在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉型加速的雙重驅動下，氮化鎵（GaN）產業正步入關鍵的黃金增長期。根據TrendForce研究，全球GaN功率器件市場預計將從2024年的3.9億美元快速增長至2030年的35.1億美元，年復合增長率（CAGR）高達44%。

在此高速擴張背景下，領先晶圓代工廠的戰略調整正在重塑GaN產業鏈格局。盡管臺積電（TSMC）正逐步退出GaN代工服務，但已通過技術授權協議，將其深厚的技術積累轉移給合作伙伴——世界先進（VIS）與格芯（GlobalFoundries, GF）。此舉不僅推動產業分工更加精細化，也為數據中心、電動汽車及人形機器人等下一代應用注入了全新動能。

世界先進獲臺積電授權，打造全方位GaN代工平臺

2026年1月28日，世界先進正式宣布與臺積電簽署技術授權協議，獲得其650V高壓與80V低壓GaN制程技術。雙方合作的開發工作預計于2026年初啟動，并計劃于2028年上半年實現量產。

通過將硅基氮化鎵（GaN-on-Si）工藝拓展至高壓應用，并與其現有的QST襯底GaN平臺（GaN-on-QST）整合，世界先進將成為全球唯一同時提供兩種不同襯底平臺GaN制造服務的代工廠。

這一戰略布局使其能夠覆蓋從200V以下低壓、650V高壓到1200V超高壓的全電壓段應用，精準滿足數據中心、車用電子、工業控制及能源管理系統對高能效的嚴苛要求。此外，公司計劃在其成熟的8英寸晶圓平臺上驗證這些工藝，以確保制程穩定性與高良率。

臺積電戰略轉向：聚焦AI，賦能伙伴發展GaN

作為全球最大的專業晶圓代工廠，臺積電已于2025年7月宣布將逐步退出GaN代工服務，并計劃于2027年7月31日全面終止相關業務。

這一決策源于資源的戰略性再分配：相比GaN代工業務，AI芯片在晶圓用量、營收貢獻和利潤率方面均顯著更高；而GaN生產規模仍相對較小，尚未達到臺積電的回報預期。

然而，臺積電的退出并不意味著放棄GaN技術。相反，其多年積累的核心技術正通過授權方式向外輸出，以支持整個產業生態的發展。

除世界先進外，格芯（GF）也于2025年11月與臺積電簽署類似授權協議，涵蓋650V與80V GaN技術。依托臺積電的技術支持，格芯旨在強化其在數據中心、工業系統及車用電子等關鍵功率應用領域的布局，加速推動新一代高效率功率半導體的普及。

展望：GaN邁向爆發臨界點

憑借高電子遷移率、高擊穿電場強度和優異的熱導率等材料優勢，GaN正快速從消費類快充領域拓展至更嚴苛的工業與前沿科技場景，包括數據中心、新能源汽車及人形機器人。

盡管當前市場規模尚未達到“巨量”級別，但業界普遍認為GaN已站在爆發拐點之上。在AI、電動汽車與機器人三大引擎的共同驅動下，GaN技術有望迎來規?；黄疲宫F出巨大的長期增長潛力。