簡介

英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術，通過廣泛的產品組合設定了新的行業基準性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x3.3封裝。 OptiMOS? 6 80 V 系列非常適合電信、服務器和太陽能等高頻開關應用。OptiMOS? 6 80 V 的性能改進也體現了其在電池管理系統 (BMS) 中的優勢。

關鍵特性

l  與 SSO8 中的 5 相比，RDS(on) OptiMOS?減少24%

l  與已發布的 PQFN 3x3 相比，RDS(on) 減少28%

l  行業標準產品封裝組合

l  普通噪聲驅動改進的乘方、SOA 和雪崩電流額定值

l  175°C

l  工業資質

應用

l  電信基礎設施

l  光伏

l  電池管理系統（BMS）

l  服務器電源

l  DC-DC 電源轉換

設計參考

產品封裝

OptiMOS? 6 80 V 擁有豐富的產品組合，提供 SuperSO8（PQFN 5×6 mm2）和 PQFN 3.3×3.3 mm2 兩種表面貼裝封裝形式。該系列產品可適配多種不同應用場景，助力電源設計提升至全新水平。

漏源電阻RDS(on)性能概覽

R DS(on)是 MOSFET 的關鍵參數之一，表示在漏極和源極端子之間測得的導通電阻。

• 較低的 R DS(on)值產生以下結果：

減少傳導損耗

減少或避免零件并聯，節省成本和 PCB 空間，從而提高功率密度！

• SuperSO8 封裝的OptiMOS? 6 80 V 可實現：

與OptiMOS? 5 相比，導通電阻降低24%

• 新型OptiMOS? 6 80 V 產品中的低 R DS(on)值可實現以下效果：

提高功率密度

與次優方案相比，傳導損耗減少約20%

• OptiMOS? 6 80 V 采用 PQFN 3.3x3.3 包實現：

與OptiMOS? 5 相比，導通電阻降低 29%

•  新型OptiMOS? 6 80 V 產品中的低 R DS(on)值可實現以下效果：

提高功率密度

與OptiMOS? 5 相比，傳導損耗減少約30%

采用 PQFN 3.3×3.3 mm2 封裝的 80V MOSFET 最大導通電阻（R????）對比

總柵極電荷Qg性能概覽

總柵極電荷 (Q g ) 是在某些特定條件下需要提供給柵極以打開（驅動） MOSFET 的電荷量。在高開關頻率應用中，較小的 Q g值是十分必要的，因為它直接影響驅動損耗。

柵極至漏極電荷 Q gd表示與米勒平臺延伸相關的柵極電荷部分，是完成漏極電壓轉換所必需的。對于相同的驅動電路，較低的Q gd意味著更快的電壓瞬變，從而降低開關損耗。這對于高開關頻率、硬開關 SMPS 來說至關重要，因為開關損耗在其中起著重要作用。

與類似的 R DS(on)產品相比，OptiMOS? 6 80 V 的 Qg和 Qgd較OptiMOS? 5 提高了約 40%

品質因數（FOM）性能概覽

MOSFET“品質因數”（FOM）是考慮傳導和開關損耗的技術性能指標。 FOM 計算為導通電阻（R _DS（開） ）乘以總柵極電荷（Q _g ），通常以 mΩ x nC 表示。

OptiMOS? 5 80V 與 OptiMOS? 6 80V 系列的 FOMg 與 FOMgd 對比

品質因數（FOM）反映了導通電阻（R????）與總柵極電荷（Qg）之間的權衡關系

安全操作區（SOA）性能概覽

SOA 是由電壓和電流條件定義的圖表，在該條件下 MOSFET 可以運行而不會導致永久性損壞或性能下降。

通過對同類最佳OptiMOS? 5 (1.9 mΩ) 和OptiMOS? 6 (1.5 mΩ) SuperSO8 產品的 SOA 進行比較，可以發現 80 V 的新技術在線性工作區域內顯示出顯著的改善。

左圖：選自 OptiMOS? 6 80V 與 OptiMOS? 5 80V 系列 MOSFET 的業界領先級（BiC）器件的安全工作區（SOA）對比。右圖：得益于安全工作區（SOA）的優化，器件在線性工作模式下的電流承載能力提升情況。