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英飛凌CoolSiC MOSFET獲選用于豐田bZ4X純電動(dòng)車

作者: 時(shí)間:2026-02-11 來(lái)源: 收藏

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(Infineon)宣布,其碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體已被(Toyota)新一代純電動(dòng)車 bZ4X 采用。具體而言,的 CoolSiC? MOSFET 將用于該車型的車載充電機(jī)(OBC)。

對(duì)于《eeNews Europe》的讀者而言,這一消息具有重要參考價(jià)值:它表明碳化硅的應(yīng)用正加速?gòu)闹黩?qū)逆變器擴(kuò)展至中其他關(guān)鍵的電力轉(zhuǎn)換模塊。同時(shí),這也凸顯了汽車制造商正越來(lái)越多地采用寬禁帶(WBG),以實(shí)現(xiàn)更快充電速度更長(zhǎng)續(xù)航里程等可量化的電動(dòng)出行優(yōu)勢(shì)。


碳化硅深入電動(dòng)車電力電子系統(tǒng)

根據(jù)新聞稿,在 bZ4X 的 OBC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中明確采用了的 CoolSiC MOSFET。這兩個(gè)子系統(tǒng)對(duì)充電效率、熱管理性能和功率密度有著直接影響,是電動(dòng)車能效優(yōu)化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

英飛凌指出,碳化硅材料本身具備低損耗、高耐熱性及高電壓耐受能力等固有優(yōu)勢(shì),使其能夠在系統(tǒng)層面顯著提升整體性能。公司表示,在實(shí)際電動(dòng)車應(yīng)用中,這意味著更長(zhǎng)的續(xù)航里程更短的充電時(shí)間

此外,英飛凌將此次定點(diǎn)視為汽車行業(yè)向電動(dòng)化轉(zhuǎn)型大趨勢(shì)中的重要一環(huán)——電力電子技術(shù)正日益成為整車廠(OEM)。

英飛凌汽車電子事業(yè)部執(zhí)行副總裁兼首席銷售官 Peter Schaefer 表示:

“我們非常自豪,全球最大的汽車制造商之一豐田選擇了英飛凌的 CoolSiC 技術(shù)。碳化硅能夠顯著提升的續(xù)航、效率與性能,因此是未來(lái)移動(dòng)出行的關(guān)鍵組成部分。憑借我們對(duì)創(chuàng)新和‘零缺陷’質(zhì)量的堅(jiān)定承諾,我們已做好充分準(zhǔn)備,以滿足電動(dòng)出行領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體需求。”


溝槽柵CoolSiC:提升效率并簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路

英飛凌介紹,其 CoolSiC MOSFET 采用溝槽柵(trench gate)結(jié)構(gòu),旨在降低單位面積導(dǎo)通電阻(Rds(on))并縮小芯片尺寸。公司稱,這種設(shè)計(jì)組合可有效減少導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗——這是提升車載電力轉(zhuǎn)換效率的核心手段。

新聞稿還強(qiáng)調(diào),該器件在芯片層面進(jìn)行了多項(xiàng)優(yōu)化,以支持 OBC 和 DC/DC 應(yīng)用中對(duì)高功率密度與高可靠性的設(shè)計(jì)要求。例如,通過(guò)優(yōu)化寄生電容柵極閾值電壓,CoolSiC MOSFET 可實(shí)現(xiàn)單極性柵極驅(qū)動(dòng)(unipolar gate drive),從而簡(jiǎn)化汽車電力系統(tǒng)中的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

憑借在 bZ4X 項(xiàng)目中的成功定點(diǎn),英飛凌正將 CoolSiC 定位為一個(gè)可擴(kuò)展的碳化硅平臺(tái),以服務(wù)于越來(lái)越多轉(zhuǎn)向?qū)捊麕Чβ势骷碾妱?dòng)化車輛子系統(tǒng)。


關(guān)鍵詞: 英飛凌 豐田 電動(dòng)汽車

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