Infineon Technologies 開發了用于固態保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產品。

JFET 通過反向偏置 PN 結上的電場來控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。

G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導通損耗。大體通道優化的 SiC JFET 在短路和雪崩故障條件下提供高穩健性。

在熱應力、過載和故障條件下可預測的開關行為可在連續運行中提供最大的長期可靠性。

CoolSiC JFET 最大限度地減少了導通損耗，提高了固體關斷能力，并提供了高穩健性。強大的短路能力、線性模式下的熱穩定性和精確的過壓控制可實現可靠和高效的系統性能。

這可用于廣泛的工業和汽車應用，包括固態斷路器 （SSCB）、AI 數據中心熱插拔、電子保險絲、電機軟啟動器、工業安全繼電器和汽車電池斷路開關。

“憑借 CoolSiC JFET，我們滿足了對更智能、更快速、更強大的配電系統日益增長的需求，”英飛凌科技綠色工業電源部門總裁 Peter Waver 博士說。“這種應用驅動的功率半導體技術經過專門設計，旨在為我們的客戶提供解決這個快速發展的領域中復雜挑戰所需的工具。我們很自豪地推出實現一流 R DS（ON） 的器件，為 SiC 性能樹立了新標準，并再次肯定了英飛凌在寬帶隙技術領域的領導地位。

這些器件使用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝，可輕松并聯和擴展電流處理，從而實現具有靈活布局和集成選項的緊湊型高功率系統。英飛凌 .XT 互連技術采用擴散焊接技術，可應對惡劣應用環境的熱和機械挑戰。這顯著提高了工業電力系統典型的脈沖和循環負載下的瞬態熱阻和穩健性。

CoolSiC JFET 系列的工程樣品將于 2025 年晚些時候提供，并于 2026 年開始量產。產品組合將進一步擴展，提供各種封裝和模塊。