●   至2030年，氮化鎵（GaN）市場規模預計將達到30億美元，年復合增長率高達44%

●   英飛凌高壓GaN雙向開關采用變革性的共漏極設計與雙柵極結構

●   GaN功率半導體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場

氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動功率電子行業迎來一場重大變革。全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日發布《2026年GaN技術展望》，深度解析GaN的技術現狀、應用場景及未來前景，為行業提供重要參考。

英飛凌科技氮化鎵系統業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：“GaN已經成為一個切實的市場應用，在多個行業獲得了廣泛關注。英飛凌致力于快速、高效地為客戶創造價值。憑借‘從產品到系統’的解決方案、領先的制造實力，以及豐富的GaN產品組合，我們為客戶提供的解決方案幫助客戶在市場上獲得成功。我們將持續努力，保持英飛凌作為值得信賴的合作伙伴的地位，幫助客戶應對GaN技術所帶來的挑戰，充分釋放其潛力?！?/p>

依托300毫米GaN晶圓制造技術，英飛凌GaN產品性能卓越，為各類應用場景帶來顯著優勢。

分析師預測，到2030年，GaN功率半導體市場規模有望接近30億美元，較2025年市場規模增長400%1。這一快速增長得益于2025年啟動的大規模產能擴張，這推動了GaN技術在多個行業的廣泛應用，還促進了該技術在新興領域中的滲透。預計該市場在2025至2030年間的年復合增長率（CAGR）將達到44%2，2026年其營收將達到9.2億美元，較2025年增長58%3。

GaN產品創新進展

到2026年，設計人員有望在光伏逆變器、電動汽車（EV）車載充電器之外，發掘更多GaN雙向開關（BDS）的新型應用場景。英飛凌的高壓GaN雙向開關采用變革性的共漏極設計與雙柵極結構，并基于成熟的柵極注入晶體管（GIT）技術。這種獨特架構使同一漂移區可實現雙向電壓阻斷，相較傳統背靠背方案顯著縮小了芯片面積。例如，采用英飛凌CoolGaN? BDS（支持最高開關頻率1MHz）的光伏微型逆變器在同等尺寸下功率提升了40%，同時降低了系統成本。

GaN技術正拓展至新興應用領域

GaN技術的應用領域正在不斷拓展，包括AI數據中心、機器人、電動汽車、可再生能源等行業，以及數字健康、量子計算等新興領域。在數據中心市場，采用新型拓撲結構的GaN電源實現了空前的效率與功率密度，功耗最多降低30%，助力部署更加高效緊湊的數據中心架構。在人形機器人領域，GaN電機驅動體積可縮減40%，同時還能提高對于精細運動的控制能力。

為何選擇英飛凌GaN技術？

英飛凌是全球功率半導體領導者，以硅（Si）、碳化硅（SiC）和GaN領域的創新解決方案聞名。公司依托垂直整合制造（IDM）戰略，結合業界領先的系統理解能力，提供各種領先技術，滿足行業不斷變化的需求。依托300毫米GaN晶圓制造技術，英飛凌GaN產品性能卓越，為各類應用場景帶來顯著優勢。例如：

●   英飛凌全新的CoolGaN? 650V G5晶體管系列產品在品質因數（導通損耗與開關損耗的乘積）方面領先業界30-40%，可大幅提升系統性能和設計自由度。

●   英飛凌創新的CoolGaN? Transistor MV G5系列產品在器件內集成了肖特基二極管，減少了15%的損耗，并將器件溫度降低了10%以上，在縮小尺寸、降低成本的同時，提高了效率與可靠性。

●   英飛凌的全新CoolGaN? 100V車規級晶體管系列產品進一步鞏固了其全球汽車半導體領導者的地位。它滿足AEC-Q101標準的嚴苛要求，可幫助客戶應對新一代汽車架構設計中從12V向48V系統轉型的應用需求。

英飛凌擁有超過50款GaN產品的豐富產品組合，涵蓋分立與高度集成解決方案，電壓覆蓋從40V至700V，布局消費電子、工業電子及汽車電子應用領域，可為廣泛的功率應用場景提供各類解決方案。

2026年，憑借出色的性能、效率與可靠性，GaN技術將進一步應用于功率電子行業。作為GaN技術的市場領導者，英飛凌致力于賦能客戶與合作伙伴，在這一新領域不斷探索，共同打造面向未來的節能技術。

資料獲取

《2026年GaN技術展望》電子版現已在英飛凌官網上線，文中深入解讀了GaN技術的發展現狀、產品布局、應用場景，以及未來可能面臨的機遇與挑戰。

1 Yole Group：《Power GaN 2025》報告

2 TrendForce：《2025年全球氮化鎵功率器件市場分析》

3 Yole Group：《Power GaN 2025》報告