Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動(dòng)力模塊中。

目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號(hào)“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準(zhǔn)備與電源模塊內(nèi)的MOSFET和二極管芯片進(jìn)行頂部線連接。反金屬化兼容燒結(jié)和焊接。

該硅吸收器設(shè)計(jì)用于直流鏈路，最高可達(dá)1000伏直流，峰值可達(dá)1200伏，擊穿額定值將超過(guò)1500伏。

據(jù)公司介紹，它們“在電壓超過(guò)150伏時(shí)保持恒定電容，并在10nA附近表現(xiàn)出泄漏電流”。“有多種R和C組合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”

具體生產(chǎn)哪些變種尚未確定。

尺寸限制為：直徑1.5至5毫米（頂部圖中的X和Y），厚度可達(dá)640微米（Z）。電容范圍可從200pF到5.8nF，電阻范圍為1Ω至35Ω。工作目標(biāo)溫度為-40至+150°C環(huán)境，峰值溫度為175°C。

除了作為直流鏈路的緩沖器外，還設(shè)想與MOSFET并聯(lián)實(shí)現(xiàn)輸出緩沖。

Melexis表示：“SiC器件在高速切換和高電壓下工作，天生容易受到電壓瞬變、高頻振蕩和寄生效應(yīng)的影響。”“集成RC緩沖器可以減輕這些影響，Melexis的早期測(cè)量顯示，RC緩沖器可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)50%。”——這個(gè)50%的數(shù)字是從無(wú)緩沖器的91mJ到使用硅緩沖器的39mJ。