）加倍，因此需要這些設備的平行組，以使返回到使用單向開關獲得的值。可以執行此類四季度操作的單片設備可以通過用單個設備替換四個活
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英飛凌 氮化鎵 雙向開關
●? ?2025財年第二季度：營收為?35.91?億歐元，利潤為6.01?億歐元，利潤率16.7%●? ?2025財年第三季度展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.125，預計營收將達到?37?億歐元。在此基礎上，利潤率預計為14%~16%左右●? ?2025財年展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.125（之前假設為1:1.05），預計營收較上一年將略有下降。這包括了對關稅政策潛在影響的估算。調整后的毛
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英飛凌 2025財年第二季度
英飛凌科技股份公司已獲得德國聯邦經濟事務部（German Federal Ministry for Economic Affairs）的最終批準，為其位于德累斯頓的智能發電廠提供資金。與此同時，該公司預計，由于美國對汽車征收關稅，到 2025 年銷量將減少 10%。該晶圓廠的 10 億歐元資金將推動該公司對智能功率器件生產的 50 億歐元投資。這是歐盟芯片法案和 IPCEI ME/CT 創新計劃（微電子和通信技術方面歐洲共同利益的重要項目）資助的一部分，該計劃于 2 月通過德國政府獲得批準。“我們的智能電
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英飛凌 晶圓廠 歐盟芯片法案
英飛凌憑借其高性能功率開關器件和EiceDRIVER?列的隔離柵極驅動器而聞名，每個功率開關都需要驅動器，對于驅動器的選擇，英飛凌共有441個不同的型號（截止2025年1月16日），分別屬于非隔離型、電平位移型和采用無磁芯變壓器的隔離型。 《好物下載丨《英飛凌柵極驅動電路設計選型指南》——92頁產品信息和技術資料》為了實現驅動器的驅動能力，每個驅動器都需要電源。對于電平轉換柵極驅動器，電源通常是由自舉電路提供。對于隔離柵極驅動器，需要一個同樣具有隔離功能的隔離電源供電。接下來，你將了解到我們的&
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英飛凌科技股份公司作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術的領導者，始終以卓越性能與高可靠性相結合的解決方案引領行業。目前，CoolSiC?產品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應用領域包括汽車動力傳動系統、電動汽車充電、光伏系統、儲能及高功率牽引逆變器等。現在，英飛凌又憑借豐富的SiC業務開發經驗以及在硅基電荷補償器件（CoolMOS?）領域的創新優勢，推出了SiC溝槽型超結（TSJ）技術。ID-PAK封裝MDIP-04-01英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Peter W
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英飛凌 SiC超結技術
英飛凌介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業創新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [
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