據新華社報道，歐盟委員會2月20日批準一項總額9.2億歐元（約合人民幣69.76億元）的國家援助計劃，支持德國英飛凌科技公司在德國德累斯頓建設一家芯片制造工廠，并稱這項援助計劃將加強歐洲在半導體技術領域的供應安全、韌性和技術自主性。據悉，德累斯頓建設芯片工廠項目計劃生產的產品將具有兩大類關鍵技術：一是用于電子系統中電源切換、管理和控制的分立電源技術，二是模擬/混合信號集成電路技術。根據該計劃，援助資金將以直接向英飛凌提供9.2億歐元的補助金的形式，支持其總額為35億歐元的投資。新工廠將成為歐洲第一家能夠在
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近日，半導體產業迎來兩大重磅消息，歐盟與日本分別對半導體相關企業提供大額補貼，旨在推動本土半導體產業發展。英飛凌獲歐盟9.2億歐元補貼，德累斯頓新廠加速落地2月20日，歐盟委員會宣布批準德國政府對英飛凌位于德累斯頓的新晶圓廠授予9.2億歐元（約69.85億元人民幣）的《歐洲芯片法案》補貼，用于其在德國德累斯頓建設新的半導體制造工廠。公開資料顯示，英飛凌的德累斯頓新晶圓廠項目整體投資規模達50億歐元，于2023年3月啟動建設，目標是在2026年投入使用，2031年達到滿負荷生產。建成后，該工廠將制造分立功率
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電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。這兩個產品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
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歐盟委員會周四表示，已批準向英飛凌提供9.2億歐元的德國國家援助，用于在德累斯頓建設一座新的半導體制造廠。歐委會補充說，這項措施將使英飛凌能夠完成MEGAFAB-DD項目，該項目將能夠生產多種不同類型的芯片。全球的芯片制造商正在向新工廠投入數十億美元，因為他們利用美國和歐盟慷慨的補貼，使西方國家在發展尖端半導體技術方面領先于中國。到 2030 年，歐盟委員會已為公共和私營半導體項目撥款 150 億歐元。歐盟委員會在一份聲明中說："這座新的制造工廠將為歐盟帶來靈活的生產能力，從而加強歐洲在半導體技
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●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術的SiC產品●? ?這些產品在奧地利菲拉赫生產，為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術●? ?200 mm SiC的生產將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲
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英飛凌在200mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲拉赫的生產基地制造，將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區將根據市場需求開始大批量生產。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運營官我們正在按計劃實施SiC產品
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驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將詳細講解如何正確理解和應用這些驅動器的功能。每一個功率開關都需要一個驅動器，功率開關在系統中會承受高壓大電流，如何使得功率半導體優雅地開通和關斷，驅動電路功不可沒。另外，驅動電路還需要承擔功率開關保護的重任，檢測短路工況，快速柔和地關斷。驅動器的大類功率半導體驅動是一種值得研究的技術，驅動對象不同、應用系統要求不同，對驅動電路的要求也
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2月13日消息，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司宣布成立一個新的業務部門，將當前的傳感器和射頻（RF）業務合并成一個專門的部門，從而推動公司在傳感器領域的發展。新成立的傳感器單元和射頻（SURF）業務部門隸屬于電源與傳感系統（PSS）事業部，并涵蓋之前的汽車和多市場傳感與控制相關業務。通過整合在傳感器和射頻技術領域的優勢，英飛凌充分利用成本與研發的協同效應，加速創新并為客戶創造更大的價值，從而增強自身的競爭力和產品上市策略。預計到 2027 年，傳感器和射
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全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布成立一個新的業務部門，將當前的傳感器和射頻（RF）業務合并成一個專門的部門，從而推動公司在傳感器領域的發展。新成立的傳感器單元和射頻（SURF）業務部門隸屬于電源與傳感系統（PSS）事業部，并涵蓋之前的汽車和多市場傳感與控制相關業務。英飛凌科技傳感器單元與射頻業務部門負責人Thomas Schafbauer博士通過整合在傳感器和射頻技術領域的優勢，英飛凌充分利用成本與研發的協同效應，加速創新并為客戶創造更大的價值，從而增強自身的競爭力和
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作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監校對宋清亮 英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務高級首席工程師過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩步增長，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據估計，2022年全球數據中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數據中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續增長 [1] 。圖1：1910年以來
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●? ?2025財年第一季度：營收為34.24億歐元，利潤為5.73億歐元，利潤率 16.7%。●? ?2025財年第二季度展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.05，預計營收約為36億歐元。在此基礎上，利潤率預計為14%~16%左右。●? ?2025財年展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.05（之前為1:1.10），預計營收將與上一財年持平或略有增長（之前預測為較前一年度略有下降）。調整后的毛利率預計在40%左右，利潤率為14%~19%。預計投資額約
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英飛凌科技股份公司在開發電容式微機械超聲波傳感器（CMUT）技術方面取得重大進展。憑借這項技術，公司推出首款高度集成的單芯片解決方案，該方案基于微機電系統（MEMS）的超聲波傳感器，擁有更小的占板面積以及更強大的性能和功能，可廣泛用于開發新型超聲波應用和改進消費電子、汽車工業與醫療技術領域的現有應用。英飛凌科技高級總監Emanuele Bodini表示：“英飛凌的超聲波技術可以實現很高的信噪比和集成度，因此我們認為該器件代表著行業的一大突破。我們希望利用這項技術開發出一個服務于不同行業多種應用場景的產品平
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/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產生損耗，損失的能量會轉化為熱能，表現為半導體器件發熱，器件的發熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風冷散熱
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/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》 ，已經把熱阻和電阻聯系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯和并聯概念來做數值計算。熱阻的串聯首先，我們來看熱阻的串聯。當兩個或多個導熱層依次排列，熱量依次通過
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/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實際，比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯構成的。各層都有相應的熱阻，這些熱阻是串聯的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
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英飛凌介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業創新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [
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